1)capacitor-less无电容型
1.8V 100mA capacitor-less LDO for SoC application is targeted by HHNEC 0.基于级间密勒补偿技术,产生一个低频主极点,并通过阻尼系数控制(DFC)单元调节两个次主极点略高于单位增益频率(UGF),使得无电容型LDO开环传递函数中在UGF内只有一个极点,从而保证环路稳定性,同时又优化了系统的动态响应。
英文短句/例句
1.Design of Capacitor-less LDO Based on Mix-Macro-Model基于混合宏模型的无电容型LDO设计
2.A Capacitor-less Low-dropout Regulator Based on Damping Factor Control Frequency Compensation基于阻尼系数控制频率补偿的无电容型LDO设计
3.non-inletting wire round-sheet porcelain condenser无引线圆片型瓷介电容器
4.miniaturized large capacity radio telemetry equipment小型化大容量无线电遥测设备
5.Development of BAM21-334-1W Capacitor without FuseBAM21-334-1W型无熔丝电容器的研制
6.Rectifier Control Strategy of Single-PWM Converter Without DC Capacitor无直流电容单PWM型功率变换器整流桥换流控制
7.no-load compensating power capacitor无功补偿用电力电容器
8.Application of Intelligent Integrated Power Capacitor in New Reactive Power Compensation Device of Integral Substation箱式变新型无功补偿装置中智能集成电力电容器的应用
9.micro laminated tantalum electrolytic condenser微型钽片电解电容器
10.frequency tolerance of radio transmitter无线电发射机频率容限
11.lacquerless metallized paper condenser无漆金属化纸介电容器
12.non inductance polypropylene capacitor无感式聚丙烯电容器
13.Intelligent Thyristor Switched Capacitor Compensating System Controlled by Microcomputer智能型晶闸管投切电容器无功补偿微机控制系统
14.Inductance-capacitance circuit with infinite reactance at resonance.谐振时阻抗为无穷大的电感－电容电路。
15.The sources of reactive power (vars) are machine vars, capacitor and reactor vats.无功功率来自电机、电容器和电抗器。
16.clapp oscillator电容反馈改进型振荡器
17.Inductance-capacitance circuit having zero reactance, infinite susceptance at resonance.谐振时电阻为零，电纳无穷大的电感－电容电路。
18.non-polarity solid tantalum electrolytic capacitor无极性固体钽电解电容器
相关短句/例句
Capacitor-less LDO无电容型LDO
1.Design of Capacitor-less LDO Based on Mix-Macro-Model基于混合宏模型的无电容型LDO设计
3)non inductive capacitor无感电容器
4)off-chip capacitor无片外电容
1.CMOS low-dropout regulator with 3.3 μA quiescent current without off-chip capacitor3.3μA静态电流无片外电容的CMOS低压差线性稳压器(英文)
5)capacitance model电容模型
1.This paper presents a surface-potential-based analytical current and capacitance model of polysilicon thin-film transistors(poly-Si TFTs) for circuit simulation,in which the non-iterative numerical algorithm is adopted to calculate the surface potential of poly-Si TFTs as a function of terminal voltage,thus greatly enhancing the efficiency of the proposed model.同时,文中还提出了基于电荷的电容模型。
2.The capacitance model of the SMG structure is established.并以某硅微机械陀螺仪的理 论模型为对象,建立了陀螺仪结构中的电容模型。
3.A large signal nonlinear capacitance model for RF power 4H SiC MESFET at room temperature is proposed by combining the physical analysis of devices based on theories of charge controlling and carrier velocity saturation and the description of empirical models such as Statz and Angelov models.采用电荷控制理论和载流子速度饱和理论的物理分析方法 ,并结合 Statz、Angelov等经验模型的描述方法 ,提出了常温下针对 4 H- Si C射频功率 MESFET的大信号非线性电容模型 。
6)capacitive TA电容型TA
1.In this article,causes of rising tanδ of capacitive TA is introduced and analyzed,and suggestions on manufacturing techniques are given.介绍并分析了电容型TA tanδ值回升的原因,提出制造工艺上应注意的问题。
延伸阅读
电容和电容器 电容是描述导体或导体系容纳电荷的性能的物理量。 孤立导体的电容 把电荷Q充到孤立导体上,它的电位U与Q成正比，Q/U与Q无关，仅取决于孤立导体的形状和大小，它反映了孤立导体容纳电荷的能力，因而定义为孤立导体的电容，用C表示，C＝Q/U。孤立导体的电容等于导体升高单位电位所需的电量。电容的国际制单位为法拉，简称法，用F表示,是一个非常大的单位。如将地球看作孤立导体，其电容只有709×-6法，所以通常采用μF(=-6F)或pF(=10-12F)为单位。 如果把另一个带负电的导体移近孤立导体，后者的电位就下降，可见非孤立导体的电位不仅与它自己所带电量的多少有关，还取决于周围其他导体的相对位置。 电容器 如果带电导体A被一封闭导体空腔B所包围，则因空腔的屏蔽作用，AB之间的电位差不受腔外带电体的影响，A所带的电量同A及B的电位差成比例。 实际上，腔体封密的限制并不太高，即使A、B二导体为间距不大的一对导体板(同轴圆柱或平行平面板)，如果QA为导体A上与导体B相对的侧面上的电量，则上述比例关系仍保持不变。这对互相绝缘的导体构成电容器，这对导体则称为电容器的一对极板。 把电压U接到电容器的一对极板上,它们得到大小相等、符号相反的电荷±Q，电位差UA-UB=U,则定义电容器的电容为C＝Q/U。电容是电容器的特性常数，取决于两导体的形状、大小、相对位置；当导体间充有绝缘材料时，电容器的电容还与绝缘材料的相对电容率εr有关。如果εr与电场强度有关，则电容C将随所加电压U而变化，这种电容器叫做非线性电容器。 电容的倒数1/C＝U/Q＝S叫做倒电容。 简单电容器的电容公式 如表。 电容器的并联和串联 n个电容器并联如图a，它们的电压都等于u,充有的电荷分别为q1、q2、...、qn。此并联组合得到的总电荷 q＝，则 C＝，即并联电容器组的总电容等于各电容的总和。 n个电容器串联如图b，它们充有相等的电荷q, 电压则分别为u1、u2、...、un。此串联组合的总电压u=，则S =,即串联电容器的总倒电容等于各倒电容的总和。 电容器的性能参数和用途 电容是电容器的主要性能参数之一。此外,实际电容器的性能参数还有耐压(或工作电压)、损耗和频率响应,它们分别取决于所充电介质的击穿场强、媒质损耗和对频率的响应。 实际电容器的种类繁多，用途各异。大型的电力电容器主要用于提高用电设备的功率因数，以减少输电损失和充分发挥电力设备的效率。电子学中广泛采用电容器，以提供交流旁路稳定电压，用作级间交流耦合，以及用作滤波器、移相器、振荡器等等。
