一种薄皮甜瓜嫁接方法及其应用与流程

本发明属于嫁接种植，具体涉及一种薄皮甜瓜嫁接方法及其应用。

背景技术：

1、甜瓜是葫芦科瓜类中栽培面积广泛的经济作物，我国栽培面积及产量居全球首位，在国民经济发展中占有重要地位。而瓜类生产中，枯萎病等造成的连作障碍是制约主要瓜类生产的重要因素。嫁接是解决连作障碍最经济有效的手段之一，目前甜瓜嫁接砧木主要是南瓜砧木，嫁接后砧木和接穗结合口愈合阶段主要通过在嫁接苗上覆盖薄膜以保温保湿，从而保障愈合过程正常进行。而甜瓜，特别是薄皮甜瓜，接穗总体较细弱，且因为嫁接环境高温高湿导致薄膜内大量水汽增加薄膜重量，易压迫甜瓜接穗，使接穗弯折。同时，愈合阶段薄膜掀盖易导致砧木和接穗结合处错位，使得砧木和接穗无法通过产生愈伤连接而成活，降低嫁接成活率。或者结合面过小而产生嫁接苗虽然成活，但长势瘦弱或田间生长过程中水肥营养吸收转运限制而死亡或生长弱小的现象。另外，因嫁接苗环境高温高湿以及薄膜与接穗大面积接触，增加了薄膜上水滴在接穗上积聚或沿接穗流到砧穗结合处，进而增加病害及水分积聚导致的腐烂等风险。

技术实现思路

1、本发明的目的在于解决现有甜瓜嫁接方法的不足，提供一种操作简单，成本低，高成活率和高壮苗率的薄皮甜瓜嫁接方法。

2、本发明提供了一种薄皮甜瓜嫁接方法，包括如下步骤：

3、当砧木生长至1叶1心期，薄皮甜瓜生长至子叶直立到展开45°之间时，在薄皮甜瓜子叶节下方0.5cm的位置斜向下约45°角切成斜面，得到薄皮甜瓜接穗，开始嫁接；

4、所述嫁接时，砧木去心，去掉真叶，保留叶柄；

5、所述嫁接的方法包括插接法；

6、所述砧木的第一片真叶叶柄与地表夹角＞40°。

7、优选的，所述砧木的品种包括南瓜。

8、优选的，所述南瓜包括思壮7号或思壮12号。

9、优选的，所述砧木的获取方法包括：砧木种子浸种2～6h后，25～30℃催芽，砧木种子出芽时播种并培育。

10、优选的，所述薄皮甜瓜接穗的获取方法包括：薄皮甜瓜种子浸种1～4h后播种，25～30℃培育。

11、优选的，所述播种的方式包括直播；

12、所述浸种后，播种前，在25～30℃的条件下对薄皮甜瓜种子进行催芽。

13、优选的，所述嫁接后还包括成活前的管理。

14、优选的，所述管理的方式包括：嫁接结束后，将嫁接苗放入苗床或育苗架，进行保温保湿处理，温度控制在25～30℃，湿度控制在80～95％。

15、本发明还提供了上述技术方案所述的薄皮甜瓜嫁接方法在培育薄皮甜瓜中的应用。

16、有益效果：

17、本发明采用插接法，当砧木生长至1叶1心期，薄皮甜瓜生长至子叶直立到展开45°之间时，在薄皮甜瓜子叶节下方0.5cm的位置斜向下约45°角切成斜面，得到薄皮甜瓜接穗，开始嫁接；嫁接时，砧木去心，去掉真叶，保留叶柄，并限定砧木的第一片真叶叶柄与地表夹角＞40°，操作简单，利用砧木叶柄减少接穗压力，减少接穗与薄膜接触，从而提升嫁接的成活率和壮苗率，减少病害等损失，成本低，能够提高嫁接育苗效益。

技术特征：

1.一种薄皮甜瓜嫁接方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的薄皮甜瓜嫁接方法，其特征在于，所述砧木的品种包括南瓜。

3.根据权利要求2所述的薄皮甜瓜嫁接方法，其特征在于，所述南瓜包括思壮7号或思壮12号。

4.根据权利要求1所述的薄皮甜瓜嫁接方法，其特征在于，所述砧木的获取方法包括：砧木种子浸种2～6h后，25～30℃催芽，砧木种子出芽时播种并培育。

5.根据权利要求1所述的薄皮甜瓜嫁接方法，其特征在于，所述薄皮甜瓜接穗的获取方法包括：薄皮甜瓜种子浸种1～4h后播种，25～30℃培育。

6.根据权利要求5所述的薄皮甜瓜嫁接方法，其特征在于，所述播种的方式包括直播；

7.根据权利要求1～6任一项所述的薄皮甜瓜嫁接方法，其特征在于，所述嫁接后还包括成活前的管理。

8.根据权利要求7所述的薄皮甜瓜嫁接方法，其特征在于，所述管理的方式包括：嫁接结束后，将嫁接苗放入苗床或育苗架，进行保温保湿处理，温度控制在25～30℃，湿度控制在80～95％。

9.权利要求1～8任一项所述的薄皮甜瓜嫁接方法在培育薄皮甜瓜中的应用。

技术总结
本发明属于嫁接种植技术领域，具体涉及一种薄皮甜瓜嫁接方法及其应用。本发明采用插接法，当砧木生长至1叶1心期，薄皮甜瓜生长至子叶直立到展开45°之间时，在薄皮甜瓜子叶节下方0.5cm的位置斜向下约45°角切成斜面，得到薄皮甜瓜接穗，开始嫁接；嫁接时，砧木去心，去掉真叶，保留叶柄；所述砧木的第一片真叶叶柄与地表夹角＞40°。本发明操作简单，利用砧木叶柄减少接穗压力，减少接穗与薄膜接触，从而提升嫁接的成活率和壮苗率，减少病害、接穗腐烂等损失，成本低，能够提高嫁接育苗效益。

技术研发人员：黄芸萍,邢乃林,严蕾艳,王迎儿,古斌权,王毓洪
受保护的技术使用者：宁波市农业科学研究院
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14