1)Static physical compensator静态物理补偿器
英文短句/例句
1.Dosimetric Verification of the Static Physical Compensator Intensity-modulated Radiotherapy静态物理补偿器调强放射治疗的剂量验证
2.Study of Static Synchronous Compensators (STATCOM) and Harmonic Elimination;静止同步补偿器（STATCOM）和谐波治理的研究
3.Principle and Simulation of the Static Phase Advancer for Reactive Power Compensation静止进相器无功补偿原理及其仿真研究
4.Research on Theories and Technologies of Distribution Static Synchronous Compensator (D-STATCOM);配电网静止同步补偿器（D-STATCOM）的理论与技术研究
5.Research and analysis of static synchronous compensator principle and performance静止同步补偿器(STATCOM)原理及性能分析研究
6.Study on Electromechanical and Electromagnetic Transient Performance of Static Synchronous Series Compensator;静态同步串联补偿器机电暂态及电磁暂态特性研究
7.Electromechanical and Electromagnetic Hybrid Simulation for Power System with Static Var Compensator;含静止无功补偿器电力系统机电暂态和电磁暂态混合仿真
8.Optimal Dynamic Hierarchical Control of the STATCOM DC Side Voltage静止同步补偿器直流侧电压的最优动态分级控制
9.High Voltage Static Var Reactive Power Compensator Using Shunt Magnetically Controllable Reactor采用磁控电抗器的静止型高压动态无功补偿装置
10.Novel Sinusoidal Pulse Width Modulation Controlled Voltage Source Converter Dynamic Static Var Compensator新型正弦脉宽调制控制电压源型动态静止无功补偿器
11.A PLL-dependent piezoelectric transducer frequency tracking technique based on static capacitance compensation基于静态电容补偿的压电换能器锁相环频率跟踪
12.Comprehensive optimization of static/dynamic reactive power for receiving-end network受端电网静态/动态无功补偿综合优化
13.Study of Distribution Static Synchronous Compensator Controller;配电网静止同步补偿器控制器的研究
14.The Theory and Application Research of STATCOM Based on Intelligent Integrated Control;基于智能集成控制的同步静止补偿器理论和应用研究
15.Static Var Compensator Control System Based on Instantaneous Reactive Power Theory and U-I Characteristic and Its Application基于瞬时无功理论与伏安特性的静止无功补偿器控制系统及应用
16.Development of Static Synchronous Compensator Based on Direct-Current Control;直接电流控制的静止同步补偿器研究
17.Research of New Type Static Synchronous Compensator-STATCOM;新型静止同步补偿器STATCOM的研究
18.Research of Low-Voltage Static Synchronous Compensator Based on DSP基于DSP低压静止同步补偿器的研究
相关短句/例句
static compensator静态补偿器
3)STATCOM静态同步补偿器
1.STATCOM WITH THE STRUCTURE OF MAIN-AUXILIARY INVERTER;采用主从型逆变器结构的静态同步补偿器
2.MEASURMET AND ANALYSIS OF RADIATED EMISSIONS GENERATED BY A STATCOM-BASED SUBSTATION;基于静态同步补偿器的变电站中电磁辐射测试分析
3.As the broad application of multilevel inverters in high-power area, a cascaded multilevel (voltage-source) inverter with phase-shifted SPWM (PSSPWM) switching scheme is proposed to be used as a static synchronous compensator (STATCOM), which can eliminate the bulky and weighty transformers and reduce power loss.随着多电平变换器在高压大功率方面的广泛应用,针对目前静态同步补偿器(STATCOM)存在的问题,提出了将级联多电平逆变器作为STATCOM的主拓扑,运用相移SPWM(PSSPWM)进行调制的解决方案,该方案既能省去庞大笨重的变压器,减小功耗;还可以成倍提高等效载波频率,降低输出谐波含量。
4)SVC静态无功补偿器
1.The electromagnetic compatible environments in substations installed with new SVC devices need to be re-evaluated, to provide sufficient immunity measures.安装新型静态无功补偿器(SVC)的变电站,其电磁兼容环境需要重新评估,以提出足够的电磁抗扰性措施。
2.Based on the dynamic switching characteristics of the thyristors,a simulation methodology is established to investigate the high-frequency conducted interference derived from SVC (Static Var Compensator) devices.为分析和预测由静态无功补偿器(SVC)产生的高频传导电磁干扰,基于晶闸管的动态开关特性,给出了SVC传导干扰仿真的建模方法,它以非线性时变电阻作为晶闸管宏模型的内核,建立含有晶闸管控制电抗器(TCR)支路与晶闸管开关电容器(TSC)支路的SVC仿真模型。
3.With regard to a FC-TCR type SVC installation used for the rolling mills system,dynamic simulation models were established based on the Matlab SimPower Systems Blocksets to study the induced electromagnetic emissions.针对用于轧钢机负荷的一套晶闸管控制电抗器型静态无功补偿器(SVC),基于Matlab软件系统建立了其动态仿真模型,以定量分析和预测电磁骚扰情况。
5)static compensation静态补偿
6)static synchronous series compensator (SSSC)静态同步串联补偿器(SSSC)
延伸阅读
金属-氧化物-半导体静态随机存储器 具有静态存储信息功能的MOS随机存储器,其存储单元的核心部分是双稳电路。只要电源不断，在单元内的信息便能长期保存，不需要对所存储的信息作周期性的刷新。 原理 图1是由 6个MOS晶体管组成的一位静态存储单元。由增强型和耗尽型 MOS晶体管T1～T4连接成双稳态电路，T5和T6组成向单元存信息或取信息的控制门。由输入地址信号经译码后而选出相应的静态存储单元。为了把存储在单元中的信号写入和读出，还必须配有一套静态读出和写入电路(读写电路)，以及功能控制电路。因此,MOS静态随机存储器在结构上主要包括存储单元阵列、地址缓冲译码器、读出和写入电路（读写电路），以及读出和写入控制电路（读写控制电路）四个部分（图2）。 地址译码按单元阵列的矩形排列，分成X和Y两个方向。Ax、Ay分别表示X和Y地址,为片选信号,为读入和写出控制信号,I/O为输入-输出端。的低电平为选中，高电平为未选(维持态)。的低电平为写入,高电平为读出。 在一个读操作周期(图3)内，为低电平(选中),为高电平（读操作）。当地址Ai输入后,被选中的单元就会在输入-输出端读出存储的数字 D0。从Ai输入到D0读出有一个响应的时间过程，这决定于读出过程中各部分电路延迟时间的总和，即图中的,称为电路的地址取数时间。越短,表示电路的速度越快。 应用 MOS静态随机存储器使用时不需要刷新,故比动态存储器使用方便，已大量应用于微处理器和其他小型数字控制设备。在使用中为了减少电路片数目，在电路结构方面一般采用多位输入-输出形式。例如,四位结构用1k×4，八位结构用2k×8。另外，为了减少管壳的引出端数，通常把输入端和输出端合并为一个端(I/O)，由读写控制器控制，按时分别执行输入(写)、输出(读)，以及维持（即不读、不写）等三种功能。 发展 微处理机技术的发展，促进了 MOS静态随机存储器的研制。同时，随着MOS工艺技术的进步,在集成度、功耗和速度等主要性能指标方面提高得很快。集成度从1k×4、2k×8已发展到8k×8。为了降低功耗,设计和工艺也得到改进。特别是采用了高阻多晶硅负载单元及CMOS单元，使每一单元的功耗下降到微瓦量级。速度的提高主要是由于MOS短沟道技术的发展,以及在读出电路中采用限摆幅等电路技术，使取数时间大大加快。例如，采用小于2微米沟道的高性能MOS静态随机存储器件，取数时间可达30～40纳秒。这样的速度已经接近双极型随机存储器的水平。
