金属氧化物半导体场效应晶体管,MOSFET
1)MOSFET['m?sfet]金属氧化物半导体场效应晶体管
1.A novel SiC Schottky Barrier Source/Drain Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (SiC SBSD-MOSFET) is proposed in this dissertation.本文提出了一种新型SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构——SiC肖特基势垒源漏MOSFET。
英文短句/例句

1.MOSFET (metallic oxide semiconductor field effecttransistor)金属氧化物半导体场效应晶体管
2.read-write MOSFET读写金属氧化物半导体场效应晶体管
3.Non-Gaussianity of noise in n-type metal oxide semiconductor field effect transistorn型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究
4.metal-nitride-oxide-semiconductor field effect transistor金属－氮化物－氧化物－半导体场效应晶体管
5.MAGFET (Magnetic Metal-Oxide-semiconductor Type Field Effect Transistor)磁性金属氧化物半导体型场效应晶体管
6.metal oxide semiconductor transistor金属—氧化物—半导体晶体管金属氧化物半导体晶体管
7.mnos transistor金属氮化物氧化物半导体晶体管
8.conductor insulator semiconductor fet金属绝缘体半导体场效应晶体管
9.MOST (Metal-Oxide-Semiconductor Transistor)金属-氧化物半导体晶体管
10.floating gate transistor浮栅金属氧化物半导体晶体管
11.pmos transistorp 沟道金属氧化物半导体晶体管
12.high voltage most高压金属氧化物半导体晶体管
13.vertical mos transistor垂直型金属氧化物半导体晶体管
14.mos insulated gate transistor绝缘栅金属氧化物半导体晶体管
15.v groove mos transistorv 槽型栅金属氧化物半导体晶体管
16.double diffused mos transistor双扩散金属氧化物半导体晶体管
17.grooved gate mos transistorv 型栅金属氧化物半导体晶体管
18.single device mos gate单金属氧化物半导体晶体管式门电路
相关短句/例句

MOSFET['m?sfet]金属-氧化物-半导体场效应晶体管
1.An efficient,self-consistent method of Monte Carlo and Poisson equation is used to simulate the electrical characteristic of deep submicron metal-oxide-semiconductor field effect Transistor(MOSFET).用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法,对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管——MOSFET的电特性进行了模拟。
3)loss/metal oxide semiconductor field effect transistor损耗/金属氧化物半导体场效应晶体管
4)control/MOSFET控制/金属-氧化物-半导体-场效应晶体管
5)experiment/MOSFET实验/金属-氧化物-半导体场效应晶体管
6)simulation/MOSFET模拟/金属-氧化物-半导体场效应晶体管
延伸阅读

金属-氧化物-半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET）金属-氧化物-半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET）JFET和MESFET两种场效应管工作原理都是利用两个反偏pn结（或肖特基结）控制沟道电流。如不用pn结，而由栅极上的外加电压透过一层绝缘体对沟道电流进行控制，这种结构中栅极与沟道之间是绝缘的，绝缘层可以选用SiO2、Si3N4和Al2O3等，以使用SiO2最为普遍。在p型衬底上扩散两个n 型区，分别是漏极和源极。中间部分是金属-绝缘体-半导体组成的MOS电容结构，绝缘层上的金属电极称为栅极。栅极上不加电压时，源和漏极之间由其周围的结绝缘着，故不通导。当栅极加上电压，栅下氧化层中产生电场，其电力线由栅电极指向半导体表面，外加电压将在半导体表面产生表面感应电荷。随着栅极电压的增加，半导体表面将由耗尽而反型，产生电子积累，从而形成一个感生的n型表面薄层，因为其导电类型与衬底的导电类型相反，故称此表面薄层为反型层。反型层成为连接源、漏极的沟道。改变栅压，可改变沟道中电子密度，从而改变沟道电阻。若衬底是n型半导体，则可构成p型沟道的MOSFET。