技术编号:9476390
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在具有半导体晶体的光电子器件的情况下需要可再现地构造具有最优的接触大小的用于电接触的接触面。例如在发光二极管器件的情况下需要可再现地制造被最优地确定尺寸的接触面,以便实现低的正向电压和高的光输出。为了以薄膜技术制造发光二极管芯片(LED芯片),在现有技术中已知以下方法,在该方法中在第一光刻方法步骤中安置由金属构成的接触面。在第二方法步骤中施加反射电介质的覆盖接触面的层。借助于光刻方法,紧接着该反射电介质在接触面的区域中被打开。之后沉积反射金属,所述反射金属...
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