1)Epilayer外延层
1.A Technique of Making Ohmic Contact with Cr and Au Plating Evaporated on the GaAs Epilayer;GaAs外延层蒸镀Cr和Au膜制作欧姆接触及分析
2.Epitaxial process,the key process,to buried-gate static induction device was studied,and methods for making high n-type resistance epilayer on low p-type resistance underlay were provided,the epitaxial square resistance was up to 40 000Ω/□.对电力埋栅型静电感应晶体管关键工艺外延进行了深入研究,提出了在低阻p型衬底上制备高阻n型外延层的工艺方法,使外延层的方块电阻达到40000Ω/□。
3.65 As/GaAs epilayer grown at low temperature (460℃).6 5As/ Ga As外延层形貌 。
英文短句/例句
1.Characterization of 4H-SiC Homoepitaxial layers4H-SiC同质外延层的质量表征
2.Method for Measuring Thickness of B-Doped p~+-Si Epitaxial Layer掺硼p~+-Si外延层厚度的测试方法
3.Measuring thickness of epitaxial layers of gallium arsenide by infrared interferenceGB/T8758-1988砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
4.Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon by etching techniquesGB/T14142-1993硅外延层晶体完整性检查方法腐蚀法
5.Study of Dislocation and Impurity in Sapphire and GaN;蓝宝石衬底与GaN外延层中缺陷与杂质的研究
6.Evaluation of Dislocation Densities in GaN Epilayers by Wet Chemical Etching湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度
7.Control of Epitaxial Layer Transition Region on Heavy As-Doped Substrate for Schottky Devices肖特基器件用重掺As衬底上外延层过渡区控制
8.Test method for stacking fault density of epitaxial layers of silicon by interference-contrast microscopyGB/T14145-1993硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法
9.Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectanceGB/T14847-1993重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
10.Silicon epitaxial layers--Determination of carrier concentration--Mercury probe Voltage-capacitance methodGB/T14146-1993硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法
11.Gallium arsenide epitaxial layer-Determination of carrier concentration-Voltage-capacitance methodGB/T11068-1989砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
12.It is shown that the epitaxial layers have flat interface of heterojunctions and good crystal quality.结果表明外延层具有平坦的异质结界面和良好的晶体特性。
13.Fabrication of SOI Material Using Epitaxial Layer Transfer of Porous Silicon and Luminescence Study of Modified Porous Silicon;多孔硅外延层转移SOI新材料制备与改性多孔硅发光性能的研究
14.Research on Side-Illuminated Vertical-Cavity RCE Photodiodes and Fabrication of Taper Structures with Angles on Epitaxial Layer for InP-Based Matarials;侧入射垂直腔RCE光探测器及InP基外延层楔型结构制备工艺的研究
15.The Buffer Layer of Al-doped 4H-SiCAl掺杂4H-SiC同质外延的缓冲层
16.Smoking delays the response to treatment in episcleritis and scleritis吸烟可延迟巩膜外层炎及巩膜炎对治疗的反应
17.Research on the Preparation of Bi_2Te_3 Nanometer Thin Films by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy;电化学原子层外延制备Bi_2Te_3纳米热电薄膜的研究
18.Heteroepitaxial Growth of InP on GaAs Using Low-temperature InGaP Buffer Layers with Graded Composition基于低温InGaP组分渐变缓冲层的InP/GaAs异质外延
相关短句/例句
Epitaxial layer外延层
1.17\} epitaxial layer with Ge composition grade buffer layer is grown at 600℃ by our cold\|wall ultrahigh vacuum chemical vapor deposition system (UHV/CVD).17外延层 ,并在其上获得了具有张应变的 Si盖帽层 。
3)silicon epilayer硅外延层
1.Sub-micron silicon epilayer deposited by a novel Ultrahigh Vacuum Chemical Deposition System and fabrication of high frequency device;UHV/CVD生长亚微米薄硅外延层及其高频器件研制
4)GaN epilayerGaN外延层
1.GaN epilayers were grown on Si substrates by reactive deposition in vacuum.采用真空反应法在硅基上制备出了GaN外延层。
5)GaAs epitaxial layerGaAs外延层
6)InP epi-layerInP外延层
延伸阅读
原子层外延原子层外延atomie layer ePitaxy 原子层外延atomie layer epitaxy把金属与非金属的两种不同气体原子或化合物分子分别交替地化学吸附在衬底上(每交替循环吸附一次即可生长一层单原子层)，不断地交替循环吸附，而生长出一定厚度外延膜的技术。简称ALE。是T.森托拉(S untola)发展起来的技术。 ALE的关键在于要形成化学吸附的化学键，它要一定的激活能，故反应温度要足够高。化学吸附只能吸附一层原子层，过多的原子碰撞在表面上只能形成物理吸附，在较高温度下很快地被蒸发掉。因此，原子层外延的生长厚度是“自控”的。化学吸附反应是不可逆的，但温度过高也会发生反蒸发并导致化学键断裂。生长速度还取决于压力、源材料、衬底材料、反应动力学及吹洗时间等。例如，源的分子大小与成分也会影响生长速度。元素Zn作源能达到单原子层生长，ZnC12在表面上的化学吸附所占的空间较大，Zn的表面密度比纯Zn小，因此需要2一3次交替吸附才能长成一个单原子层。衬底可用单晶与无定形衬底，在玻璃上能长出多晶与择优取向的晶体薄膜。 生长过程是在分子束外延、低压金属有机化合物气相沉积、化学束外延、金属有机化合物分子束外延与氢化物化学气相沉积等设备中进行的。但它们与ALE不同的是用2个或多个源同时喷射在衬底上，生长速度取决于束流的大小，而不是二次交替吸附所需的时间。 广泛地使用m一V族与n一VI族半导体化合物薄膜生长，也能生长金属氧化物与氮化物的薄膜。一般反应式为 AX(g)+(XY)二(s)一AX·(XY)二(s) BY(g)+AX·(XY)，札s)一(XY)二+1(s)+AB(g)即气体AX吸附在(XY“，晶体表面，气体BY吸附在AX表面上，经过反应放出AB气体，晶体(XY)，增加了一层。 此法的特点是膜厚均匀，可进行原子平面掺杂，可制成原子层厚度量级的超晶格与量子阱，可以消除晶格失配大的超晶格所产生的晶格弛豫。 ALE应用范围很广，可应用在集成电路、微波混合集成电路、密纹唱片、太阳反射器的上光涂层、光纤光学、半导体激光器、光伏电池、传感器、电荧光显示器等方面。(袁诗鑫)
