本发明涉及高粱选育技术领域，尤其涉及一种选育高粱同质恢复系的方法。
背景技术：
我国高粱生产中应用的是杂交种。因此，创制新亲本系是培育高产杂交种的前提。上世纪八十年代以前生产中应用的是高秆杂交高粱，在生产粮食的同时，应用茎秆做编织架材等，随着化学工业的发展和社会进步，茎秆的用途减少；因此九十年代以后高粱生产转为适宜人工收获的中秆高产杂交种；随着人工价格上涨，生产必须机械化来降低生产成本。为了适应机械化发展需求，必须培育矮秆适宜机械化的亲本及其杂交种。因此，本发明将培育矮秆亲本材料作为主要育种目标，本项工作是应用不育系与恢复系杂交来培育矮秆恢复系。
高粱杂交种应用的是三系，即不育系、保持系和恢复系，有的保持型材料配制的杂交种表现很好，由于所配的杂交种不能自交结实，所以不能应用于生产，如果把这种优良保持类型的材料转育成恢复型材料便可直接应用于生产，这样既解决了育性问题，又解决了矮秆问题。本发明经过十多年的努力培育出早熟矮秆适应性广的吉r125等系列恢复系。
技术实现要素：
基于背景技术存在的技术问题，本发明提出了一种选育高粱同质恢复系的方法。
本发明的技术方案如下：
一种选育高粱同质恢复系的方法，包括以下步骤：
第一步：甲×乙，得到f1，其中，甲为母本，乙为父本；
第二步：甲×f1，并连续选矮秆早熟株回交，依次得到bc1、bc2、bc3，……bcx，直到得到与原不育系甲性状相像的回交后代bcx；
第三步：将bcx自交纯化，依次得到bcxf1、bcxf2、bcxf3，……bcxfy,直到bcxfy性状基本稳定；
第四步：bcxfy自交纯化，得到性状稳定的恢复系；
所述的第一步中，甲为优良不育系、乙为优良恢复系。
优选的，所述的甲为优良不育系吉1230a，乙为优良恢复系吉r105。
优选的，本发明得到的稳定的矮秆恢复系为吉r125，株高100厘米，叶片窄，株型好，生育期110天；幼苗绿色，穗长26厘米，红壳红粒，配合力高。
优选的，所述的甲还可以为优良保持系。
优选的，本发明的方法可将任意不育系或者保持系转育成恢复系。
本发明的有益之处在于：
本发明主要是应用恢复系的恢复基因与不育系的矮秆叶窄特性进行人工杂交，即a×r的杂交方法选育矮秆早熟恢复系，免去人工去雄，与不育系的细胞质相同，所以叫同质恢复系。而且扩大资源应用范围。
本发明创制出的恢复系吉r125的主要优点是植株矮，植株高度在100厘米以下，配制的杂交种高度在120厘米以下，矮秆耐密植适宜机械化生产。而且扩大了资源应用范围，将对我国高粱早熟区品种更新换代起到推动作用。
附图说明
图1：实施例1中，高粱矮秆恢复系吉r125选育过程图。
具体实施方式
实施例1：
一种选育高粱同质恢复系的方法，包括以下步骤：
第一步：甲×乙，得到f1，其中，甲为母本，乙为父本；
第二步：甲×f1，并连续选矮秆早熟株回交，依次得到bc1、bc2、bc3；bc3与原不育系甲性状相像；
第三步：将bc3自交纯化，依次得到bc3f1、bc3f2、bc3f3、bc3f4；bc3f4性状基本稳定；
第四步：bc3f4自交纯化，得到性状稳定的恢复系吉r125；
所述的甲为优良不育系吉1230a，乙为优良恢复系吉r105。
本发明得到的稳定的矮秆恢复系为吉r125，株高100厘米，叶片窄，株型好，生育期110天；幼苗绿色，穗长26厘米，红壳红粒，配合力高。
实施例2：
将实施例1中的甲替换为优良保持系，其余方法不变。
对比例
山西省农业科学院高粱研究所申请的中国发明专利cn107517846a(以下称为对比例)提供了一种以不育系为轮回亲本选育a3恢复系的方法。
本发明的实施例与对比例的不同点：
该方法提供的选育法与本发明的方法较为相似，但仍有如下不同点：
一是所用材料和选择的目的不同：本发明用的是对a1和a2型恢复的恢复系，对比例用的是a3型恢复系(a3型恢复材料非常少，所以对比例采用广泛杂交方式)；故本发明选择是有目标的定性的选择，对比例是在杂交后广泛分离中选择。
二是方法不同：本发明中，在杂交f1代与原来的不育系直接回交，回交后代继续与原来的不育系回交，待回交的后代与不育系相像了再自交，选出形态与不育系类似的新恢复系。而对比例中，不育系与a3恢复系杂交，f1代自交，从f2分离出来的散粉株自交选择，经过多次自交选择出新恢复系；也可继续自交在分离世代选择散粉株与分离出来的不育株回交，然后经多代自交选择出新恢复系。
三是结果不同，即得到的恢复系性状是不同的：本发明得到的是具有矮小不育系形态的恢复系，利于解决适宜机械化矮秆品种选择问题；另一个是解决了资源广泛利用问题，例如有的材料配制成的杂交种很好，但是不恢复不结实，不能应用于生产，所以把这类保持系材料转育成恢复系就解决了这个问题。因此，可以用本发明的方法把任意不育系或者保持系转育成恢复系。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。