1)HBT异质结双极型晶体管
1.SiGe HBT Class AB Power Amplifier for Wireless Communications;用于无线通信的SiGe异质结双极型晶体管AB类功率放大器(英文)
2.Frequency performance is the first key factor in the design of heterojunction bipolar transistor(HBT),fTand fmax are the main frequency parameters.频率特性是异质结双极型晶体管(HBT)设计中应首先考虑的因素,而fT,fmax则是HBT最主要的频率性能指标。
3.An InP-based single-heterojunction bipolar transistor(SHBT)with base μ-bridge and emitter air-bridge is reported.报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT)。
英文短句/例句
1.heterojunction bipolar transistor异质结双极型晶体管
2.SiGe Heterojunction Bipolar Transistor (SiGe HBT) Research and Design;SiGe异质结双极晶体管（SiGe HBT）研究与设计
3.Study on ESD of InGaP Heterojunction Bipolar TransistorsInGaP异质结双极晶体管ESD特性研究
4.A physical-model of small-signal InP-based double heterojunction bipolar transistors and its parameter extraction technique一种InP双异质结双极晶体管小信号物理模型及其提取方法
5.Status of InP/GaAsSb/InP Double Heterojunction Bipolar Transistors TechnologyInP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ)
6.The DFM of Ultrahigh SiGe HBT;超高频SiGe异质结双极晶体管的可制造性设计
7.Simulation, Design and Fabrication of GaAs-based Heterostructure Bipolar Transistor;GaAs基异质结双极晶体管（HBT）的模拟、设计与制作
8.Experimental Research on Reliability of GeSi/Si Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs);GeSi/Si异质结双极晶体管（HBT）可靠性实验研究
9.The Study and Design of High Frequency Power SiGe Heterojunction Bipolar Transistors(HBTs);高频功率SiGe异质结双极晶体管（HBTs）的研究与设计
10.The Study of SiGe Heterojunction Bipolar Transistors and its Integrated Circuits;SiGe异质结双极晶体管及其集成电路的研究
11.The Research of Base Dopant Outdiffusion and Setback Layers in SiGe Microwave Heterojunction Bipolar Transistor(HBT);SiGe微波异质结双极晶体管中基区杂质外扩及阻挡层的研究
12.Experimental Research on Reliability of Si/SiGe/Si Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) under Thermal and Electrical Stress;热电应力下Si/SiGe/Si异质结双极晶体管（HBTs）可靠性实验研究
13.double heterojunction laser diode双异质结激光二极管
14.monorail double heterojunction diode单轨双异质结二极管
15.The Convergence Characteristic of the Forward I-V Characteristic Curves of Emitter-base Junction of Bipolar Junction Transistor;双极结型晶体管发射结正向I-V特性曲线的汇聚特性
16.Measuring methods for insulated-gate bipolar transistorGB/T17007-1997绝缘栅双极型晶体管测试方法
17.Effects of Stress on Bipolar Transistor Performance Parameters应力对双极型晶体管参数性能的影响
18.A Study of the Structure and the Performance of Microwave Silicon Bipolar Transistor Using for MMIC and Its Process Development用于MMIC硅基双极型高频微波晶体管结构、性能研究及工艺开发
相关短句/例句
Heterojunction bipolar transistor异质结双极型晶体管
3)HBT (heterojunction bipolar transistor)HBT(异质结双极型晶体管)
4)single-heterojunction bipolar transistor(SHBT)单异质结双极型晶体管
5)heterojunction bipolar transisters(HBT)异质结双极型晶体管(HBT)
6)double heterojunction bipolar transistor双异质结双极晶体管
1.We report the performance of the first self-aligned InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistor (DHBT) produced in China.报道了一种自对准InP/InGaAs双异质结双极晶体管的器件性能。
延伸阅读
异质结双极型晶体管 发射区、基区和收集区由禁带宽度不同的材料制成的晶体管。W.B.肖克莱于1951年提出这种晶体管的概念。70年代中期，在解决了砷化镓的外延生长问题之后，这种晶体管才得到较快的发展。最初称为"宽发射区"晶体管。其主要特点是发射区材料的禁带宽度EgB大于基区材料的禁带宽度EgE（图1）。图中 N代表能带宽的区域。从发射区向基区注入的电子流 Ip和反向注入的空穴流Ip所克服的位垒高度是不同的,二者之差为墹Eg＝EgE-EgB,因而空穴的注入受到极大抑制。发射极效率主要由禁带宽度差墹Eg决定，几乎不受掺杂比的限制。这就大大地增加了晶体管设计的灵活性。 图2为典型的NPN台面型GaAlAs/GaAs异质结晶体管的结构和杂质剖面图。这种"反常"的杂质剖面能大幅度地减小发射结电容（低发射区浓度）和基区电阻（高基区浓度）。最上方的N+－GaAs顶层用来减小接触电阻。这种晶体管的主要电参数水平已达到：电流增益hfe1000,击穿电压BV120伏，特征频率fT15吉赫。它的另一些优点是开关速度快、工作温度范围宽(-269～+350)。 除了NPN型GaAs宽发射区管外，还有双异质结NPN型GaAs管、以金属做收集区的NPM型GaAs和PNP型GaAs管等。另一类重要的异质结晶体管是 NPN型InGaAsP／InP管。InGaAsP具有比GaAs更高的电子迁移率,并且在光纤通信中有重要应用。异质结晶体管适于作微波晶体管、高速开关管和光电晶体管。已试制出相应的高速数字电路(I2L)和单片光电集成电路。
