技术编号:9789069
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件,尤其涉及。背景技术以氮化镓为代表的三族氮化物(II1-N)属于宽禁带半导体材料,也被称为“第三代半导体材料”,在传感器和功率电子等领域具有广泛的应用。在半导体器件的加工过程中,经常需要对材料进行图形化加工,往往通过刻蚀(干法)或腐蚀(湿法)手段。湿法腐蚀具有成本低、操作简便、腐蚀速率可控、材料腐蚀选择比高和适于批量生产等优点。半导体器件的刻蚀方法如电化学腐蚀、氧等离子体刻蚀(干法)以及热氧化腐蚀等。但是,电化学腐蚀需要复杂的设备和操作...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。