技术编号:9344933
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 现有工程实践中,通常采用浮区法晶体生长技术制备高质量晶体,用于模拟浮区 法晶体生长过程的物理模型称为液桥。工程实践与理论研究表明周围剪切气流以及液桥 体积比是影响液桥界面形状的重要因素。因此,研究周围剪切气流和液桥体积比对液桥界 面的影响规律对控制晶体生长和提高产品质量具有重大意义。 然而,针对剪切气流和液桥体积比所进行的实验研究还处于起步阶段,国内外针 对这方面的文献非常少,少有的实验研究也因其液桥生成设备结构复杂、功能单一等缺点 而不能广泛推广。 因...
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