技术编号：9580561
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着集成电路集成度的提高和元件线宽的减小，等离子体刻蚀(Plasma Etching)工艺得到了极为广泛的应用。等离子体刻蚀工艺是通过在等离子体刻蚀装置的反应腔室内配置电极，以蚀刻气体作为反应气体提供给反应腔室内，利用在电极上施加射频而在反应腔室内形成反应气体的等离子体，通过由该等离子体生成的原子团、离子等完成蚀刻的干法刻蚀工艺。近年来，利用等离子体刻蚀工艺形成高深宽比结构，如TSV硅通孔技术，正越来越受到广泛的重视和研究。高深宽比结构的形成，典型地是利用...
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