1)GaAs/GaNGaAs/GaN薄膜
1.To achieve dual-band detection , we design a detector based on GaAs/GaN heterojunction.利用MBE技术制备了GaAs/GaN薄膜材料,并通过X射线衍射方法分析了GaAs/GaN薄膜的结晶质量。
英文短句/例句
1.Study of Structure and Optical Characteristics of GaAs/GaN Grown by Molecular Beam EpitaxyMBE生长GaAs/GaN薄膜结构与光学特性研究
2.Band Structure Design and Photoelectric Characteristics of GaAs/GaN Dual-Band Detect FilmGaAs/GaN双色探测薄膜结构设计与光电特性
3.The Synthesis of One-dimensional GaN Nanostructure and GaN Film by CVD;CVD法合成一维GaN纳米结构和GaN薄膜的研究
4.Preparation and Properties of One-dimension GaN Nanostructures and GaN Thin Films;一维GaN纳米结构和GaN薄膜的制备及其特性研究
5.Research of Electrodeposition Gallium Arsenide Thin Film Material;电共沉积法制备GaAs薄膜材料研究
6.A Study on Raman Spectrum of GaAs Nano-particles Embedded in SiO_2 Compound Films;SiO_2薄膜中GaAs纳米颗粒Raman光谱研究
7.Influences of depositing temperature on the microstructure of GaAs film沉积温度对GaAs薄膜微观结构的影响
8.Study on the Synthesis and Property of GaN Nanowires and Films;GaN纳米线和薄膜的制备及其特性研究
9.Deposition and Sn Doping of Amorphous GaN Thin Films at Low Temperature;非晶GaN薄膜低温沉积及其锡掺杂研究
10.Study of the Nitration Processing in GaN Growth and the Growth of GaMnN Film;GaN生长中氮化工艺及GaMnN薄膜生长研究
11.Growth and Property of AlInGaN Films and GaN-Based DBRsAlInGaN薄膜及GaN基DBR的生长和特性研究
12.Transmission Spectra of GaN and AlGaN FilmsGaN及AlGaN薄膜透射光谱的研究
13.Analysis of Surface Transformation State of Epitaxial GaN-Based Films by Using RHEED外延GaN基薄膜表面应变演变RHEED分析
14.GaN Semiconductor Thin Film Prepared by Chemical Vapor Deposition化学气相沉积GaN半导体薄膜的研究
15.Lateral epitaxial overgrowth GaN thin film with MOCVDMOCVD法横向外延过生长GaN薄膜
16.Characteristic Analysis and Preparation of GaN Film by Sol-gel MethodGaN薄膜的溶胶-凝胶法制备及其表征
17.The InSb Epitaxial Growth on GaAs Substrate by Molecular Beam Epitaxy and Its Structure and Properties;GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长及其结构与性能
18.Effect of Reconstructures on Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs;表面再构对GaAs分子束外延薄膜生长的影响
相关短句/例句
GaN filmGaN薄膜
1.Instantaneous relaxation of photoconductivity in GaN film grown on vicinal sapphire substrate by MBE;蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究
2.A new method to grow high quality GaN film by MOCVD;一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法
3.GaN films have been grown by LP-MOCVD on the sapphire substrate,which a half of it is treated by chemical etch.采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜。
3)GaN thin filmGaN薄膜
1.The research of laser treatment of GaN thin film;激光处理GaN薄膜的研究
2.It is helpful to achieve dense and well-crystallized GaN thin films with higher temperature and longer maintain time.结果表明:当沉积温度大于1100℃时,可在Si(111)基板表面上沉积微晶GaN薄膜;随沉积温度的升高,薄膜的结晶程度提高,取向性增强;延长保温时间有利于沉积更为致密而结晶良好的薄膜;薄膜的面电导率随外电场强度的增加而增加;在强电场作用下,电流密度与电场强度不再服从欧姆定律关系;PL谱分析表明所制备的薄膜具有463 nm、488。
4)nanocrystal GaN filmnc-GaN薄膜
5)GaN thin filmsGaN薄膜
1.The GaN thin films were grown on Si(111) substrate by Mg-doping simultaneously using a pulsed laser two-beam deposition system.采用脉冲激光双光束沉积系统在Si(111)衬底上生长了掺Mg的GaN薄膜和未掺杂GaN薄膜。
2.These defects can seriously affect the performance of GaN thin films, thus affecting the GaN-based devices.GaN基片的研究目前几乎全部集中在异质材料上外延生长的薄膜,其外延生长过程也不可避免的产生缺陷结构,这些缺陷结构会严重影响GaN薄膜的性能,从而影响各种GaN基器件的性能。
6)GaN filmsGaN薄膜
1.Thickness measurement of GaN films by X-ray diffraction;基于X射线衍射的GaN薄膜厚度的精确测量
2.GaN films have been grown on Si(111) substrates with a thin AlN buffer layer using a KrF excimer pulsed laser deposition(PLD) assisted by direct current discharge.采用准分子脉冲激光 ,在Si(111)衬底上生长了带有AlN缓冲层的GaN薄膜 ,利用X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM )和光致发光光谱 (PL)等测试手段研究了不同沉积温度所生长的GaN薄膜结构特征和光学性能 。
3.GaN films have been grown on sapphire substrate which is treated by chemical method with different etch time by LP-MOCVD.采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过不同腐蚀时间的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜。
延伸阅读
Ga镓元素中文名:镓 原子量：69.735 熔点：9.78c 原子序数：31元素英文名: gallium 价电子：4p1 沸点：2403c 核外电子排布: 2,8,18,3元素符号： ga 英文名： gallium 中文名： 镓相对原子质量： 69.72 常见化合价： +3 电负性： 1.8外围电子排布： 4s2 4p1 核外电子排布： 2,8,18,3同位素及放射线： ga-66[9.5h] ga-67[3.3d] ga-68[1.1h] *ga-69 ga-71 ga-72[14.1h]电子亲合和能： 48 kj·mol-1第一电离能： 577.6 kj·mol-1 第二电离能： 1817 kj·mol-1 第三电离能： 2745 kj·mol-1单质密度： 5.907 g/cm3 单质熔点： 29.78 ℃ 单质沸点： 2403.0 ℃原子半径： 1.81 埃 离子半径： 0.62(+3) 埃 共价半径： 1.26 埃常见化合物： gao ga2o ga2o3发现人： 布瓦博德朗 时间： 1875 地点： 法国名称由来：拉丁文：gallia（法国）。元素描述：柔软的蓝白色金属。元素来源：见于地壳中的铝土岩、锗石和煤炭等矿产中。元素用途：用于半导体工业，制造led（发光二极管）和砷化镓激光二极管。
