1)piezoresistive pressure sensor压阻式压力传感器
1.On-line comprehensive compensation of piezoresistive pressure sensor;压阻式压力传感器的在线综合补偿
2.A technology of digital compensation based on MAX1457 was put forward to compensate the thermal errors and non-linearity of piezoresistive pressure sensor according to their characteristics,and the method was used to many piezoresistive pressure sensors.根据压阻式压力传感器温度误差分析,提出了基于MAX1457芯片的数字补偿技术,对温度误差进行补偿,并运用到多个压阻式压力传感器上,在特定的温度允许下进行补偿。
3.In this paper,principle of piezoresistive pressure sensor s is analyzed briefly.分析压阻式压力传感器的工作原理,针对压阻式压力传感器输出电压受温度影响较大的特点,讨论了一种基于数据融合的温度误差补偿方法。
英文短句/例句
1.Research on Analysis Model of Silicon X_piezoresistive Pressure Sensors;X型硅压阻式压力传感器的解析模型研究
2.Compensation Technology for Thermal Errors of Piezoresistive Pressure Sensor and the Construction of Virtual Instruments;压阻式压力传感器的温度误差补偿技术及虚拟仪器的组建
3.The design and developed to the calibration instrument of a piezoresistive pressure sensor base on LabVIEW基于虚拟仪器的压阻式压力传感器校准系统的设计开发
4.Abstract: A pressure sensor which can cancel thermal zero shift is described.文摘:提出一种可消除热零点漂移的压阻式压力传感器。
5.A pressure sensor which can cancel thermal zero shift is described.提出一种可消除热零点漂移的压阻式压力传感器。
6.piezoresistive acceleration transducer压阻式加速度传感器
7.(resistance)strain gauge drawing force and compression force transducer（电阻）应变式拉压力传感器
8.Study on MEMS Piezo-resistance 3-D Micro-tactile Force SensorMEMS压阻式三维微触觉力传感器的研究
9.A Study on Factors Affecting Miniaturization of Piezoresistive Pressure Sensors压阻式微型压力传感器微型化限制因素的研究
10.transverse voltage type piezoresistive pressure transducer横向电压型压敏电阻压力传感器
11.potentiometer type pressure transducer电位器式压力传感器
12.Silicon Micro-pressure sensor based on Meso-piezoresistance介观压阻型硅微压力传感器仿真分析
13.adjustable capacitance pressure transducer可变电容式压力传感器
14.strain-gauge-type pressure transducer应变仪式压力传感器
15.surface acoustic wave pressure transducer表面声波式压力传感器
16.strain gauge pressure transducer应变（计）式压力传感器
17.e acoustic wave pressure sensor声表面波式压力传感器
18.inductance type pressure transducer差动变压器式压力传感器
相关短句/例句
piezoresistive force sensor压阻式力传感器
1.Measuring the liquid surface tension coefficient by piezoresistive force sensor can change the traditional measuring method and achieve nonelectric testing.利用硅压阻式力传感器测量液体的表面张力系数,改变了传统测量微小拉力的方法,实现了非电量的电测。
3)Si piezoresistive sensor硅压阻式压力传感器
1.The temperature property of semiconductor makes zero and sensitivity of Si piezoresistive sensor drifts with tempera-ture.针对硅压阻式压力传感器这一"弱点",介绍一种基于压力芯片的惠斯顿电桥建立外接电阻补偿网络的数学模型,利用MatLab优化工具箱提供的优化方法构建算法,对补偿电阻求解,实现对温度漂移的补偿。
2.The temperature property of semiconductor makes zero and sensitivity of Si piezoresistive sensor drifts with tempera- ture.针对硅压阻式压力传感器这一“弱点”,介绍一种基于压力芯片的惠斯顿电桥建立外接电阻补偿网络的数学模型,利用 MatLab 优化工具箱提供的优化方法构建算法,对补偿电阻求解,实现对温度漂移的补偿。
4)micro piezoresistive pressure sensor微型压阻式压力传感器
1.In the design of an application-oriented sensing structure of a certain micro piezoresistive pressure sensor,we encountered some technical difficulties,whose solution can not,to our knowledge,be found in the open literature.文中响应时间曲线表明:所设计的微型压阻式压力传感器响应速度快,稳定时间仅为1。
5)Si-resistance-strain gauge硅压阻式力敏传感器
1.The surface tension coefficient of water and alcohol experiment is conducted by using Si-resistance-strain gauge and ringlike slice.通过用万能试验机的加载部分对试件加力来进行材料的拉伸实验,用硅压阻式力敏传感器及环状吊片来进行液体表面张力系数的测定的实验,分析、比较了塑性固体材料和液体在拉伸过程中的共同点。
6)piezoresistive micro force sensor压阻式微力传感器
延伸阅读
固态压阻压力传感器应用指南半导体单晶硅材料在受到外力作用，产生肉眼根本察觉不到的极微小应变时，其原子结构内部的电子能级状态发生变化，从而导致其电阻率剧烈的变化，由其材料制成的电阻也就出现极大变化，这种物理效应叫压阻效应。人类是在本世纪五十年代才开始发现和研究这一效应的应用价值的。利用压阻效应原理，采用三维集成电路工艺技术及一些专用特殊工艺，在单晶硅片上的特定晶向，制成应变电阻构成的惠斯顿检测电桥，并同时利用硅的弹性力学特性，在同一硅片上进行特殊的机械加工，集应力敏感与力电转换检测于一体的这种力学量传感器，称为固态压阻传感器。以气、液体压强为检测对象的则称为固态压阻压力传感器，它诞生于六十年代末期。显然，它较之传统的膜合电位计式，力平衡式，变电感式，变电容式，金属应变片式及半导体应变片式传感器技术上先进得多，目前仍是压力测量领域最新一代传感器。由于各自的特点及局限性，它虽然不能全面取代上述各种力学量传感器，但是，从八十年代中期以后，在美，日，欧传感器市场上，它已是压力传感器中执牛耳的品种，并与压电式几乎平分了加速度传感器的国际市场。 主要特点： 1. 灵敏度高 硅应变电阻的灵敏因子比金属应变片高50～100倍，故相应的传感器灵敏度很高，一般满量程输出为100mv左右。因此对接口电路无特殊要求，应用成本相应较低。由于它是一种非机械结构传感器，因而分辨率极高，国外称之无限，即主要受限于外界的检测读出仪表限制及噪声干扰限制，一般均可达传感器满量程的十万分之一以下。硅压阻传感器在零点附近的低量程段无死区，且线性优良。 2. 精度高 由于固态压阻压力传感器的感受，敏感转换和检测三部分由同一个元件实现，没有中间转换环节，所以不重复性和迟滞误差极小。同时由于硅单晶本身刚度很大，形变很小，保证了良好的线性，因此综合静态精度很高。 3. 体积小、重量轻、动态频响高 由于芯体采用集成工艺，又无传动部件，因此体积小，重量轻。小尺寸芯片加上硅极高的弹性模数，敏感元件的固有频率很高。在动态应用时，动态精度高，使用频带宽，合理选择设计传感器外型，使用带宽可以从零频至100千赫兹。 4. 性能稳定、可靠性高 由于工作弹性形变低至微应变数量级，弹性薄膜最大位移在亚微米数量级，因而无磨损、无疲劳、无老化。寿命长达107压力循环次以上。
