技术编号：9822532
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 目前半导体的制程已进入至16/14奈米的阶段，即将进入10奈米W下节点，采用立 体结构的晶体管，例如搭配III-V族及错(Ge)做为通道材料的罐式场效晶体管(FinFET)。 由于111 - V族半导体晶圆材料可提供较娃高出十到Ξ十倍的电子迁移率化1 e C t r 0 η Mobility),错可提供较娃高出四倍W上的电桐迁移率，因此便可有效控管晶体管闽极漏电 流问题，提高电子移动率，可大幅提升忍片运算效能并同时降低功耗。故，III-V族材料化合 物，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。