技术编号：9648730
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前，当太阳能组件的一个或一组电池被遮光或损坏，被影响的电池或电池组被迫处于反向偏置而且必定消耗功率，从而影响组件可靠性。在半导体中必须考虑绝缘击穿对氧化层质量的影响，一般会有两种测试方法一种是氧化层加上电压立即短路的瞬时绝缘击穿(TZDB)，另一种是氧化层连续加上适当电压后才产生短路的经时绝缘击穿(TDDB)，但是在太阳能电池测试领域中，目前还没有特别的方法去测试反向击穿。发明内容本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种，它能够快速准确地得...
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