一种野菊栽培方法与流程

文档序号:16143404发布日期:2018-12-05 15:37阅读:541来源:国知局

本发明涉及到菊花栽培技术,尤其涉及到一种野菊花栽培方法。



背景技术:

菊花为短日照植物,在短日照下能提早开花。喜阳光,忌荫蔽,较耐早,怕涝。喜温暖湿润气候,但亦能耐寒,严冬季节根茎能在地下越冬。花能经受微霜,但幼苗生长和分枝孕蕾期需较高的气温。最适生长温度为20℃左右。野菊花能入药治病,久服或饮菊花茶能令人长寿。宋代诗人苏辙:“南阳白菊有奇功,潭上居人多老翁”。所以种植野菊的农户越来越多,尤其在皖南山区种植野菊,不但野菊品质高,而且其产量大,但由于春天野菊受天气影响,雨水较多,容易造成水涝,而且营养成分容易流失,造成大面积减产,给农户带来巨大的经济损失。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种不会造成水涝、增产增收的野菊花栽培方法。

本发明的目的通过以下技术方案来实现的:该种野菊栽培方法包括以下步骤:

a、田间处理:首先将田地整平后四周挖深度为100-110厘米、宽度为40-60厘米的沟渠,田地内每间隔300-500厘米平行开挖深度为40-60厘米、宽度30-40厘米的水沟,间隔2-3天将沟渠的里的水抽干排出,直到沟渠里无渗水排出;然后在田地表层撒上一层生石灰,一个星期后进行栽培基质制林了;

b、栽培基质,栽培基质包括腐叶土、碳渣、有机肥料、砂土、油菜籽油饼,把各种成分混合搅拌均匀后,在田间修成林地,其长度不限,高度5-10厘米,宽度为150-200厘米;

c、栽培,栽培前,将建成的林地喷洒水,致使林地湿透,然后进行打孔栽培,株距10-12厘米,行距为15-20厘米,孔内放置野菊苗,用营养土扶植栽培;

d、管理,早晚各一次喷洒水,以湿润为主,中午时段,可向野菊叶面喷洒水雾;四周沟渠水深40-60厘米时,将水抽干排出,正常补给营养。

所述的一种野菊栽培方法中的栽培基质各个组成部分的重量份数为:腐叶土40-50份、碳渣30-35份、有机肥料50-60份、砂土25-30份、油菜籽油饼15-20份。

所述的一种野菊栽培方法中的营养土扶植栽培野菊苗,其营养土由秸秆粉末、草木灰、有机肥料、腐殖土构成,其重量份数为:秸秆粉末60-80份、草木灰30-40份、有机肥料30-35份、腐殖土30-40份。

所述的一种野菊栽培方法中打孔的深度为3-5厘米,孔的半径1.5-2.0厘米。

所述的一种野菊栽培方法中的其营养土的最佳配置为秸秆粉末75份、草木灰35份、有机肥料35份、腐殖土35份。

本发明优点体现在以下几点:

第一、四周挖沟渠,排水防涝,确保其正常生长;

第二,栽培基质优化配置,利于野菊营养吸收;

第三,打孔定植,栽培野菊苗,采用营养土培植,成活率100%;第四,结合管理到位,增产增收,提高经济效益。

具体实施方式

结合实施例对本发明作进一步的详细描述。

本发明是一种野菊栽培方法,其方法包括以下步骤:

a、田间处理:首先将田地整平后四周挖深度为110厘米、宽度为55厘米的沟渠,田地内每间隔400厘米平行开挖深度为50厘米、宽度35厘米的水沟,间隔2-3天将沟渠的里的水抽干排出,直到沟渠里无渗水排出;然后在田地表层撒上一层生石灰,一个星期后进行栽培基质制林了;

b、栽培基质,栽培基质包括腐叶土、碳渣、有机肥料、砂土、油菜籽油饼,把各种成分混合搅拌均匀后,在田间修成林地,其长度不限,高度8厘米,宽度为180厘米;

c、栽培,栽培前,将建成的林地喷洒水,致使林地湿透,然后进行打孔栽培,株距11厘米,行距为16厘米,孔内放置野菊苗,用营养土扶植栽培;

d、管理,早晚各一次喷洒水,以湿润为主,中午时段,可向野菊叶面喷洒水雾;四周沟渠水深40厘米时,将水抽干排出,正常补给营养。

本发明所述的一种野菊栽培方法中的栽培基质各个组成部分的重量份数为:腐叶土45份、碳渣40份、有机肥料55份、砂土30份、油菜籽油饼18份。

本发明所述的一种野菊栽培方法中的营养土扶植栽培野菊苗,其营养土由秸秆粉末、草木灰、有机肥料、腐殖土构成,其重量份数为:秸秆粉末75份、草木灰35份、有机肥料34份、腐殖土35份。

本发明所述的一种野菊栽培方法中打孔的深度为4厘米,孔的半径1.6厘米。

本发明所述的一种野菊栽培方法中的其营养土的最佳配置为秸秆粉末75份、草木灰35份、有机肥料35份、腐殖土35份。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种野菊花栽培方法。它包括田间处理、栽培基质、栽培、管理,早晚各一次喷洒水,以湿润为主,中午时段,可向野菊叶面喷洒水雾;四周沟渠水深40‑60厘米时,将水抽干排出,正常补给营养。其优点四周挖沟渠,排水防涝,确保其正常生长;栽培基质优化配置,利于野菊营养吸收;打孔定植,栽培野菊苗,采用营养土培植,成活率100%;结合管理到位,增产增收,提高经济效益。

技术研发人员:姚光亮
受保护的技术使用者:姚光亮
技术研发日:2018.09.14
技术公布日:2018.12.04
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