半导体发光二极管,LED
1)LED[英][,el i: 'di:][美]['?l 'i 'di]半导体发光二极管
1.Based on these analyses, the project of LED employed as new type therapy source is feasible.本文基于低能量激光(Low Intensity Laser,LIL) 生物刺激效应的机理,通过分析目前半导体技术及半导体发光二极管(LED)在光强、波长、实用性和价格等方面的优势,提出了采用LED 在促进伤口愈合,提高免疫力,皮肤美容,镇痛和光动力疗法等应用领域取代激光光源的观点,论证了开展新的生物医学领域研究的可行性,并研制出一套用于皮肤治疗的LED 治疗仪器,给出了该仪器的临床应用结果,属于国内首创。
2.Solar is a cleanly and renewable energy source and LED is a renewable,energy saving,and efficient solid electric sources.太阳能是一种清洁的、可再生的绿色能源;半导体发光二极管(LED)也是一种环保、节能、高效的固态电光源。
英文短句/例句

1.metal insulator semiconductor light emitting diod金属绝缘膜半导体发光二极管
2.Experimental Research on Negative Capacitance in LEDs;半导体发光二极管负电容的实验研究
3.Introduction to the Standard "Phosphors for Light Emitting Diodes"《半导体发光二极管用荧光粉》标准编制说明
4.The Theory Study of Negative Capacitance in Semiconductor Leds;半导体发光二极管中负电容现象的理论研究
5.Experimental Research on Forward Electrical and Luminous Characterization in LEDs;半导体发光二极管正向电学和发光特性的实验研究
6.semiconductor avalanche photodiode半导体雪崩光电二极管
7.compound-semiconductor photodiode复合半导体光电二极管
8.Light-emitted diode (LED): A semiconductor diode which emits light when a voltage is applied. Commonly used in its short form: LED.发光二极管:感受电压而发射光线的半导体二极管。
9.Research on the Characteristics Measurement of Light Emitting Diodes and Laser Diodes;发光二极管及半导体激光器特性参数测试研究
10.Characteristics Analysis of GaAs Based High Power Semiconductor Laser and High Brightness LED;GaAs基大功率半导体激光器和高亮度发光二极管特性分析
11.A semiconductor diode that converts applied voltage to light and is used in digital displays, as of a calculator.发光二极管一种半导体二极管，可将实用电压转变成亮光，用于数字显示，如计算器
12.point contact semiconducting diode点接触半导体二极管
13.semiconductor diode amplifier半导体二极管放大器
14.Semiconductor diode mixer半导体二极管混频器
15.A semiconductor diode in which the reverse current varies with the intensity of received light.反向电流随光的照射强度而发生变化的一种半导体二极管。
16.Semiconductor diode; semiconductor rectifier diode; metallic rectifier.半导体二极管、半导体整流器二极管、金属整流器。
17.half-intensity beam angle发光二极管的半强度角
18.Blank detail specification for semiconductor laser diodesGB/T15649-1995半导体激光二极管空白详细规范
相关短句/例句

phosphor for light emitting diode半导体发光二极管用荧光粉
3)resonant cavity light emitting diodes(RCLED)谐振腔半导体发光二极管(RCLED)
4)metal insulator semiconductor light emitting diod金属绝缘膜半导体发光二极管
5)laser diode半导体激光二极管
1.Referenced to Rubidium Spectrum Line High Accurate Laser Diode Stable Control Circuits Research;以铷原子谱线为参考的高精度半导体激光二极管稳定控制研究
2.The design of a laser diode(LD) driver that can generate multi-waveforms for the modulation of drive current was present in this paper.设计了一种能对输出电流实现多种波形调制的半导体激光二极管(LD)驱动电源。
6)diode laser半导体激光二极管
1.During the last years eyesafe laser rangefinder technology based on high repetition rate pulse diode lasers,small size and work on non-cooperative targets has been developed rapidly in the world.５ｍ，重复率为１ｋＨｚ，使用的半导体激光二极管和光电二极管都是国产元件。
延伸阅读

半导体发光二极管　　在正向偏置下，半导体PN结或与其类似的结构能够发出可见光或近红外光，这种把电能直接转换为光能的器件称为发光二极管，简称LED。　　　　发光是物体内部以某种方式储存的能量转化为光辐射的过程。发光物体的光辐射是材料中受激发的电子跃迁到基态时产生的。半导体（主要是元素周期表中Ⅲ族和Ⅴ族元素构成的化合物半导体）发光二极管属于电流激发的电致发光器件。　　　　电致发光现象发现于1923年，当时并没有引起人们的注意。随着近代技术的发展，对发光器件提出了新的要求，希望发光管简单、可靠、寿命长、价格低、小型化。所以自60年代开始电致发光的研究非常活跃。　　　　发光机理　原子、分子和某些半导体材料，能分别吸收和放出一定波长的光或电磁波。根据固体能带论，半导体中电子的能量状态分为价带和导带，当电子从一个带中能态E1跃迁(转移)到另一带中的能态E2时,就会发出或吸收一定频率(υ)的光。υ与能量差(墹E＝E2-E1)成正比，即　　
υ＝墹E/h (Hz)
　　此式称为玻尔条件。式中h＝6.626×10-34J·s。　　　　当发光二极管工作时，在正偏下，通常半导体的空导带被通过结向其中注入的电子所占据，这些电子与价带上的空穴复合，放射出光子，这就产生了光。发射的光子能量近似为特定半导体的导带与价带之间的带隙能量。这种自然发射过程叫作自发辐射复合（图1）。显然,辐射跃迁是复合发光的基础。注入电子的复合也可能是不发光的，即非辐射复合。在非辐射复合的情况下，导带电子失去的能量可以变成多个声子,使晶体发热,这种过程称为多声子跃迁；也可以和价带空穴复合,把能量交给导带中的另一个电子,使其处于高能态，再通过热平衡过程把多余的能量交给晶格，这种过程称为俄歇复合。随着电子浓度的提高，这种过程将变得更加重要。带间跃迁时，辐射复合和非辐射复合的两种过程相互竞争。有的发光材料表现为辐射复合占优势。　　　　　　LED的结构　LED的结构依应用和材料掺杂情况而异。用于可见光指示和显示方面的LED,要求结构最佳化以获得高效率；用于光通信方面的LED,需要有高辐射度以把最大功率耦合入纤维，还希望有较大的调制能力。用作指示灯和显示器的LED的基本结构见图2。　　　　　　光通信用 LED的发射波长必须在光纤呈现低损耗的窗口区。0.8～0.9微米的GaAlAs-GaAs发光管和1.3～1.6微米的InGaAsP-InP发光管,波长分别落在石英纤维的第一和第二个透明窗口。为了与纤维耦合,光可以从LED的一面或一边提取。　　　　对LED的要求　①提高内量子效率,要求尽量减少晶体缺陷和有害杂质；②提高外量子效率，结构要便于光收集、提取和发射；③可以用携载信息的输出电流直接对光输出进行高速率的调制；④结构要有利于散热，减少因结温上升引起光功率下降；⑤要有高的辐射度，因此必须应用直接带隙半导体和能够在高电流密度下驱动的结构。　　　　LED的特点　在低压(低于2伏)、小电流（几十毫安至200毫安）下工作,功耗小、体积小、可直接与固体电路连接使用；稳定、可靠、寿命长(105～106小时)；调制方便，通过调制LED的电流来调制光输出;光输出响应速度比较快（1～100兆赫）；价格便宜。　　　　应用　LED可用作指示灯、文字-数字显示、光耦合器件、光通信系统光源等。　　　　指示灯 　用作指示灯的LED有两种结构:径向引线结构和轴向引线结构。前者尺寸小、价格低，适宜安装在印刷电路板上；后者既可安装在仪器面板上，又可直接安装在印制线路板上。专为印制线路板设计的最小的LED指示灯，可与晶体管和集成电路兼容，用来指示电路状态和故障。LED可作为电视频道调谐指示器,还可用于高保真度收音机和录音机以及汽车、飞机和机电工业。大多数指示灯是单管芯，新发展的还有双色灯和多色灯。　　　　文字－数字显示 　LED用作袖珍计算器。数字手表和电子仪表的数字显示，一般为七段显示。但对台式计算器,更灵活的显示方式（产生全文字-数字）是35点矩阵，其中LED装成7×5阵列。35点矩阵价格较高、驱动电路复杂，其应用不及七段显示器件广泛。　　　　光耦合器件 　GaAs（或GaAsP）LED和Si－PN结探测器相结合，可以制成许多新型器件，进行光-电和电-光的传递，通常称为光耦合器件。熟知的是光耦合隔离器，它高速、可靠并可提供高至2.5千伏的电隔离。GaAsLED与Si晶体管相结合制成穿孔卡片或磁带的光电子读数头，比钨丝灯径向分布可靠、稳定、抗震和功耗小。采用光耦合器件的汽车点火装置，省油、易起动、工作平稳。GaAlAs负阻发光二极管可用作发光开关、可控发光整流器和光波长转换等。　　　　光通信系统的光源 　通信、信息处理和光耦合等应用要求 LED有良好的方向性。适于光通信应用的两种主要光源是高辐射度LED和半导体注入激光器。LED稳定、可靠、寿命长、驱动电路简单、功率对温度不敏感，广泛用作中、短距离（铁路、电力、交通、公安等）光通信系统的光源。GaAlAs－GaAs面发光管的带宽为10～20兆赫，适用于二次群光通信系统(可传输120路电话),传输距离大于5公里。GaAlAs-GaAs快速边发光管带宽50～100兆赫，适用于三级群光通信系统(可传输480路电话)，传输距离数公里。InGaAsP-InP LED可用于更长距离(大于10公里)的传输系统。此外，LED还用于信息处理、图像传输、测距和传感等方面。