1)Maskless无掩模
1.Implementation Methods for Amplitude Division Maskless Laser Interference Photolithography;振幅分割无掩模激光干涉光刻的实现方法
2.Implementation Methods for Wave-Front Division in Maskless Laser Interference Photolithography;波前分割无掩模激光干涉光刻的实现方法
英文短句/例句
1.Design of Maskless Lithography Image System Based on DMD;基于DMD的数字无掩模光刻成像系统设计
2.Proton beam writing of microstructures on Shanghai SPM system高能聚焦质子束无掩模刻写方法研究初步
3.The beam division method in maskless laser interference photolithography can be divided into wave-front division and amplitude division.无掩模激光干涉光刻中的分束方法一般有波前分割和振幅分割。
4.GPS Radio Occultation Technique and CHAMP Occultation Data Retrieval;无线电掩星技术与CHAMP掩星资料反演
5.Nothing can extenuate his base conduct.他的卑鄙行为无可掩饰。
6.Their left flank was left in the air.他们的左翼无掩护。
7.Night could not curtain his guilt.黑夜无法掩藏他的罪行。
8.mask programmable integration掩模可编程序集成电路
9.Hard surface photomask substratesGB/T15871-1995硬面光掩模基板
10.electron beam generated mask电子束技术制造的掩模
11.hard-surface in-contact mask表面坚固内接触掩模
12.electron beam mask generator电子束掩模图象发生器
13.mask program read-only memory掩模程序只读存储器
14.photoresist mask pattern光致抗蚀剂掩模图形
15.electron beam mask system电子束掩模制造系统
16.mask programmable memory掩模可编程序存储器
17.trench mask definition槽腐蚀用掩模图象形成
18.electron chrome mask电子束光刻用铬掩模
相关短句/例句
maskless无掩模的
3)maskless lithography无掩模光刻
1.The present and the problem of the maskless lithography wereintroduced.介绍了无掩模光刻技术的现状和存在的问题,并对几种常见的无掩模光刻技术进行了详细的对比分析。
2.Methods of zone plates array or photon sieves array maskless lithography are depicted.描述了波带片/多孔透镜阵列无掩模光刻方法,着重介绍了波带片的几何结构特点和衍射聚焦特性,研究了影响光刻分辨率的因素和使用位相型波带片代替振幅型波带片提高衍射效率的设计方法,讨论了高级衍射焦点对波带片的光刻对比度的影响及消除措施,表明了波带片光刻有光刻对比度和高光刻分辨率受限于最小结构尺寸两个技术难点。
3.Furthermore,EUV lithography,maskless lithography and nano-imprint lithography will become the main study topics for 22 nm and 16 nm.指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果特征尺寸缩小到22nm和16nm节点,EUV光刻、无掩模光刻以及纳米压印光刻等将成为未来发展的重要研究方向。
4)maskless etch无掩模腐蚀
5)zero defect mask无缺陷掩模
6)maskless process无掩模工艺
延伸阅读
光学掩模版分子式：CAS号：性质：在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并精确定位，以便用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构。
