技术编号：9330127
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 随着无线通信技术的发展，射频集成电路的芯片也迅速发展，集成规模不断扩大， 工作频率不断提高，传统的硅基材料已经不能满足要求。基于氮化镓衬底的MESFET就是在 这种背景下被提出应用，由于氮化镓材料良好的特性使得由它制造的晶体管具有很高的电 子迀移率，很强的抗辐射能力，较大的工作温度范围。由于芯片中晶体管的数量越来越多， 随之而来的就是集成电路的功耗问题。随着集成电路的发展，芯片的规模变得很大，人们对 于芯片的功耗越来越重视。太高的功耗会对芯片的散热材料提...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。