技术编号:9720435
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。氮化铝陶瓷具有优良的绝缘性、导热性、耐高温性、耐腐蚀性以及与硅的热膨胀系数相匹配等优点,成为新一代大规模集成电路、半导体模块电路及大功率LED照明器件的理想散热和封装材料。目前,制备氮化铝陶瓷基片的主要方法是流延成型,且大多数为有机溶剂流延成型。流延成型技术由Glenn N.Howatt首次提出并成功地将其应用于微波介质陶瓷多层电容器的制备。流延成型技术设备简单,可连续性操作,基本上实现自动化,生产效率较高,而其制备膜片的成本较低,较适合工业化生产,在普通...
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