Si_ 1-xGe_xSi1-xGex
1.Strained Si_ 1-xGe_x and Si materials are successfully grown on Si substrate by ultraviolet light chemical vapor deposition under ultrahigh vacuum at a low substrate temperature of 450℃ and 480℃,respectively.应用紫外光化学气相淀积技术在450和480℃超高真空的背景下在Si衬底上分别生长出应变Si1-xGex和Si材料。
3)Si1-xCx alloySi1-xCx合金
4)Si 1-x Ge x materialSi1-xGex材料
5)Si /Si1-xGex HEMTSi/Si1-xGex HEMT
6)Si_1-xGe_x alloySi1-xGex合金
1.Ab initio total-energy calculations were used to investigate the behaviors of C_iC_s and C_iO_i defects in Si and Si_1-xGe_x alloys.采用从头计算(abinitio)的方法对Si和Si1-xGex合金半导体材料中CiCs缺陷的性质进行探讨,同时也对比调查了CiOi缺陷在Si和Si1-xGex合金中的性质。
延伸阅读
Al-Si cast aluminium alloy分子式：CAS号：性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。
