技术编号：9723358
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。氮化铝材料是继第一代硅、锗和第二代砷化镓、磷化铟等材料以后的第三代新型半导体材料。氮化铝单晶材料具有宽禁带、高热导率、耐高温、高击穿场强等优点，是制备高性能深紫外探测器、大功率微波器件和电子器件的基础材料，新型微波器件为满足器件小型化、耐高温、大功率的要求，必须使用氮化铝单晶材料来制作AlGaN等外延微结构材料。单晶材料的位错密度对于其性能以及外延材料的质量有着决定性影响，因此有必要对于材料中位错进行深入研究以得到高质量的氮化招单晶材料。发明内容针对背景技...
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