1)MOSFET['m?sfet]MOSFET管
1.Research on the on-off characteristics based on MOSFET voltage-type inverter;基于MOSFET管的电压型逆变器开关特性研究
2.Then based on analysis of the driving character of giant magnetostrictive material and the driving power of giant magnetostrictive actuator, we give a circuit of driving power of giant magnetostrictive actuator on MOSFET.介绍了稀土超磁致伸缩微致动器的结构、工作原理 ,给出了基于功率MOSFET管的超磁致伸缩执行器驱动电源的电路 ,实验表明该驱动电源可以满足微致动器的工作需要。
英文短句/例句
1.Research on problem of malddistributed electric current of MOSFET in parallel connectionMOSFET管并联应用时电流分配不均问题探究
2.Analysis of Power MOSFET Resonant Gate Drive Technology in Power Electronics电力电子功率MOSFET管谐振驱动技术的分析
3.Development of the Measurement Methodology for in Vivo Dosimetry with Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor (MOSFET) in Radiotherapy;金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）探测器测量放射治疗中人体剂量方法学研究
4.Characteristics Analysis and Design of SJ MOSFET;SJ MOSFET特性分析与设计
5.Simulation and Modeling of Drift Drain MOSFET;Drift Drain MOSFET模拟与建模
6.A Study of High Frequency Characteristics for SIO MOSFET;SOI MOSFET的高频特性研究
7.A Study on Static Characteristics of SOI MOSFET;SOI MOSFET静态特性研究
8.MOSFET RF Modeling Based on PSP基于PSP的MOSFET射频建模
9.Study of Non-linear Characteristics of BJT and MOSFETBJT和MOSFET的非线性研究
10.Development of Trench MOSFET沟槽型MOSFET的发展(英文)
11.Analysis and Modeling of Electrical Parameters for Nanoscale MOSFETs;纳米MOSFET电学参数的分析与建模
12.Application of ZnMgO on the High-κ MOSFET and TTFT;ZnMgO纳米薄膜在MOSFET和透明TFT中的应用
13.Study of Hot-carrier Degradation Effects of MOSFET;MOSFET热载流子退化效应的研究
14.Research and Analysis of GaN MOSFET Characteristics in the Method of Computer Simulation;GaN MOSFET器件特性计算机模拟分析与研究
15.The Establishment and Research of Scalable Macromodel for High Voltage MOSFET Ⅰ-Ⅴ Characteristics;高压MOSFET Ⅰ-Ⅴ特性宏模型的建立与研究
16.Study on Testing for Gate Resistance of Vertical Double-diffused MOSFET;垂直双扩散MOSFET栅电阻的测试研究
17.Quantum Effect Model and Parasitic Resistance Analysis of Nano-scaled MOSFET;纳米MOSFET量子效应模型与寄生电阻分析
18.SPICE Model of Nonuniform Substrate Doping MOSFET;非均匀掺杂衬底MOSFET的SPICE建模
相关短句/例句
MOSFET switch tubeMOSFET开关管
3)power MOSFET功率MOSFET管
1.In order to reduce volume,speed up dynamic response speed,reduce drive losses of power MOSFET and raise efficiency of converter,advantages and disadvantages of existing resonant gate drive circuit plan were evaluated.为了减小体积,加快动态响应速度,减少功率MOSFET管的驱动损耗,提高变换器的效率,对现有谐振驱动电路方案的优缺点进行评估。
4)high voltage MOSFET高压MOSFET开关管
1.TOPswitchⅡ series intergrated circuits are produced especially for switching power supply by PowerIntegration(Company,)which integrate PWM and high voltage MOSFET together,and have perfect protection function.TOPSwitchⅡ系列芯片是PowerIntegration公司生产的开关电源专用集成电路,他将脉宽调制电路与高压MOSFET开关管及驱动电路等集成在一起,具备完善的保护功能。
5)MOSFET gateMOSFET栅
6)ultra-deep submicronLDD MOSFET
延伸阅读
高压功率MOSFET门极驱动电路高压功率MOSFET门极驱动电路high voltage power MOSFET gate driver gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
