1)impurity content杂质含量
1.Mechanism of decreasing impurity content of Ta powder by induction plasma technology等离子体技术对钽粉杂质含量降低作用机制
英文短句/例句
1.Measurement of impurity inclusions in sulfur-doped diamond硫掺杂金刚石中杂质含量的表征与测定
2.Method for determination of foreign matter in oilseedsGB/T14488.2-1993油料种籽杂质含量测定法
3.Raw natural rubber--Determination of dirtGB/T8086-1987天然生胶杂质含量测定法
4.Determination of impurity in L-alanin by HPLCHPLC法测定L-丙氨酸中杂质含量
5.Study on the determination of the content of organic amine impurities in DMDAACDMDAAC中有机胺杂质含量测定方法研究
6.Study of Quantitative Analysis of Vanadium in SiC by Secondary Ion Mass Spectroscopy;二次离子质谱分析碳化硅中钒杂质含量的研究
7.Generally speaking a usable ore must be relatively rich in the compounds of the metal and low in unwanted impurities.总的说来．价值的矿石其金属含量应比较丰富，杂质含量应较低。
8.Mixed RE elements could improve the conductivity of pure aluminum with relatively high content of impurities, but had little effect on that with relatively low impurity content.混合稀土对杂质含量较高的纯铝的导电性有改善，对杂质含量低的纯铝的导电性基本不起作用。
9.Fruit and vegetable products-Determination of mineral impuritiesGB/T12294-1990水果、蔬菜制品矿物杂质含量的测定
10.Animal and vegetable oils and fats--Determination of insoluble impurities contentGB/T15688-1995动植物油脂中不溶性杂质含量的测定
11.The Synthesis of Optical Brightener DMS and the Measurement of the Triazines荧光增白剂DMS的合成及“三嗪”杂质含量的测定
12.Determination of Metal Impurities in RN Hydrotreating Catalyst by ICP-OESICP-OES方法测定RN型加氢催化剂中金属杂质含量
13.Mechanism of decreasing impurity content of Ta powder by induction plasma technology等离子体技术对钽粉杂质含量降低作用机制
14.Modal Analysis of Complicated Elastic Plate with Concentrated Mass;含集中质量的复杂域弹性板模态分析
15.Determination of Foreign Elements in Fe_2O_3 by ICP-AESICP-AES法测定氧化铁粉中杂质元素含量
16.A shale content definition method for complex sand reservoirs一种复杂砂岩储层泥质含量评价方法
17.Relative Study on the Main Trace Impurity in Fipronil氟虫腈所含主要微量杂质的相关研究
18.Note:Titanium content is the rest except of all impurities.注：钛含量由减量法减去表中杂质元素含量之和得到。
相关短句/例句
low impurity content低杂质含量
3)impurity content杂质含量<冶>
4)impurity content exceeding index杂质含量超标
5)Impurities in steel钢中杂质含量
6)foreign impurities杂质,含杂
延伸阅读
半导体材料中的杂质半导体材料中的杂质impurity in semiconductor material bandaotl eall旧0 zhong de zazh!半导体材料中的杂质(impurity in Semieon-duetor material)半导体晶格中存在的与其基体不同的其他化学元素原子。杂质的存在使严格按周期性排列的原子所产生的周期性势场受到破坏，这对半导体材料的性质产生决定性的影响。杂质元素在半导体材料中的行为取决于它在半导体材料中的状态，同一种杂质处于间隙态或代位态，其性质也会不同。电活性杂质在半导体材料的禁带中占有一个或几个位置作为杂质能级。按照杂质在半导体材料中的行为可分为施主杂质、受主杂质和电中性杂质。按照杂质电离能的大小可分为浅能级杂质和深能级杂质。浅能级杂质对半导体材料导电性质影响大，而深能级杂质对少数载流子的复合影响更显著。氧、氮、碳在半导体材料中的行为比较复杂，所起的作用与金属杂质不同，以硅和砷化稼为例叙述杂质的行为。 硅中的杂质主要有金属杂质和氧、碳。 金属杂质分为浅能级杂质和深能级杂质。l族元素硼、铝、稼、锢和v族元素磷、砷、锑，它们在硅中的能级，位于导带底或价带顶的附近，电离能级小，极易离化，因此称为浅能级杂质。它们是硅中主要的电活性杂质。妞族元素起受主作用，v族元素起施主作用，常用作硅的掺杂剂。这两种性质相反的杂质，在硅中首先相互补偿，补偿后的净杂质量提供多数载流子浓度。 其他金属杂质，尤其是过渡元素(重金属)，如铜、银、金、铁、钻、镍、铬、锰、铂等，在硅中的能级位置一般远离导带底或价带顶，因此称为深能级杂质。它们在硅中扩散快，并起复合中心作用，严重影响少子寿命。它们本身可产生缺陷，并易与缺陷络合，恶化材料和器件的性能。除特殊用途外，重金属元素在硅中都是有害杂质。 镍、钻、铜、铁、锰、铬和银所造成的“雾”缺陷，按次序降低。铜和镍具有高的扩散系数和高的间隙溶解度，在“雾”缺陷形成中，它们会溶解、扩散并沉淀在硅中，而铁、铬、钻则在热处理中将留在硅的表面。 铿、钠、钾、镁、钙等碱金属和碱土金属离子，在电场作用下易在p一n结中淀积，使结退化，导致击穿蠕变，MOS闽电压漂移，沟道漏电，甚至反型。 锗是替位式杂质，电中性，能有效地消除氧化片滑移，增加硅的机械强度。 氧氧在硅中是间隙型杂质，分散在硅中的氧原子呈电中性。是硅中含量最多又极为重要的杂质。硅中氧主要来源于熔融硅与石英增涡的反应。
