技术编号：9728741
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。传统方法制备薄膜晶体管的器件需要多步蚀刻工艺，其中包括半导体层的蚀刻以及源/漏极的蚀刻，增加了工序繁复程度，从而提升了工艺成本。此外，采用传统的光刻工艺制备背沟道蚀刻的薄膜晶体管器件时，源/漏极蚀刻过程往往会损伤半导体沟道，进而对器件的电学性能造成影响。故，有必要提供一种，以解决现有技术所存在的问题。发明内容有鉴于此，本发明提供一种，以解决现有技术进行蚀刻时所产生的损伤半导体沟道的问题，及增加工序繁复从而提升工艺成本的问题。本发明的主要目的在于提供一种，其...
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