技术编号：9418946
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子工艺，具体地涉及一种改善GaN (氮化镓)HEMT (高电子迀移率晶体管)器件散热性能的方法，属于半导体器件制备。背景技术GaN HEMT器件具有的高频、高功率密度以及高工作温度的优点使其成为微波大功率器件以及电力电子器件发展的新方向。然而，散热问题制约着GaN HEMT功率器件的性能，如功率密度以及效率等。功率器件的热量通常都积聚在有源区域，为了提升器件的散热能力，通常采用倒扣焊或者采用高热导率材料的方法。倒扣焊工艺对于器件压点有着独特的...
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