一种速生樱花冬季林下育苗方法与流程

文档序号:11780699阅读:672来源:国知局
一种速生樱花冬季林下育苗方法与流程

本发明涉及一种观赏植物的育苗方法,具体地说涉及一种速生樱花的育苗方法。



背景技术:

樱花是世界著名的早春观赏花木之一,隶属于蔷薇科(Rosaceae)李亚科(Prunusoidea)樱属(Cerasus),落叶乔木,品种繁多,栽培历史悠久,花形美丽,花期整齐,在公园、学校、街道、庭院等绿化中广泛应用,宜丛植、群植或片植成风景林,也可孤植做独赏树,或列植做行道树,是优良的观赏植物、蜜源植物和引鸟植物。樱花在我国大部分地区因生长良好而得到广泛栽植,从上世纪七八十年代开始引种栽培,经过三十多年的发展,目前我国樱花产业发展迅速,主要以种植重瓣晚樱为主,种植分散;速生樱花是染井吉野樱的变种,具有一般樱花的喜光、耐寒、抗旱、略耐阴,但不喜低湿和土壤粘重之地,适应性较强,成活率高,管理简单等共性,同时具有生长速度快、抗病性好、单瓣早花且花色美丽等特点,有别于国内目前普遍种植的重瓣晚樱品种。因此,加快育苗速度,实现规模化育苗,以节省工节本,缓解速生樱花苗木短缺,具有重要的意义。



技术实现要素:

针对现阶段速生樱花春季和夏季育苗难,费时费工等不足,本发明旨在提供一种速生樱花育苗新方法,为城市道路和公园绿化美化,改善城市人居环境,发展园林产业提供一条快速育苗的新途径。

一种速生樱花冬季林下育苗方法,包括如下步骤:

(1)种苗选择:选择基部直径0.8-1.0cm的一年生枝条作为插穗;

(2)苗床地选择:选择林下土壤疏松,有机质和腐殖质含量高的土地,最好是当年苗木移走的空地作为苗床地;

(3)苗床准备:包括清理苗床、翻地、整地、基质使用、施肥、铺电热丝和铺河沙;

(4)苗床增温设计和温度监控:苗床电热丝安装自动温控装置,白天控制温度在30-35℃,夜晚控制在16-18℃;

(5)插穗准备:包括修剪插条和插条分级;

(6)插穗处理:使用培育壮苗和促进生根的药剂处理;

(7)扦插:冬季林下扦插顶部插条行距5cm,株距3cm,扦插深度6-8cm左右,确保插条插入河沙下的土壤,扦插后用手压实插条周围的河沙,保证插条和土壤接触紧密,确保插条上部1-2个芽露出地面;

(8)浇水和覆盖:扦插后覆盖上稻草,然后浇一次透水,防止水分蒸发后土壤水分分布不均,然后在大棚里盖上小弓棚;

(9)苗床管理:白天小拱棚里温度控制在30-35℃之间,晚上控制在16-18℃之间,苗床表面河沙相对湿度控制在70%以上。

优选地,所述步骤(1)包括春季在田间选取开花繁茂的速生樱花树木作为母树,做好标志,在11月剪取当年生的枝条。

优选地,所述步骤(3)包括在扦插前7-10d,清除地上杂物,每个标准苗床的宽为1.3-1.5m,长为20m,翻挖深度为15-20cm,土壤耧碎后,移出8-10cm深的表土,将苗床底部划平,铺上电热丝,移出的土壤与200kg基质以及2.5kg的N、P和K含量为17%的硫铵复合肥充分拌匀后均匀地铺在苗床上,最后在土壤上面铺上2-3cm厚的河沙。

优选地,所述步骤(5)包括11月在春季标志的速生樱花树上剪下基部直径0.3-0.5cm的枝条,将枝条剪成10-15cm长的插穗,用快刀平切,保持切口整齐,每个插条上保留3-5个芽,将顶部插条和基部插条分开扦插,根据不同的粗度适当分类,分开扦插,便于苗床管理。

优选地,所述步骤(6)包括使用100mg/L IAA和100mg/L IBA混合溶液浸速生樱花插条基部2小时。

优选地,所述步骤(9)中每隔5-7天检查一次土壤水分,保证表面河沙相对湿度70%以上;如需补水,应在晴天午后打开小弓棚将水均匀喷洒在稻草的表面上。

本发明的有益效果:

(1)扦插密度高,可以充分提高苗床育苗效率,正常春季育苗密度为行距10-15cm,株距8-10cm,而本发明的密度为行距5cm,株距3cm,可以提高5倍以上。

(2)可以减少管理用工,冬季温度低,苗床温度控制可以充分依赖温控智能设备,春夏季节育苗,苗床温度高,插穗容易高温灼伤,苗床温度需要严格监管,温度调节费时费工;夏季土壤蒸发量高,育苗需要不定期的补充水分,而冬季育苗基本不需要补充水分。

(3)本发明冬季林下育苗成活率高,生根成活率可以达到90%以上,夏季扦插成活率一般在50%-80%。

(4)本发明可以提前苗木出圃时间,扦插后在春季到来之前即可生根发芽,揭膜炼苗,在适宜苗木生长时可以让苗木快速生长,提前出圃。

附图说明

图1为本发明苗床增温设计示意图;

图2为本发明使用的插条图片;

图3为本发明插条生根后的图片;

图4为本发明进行育苗的苗床图片;

其中,1-苗床,2-电热丝,3-电源,4-自动温控装置。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施例对本发明做详细的说明

实施例1

一种速生樱花冬季林下育苗方法,包括如下步骤:

(1)种苗选择:春季在田间选取开花繁茂的速生樱花树木作为母树,做好标志,在11月初剪取当年生的基部直径为0.8-1.0cm的枝条。

(2)苗床地选择:选择林下土壤疏松,有机质和腐殖质含量高的土地,最好是当年苗木移走的空地作为苗床地;

(3)苗床准备:在扦插前7-10d,清除地上落叶、石块和树根等杂物,每个标准苗床做成宽1.3m,长20m,翻挖深度16cm,土壤耧碎后,移出8cm深的表土,将苗床底部划平,铺上电热丝,移出的土壤与200kg基质以及2.5kgN/P/K含量为17%的硫铵复合肥充分拌匀后均匀的铺在苗床上,最后在土壤上面铺上2cm厚的河沙;

(4)苗床增温设计和温度监控:苗床电热丝安装自动温控装置,白天控制温度在31℃,夜晚控制在16℃;

(5)插穗准备:11月初在春季标志的速生樱花树上剪下基部直径0.3-0.5cm的枝条,将枝条剪成13cm长的插穗,用快刀平切,保持切口整齐,每个插条上保留3个芽,将顶部插条和基部插条分开扦插,根据不同的粗度适当分类,分开扦插,便于苗床管理;

(6)插穗处理:使用100mg/L IAA和100mg/L IBA混合溶液浸速生樱花插条基部2小时,可以促进速生樱花插条的生根和生长;

(7)扦插:由于冬季速生樱花插条没有叶片,冬季林下扦插顶部插条行距5cm,株距3cm,扦插深度6cm,中下部插条较粗,株行距适当放大,确保插条插入河沙下的土壤,扦插后用手压实插条周围的河沙,保证插条和土壤接触紧密,确保插条上部1-2个芽露出地面;

(8)浇水和覆盖:扦插后覆盖上稻草,然后浇一次透水,防止水分蒸发后土壤水分分布不均,然后在大棚里盖上小弓棚;

(9)苗床管理:白天小拱棚里温度控制在31℃之间,晚上控制在16℃之间,苗床表面河沙相对湿度控制在75%。除非河沙比较干燥,一般不建议浇水,如果需要浇水,建议在大棚里放置水箱,晴天午后打开小弓棚将水均匀喷洒在稻草的表面。

采用该方法育苗成活率高,生根成活率92%以上。

实施例2

一种速生樱花冬季林下育苗方法,包括如下步骤:

(1)种苗选择:春季在田间选取开花繁茂的速生樱花树木作为母树,做好标志,在11月初剪取当年生的基部直径为0.8-1.0cm的枝条。

(2)苗床地选择:选择林下土壤疏松,有机质和腐殖质含量高的土地,最好是当年苗木移走的空地作为苗床地;

(3)苗床准备:在扦插前10d,清除地上落叶、石块和树根等杂物,每个标准苗床做成宽1.4m,长20m,翻挖深度17cm,土壤耧碎后,移出9cm深的表土,将苗床底部划平,铺上电热丝,移出的土壤与200kg基质以及2.5kgN/P/K含量为17%的硫铵复合肥充分拌匀后均匀的铺在苗床上,最后在土壤上面铺上3cm厚的河沙;

(4)苗床增温设计和温度监控:苗床电热丝安装自动温控装置,白天控制温度在33℃,夜晚控制在17℃;

(5)插穗准备:11月初在春季标志的速生樱花树上剪下基部直径0.3-0.5cm的枝条,将枝条剪成15cm长的插穗,用快刀平切,保持切口整齐,每个插条上保留3个芽,将顶部插条和基部插条分开扦插,根据不同的粗度适当分类,分开扦插,便于苗床管理;

(6)插穗处理:使用100mg/L IAA和100mg/L IBA混合溶液浸速生樱花插条基部2小时,可以促进速生樱花插条的生根和生长;

(7)扦插:由于冬季速生樱花插条没有叶片,冬季林下扦插顶部插条行距5cm,株距3cm,扦插深度7cm,中下部插条较粗,株行距适当放大,确保插条插入河沙下的土壤,扦插后用手压实插条周围的河沙,保证插条和土壤接触紧密,确保插条上部1-2个芽露出地面;

(8)浇水和覆盖:扦插后覆盖上稻草,然后浇一次透水,防止水分蒸发后土壤水分分布不均,然后在大棚里盖上小弓棚;

(9)苗床管理:白天小拱棚里温度控制在33℃之间,晚上控制在17℃之间,苗床表面河沙相对湿度控制在80%。除非河沙比较干燥,一般不建议浇水,如果需要浇水,建议在大棚里放置水箱,晴天午后打开小弓棚将水均匀喷洒在稻草的表面。

采用该方法育苗成活率高,生根成活率96%以上。

本发明的方法利用速生樱花耐寒、略耐阴的特点,利用林下较高的土壤腐殖质含量可以促进速生樱花插条的生根和成活;利用土壤中加入基质可以改良土壤结构,促进根系发达;利用智能温控设备提高土壤和苗床的温度可以减少监管成本,利用速生樱花喜欢酸性肥料的特点以及筛选出的优良的生根药剂配方,利用沙土和稻草双层覆盖土壤,保证土壤中水分均匀分布,提高速生樱花插穗的生根成活率。

以上对本发明所提供的一种速生樱花冬季林下育苗方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的核心思想。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以对本发明进行若干改进和修饰,这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

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