可抗扭转的双硬度鞋中底的制作方法

本技术涉及一种中底，特别是涉及一种可抗扭转的双硬度鞋中底。

背景技术：

1、如图1所示，为现有用于制造鞋子的一种中底1，该中底1一般是以乙烯醋酸乙烯酯共聚物(ethylene vinyl acetatecopolymer，eva)作为成型材料而发泡制成，基于eva偏软的材质特性，该中底1虽具有不错的缓冲与避震效果，然而，由于eva的材质过软，因此，该中底1在穿久后，往往会发生扁蹋而变密实的情形，让缓冲与避震的效果变差，而且，由于该中底1的刚性与硬度不足，因此，在实际穿着时，若使用者踩踏到不同高度段差的地面，该中底1往往会发生左右扭转或前后扭转的情形，造成使用者的足部因前脚掌与后脚跟的相对扭转而扭伤脚踝。

2、如图2所示，为了改善该中底1上述的缺失，便有人将一碳纤维板2(业界称为铁心，shank)固设于该中底1的顶面，如此，虽可借由该碳纤维板2的结构刚性，来减少该中底1左右扭转的程度或前后扭转的程度，但是，增加该碳纤维板2，在制造上却会增加制程与提高成本，而且，该碳纤维板2也无法改善该中底1在穿久后会扁蹋而变得密实的问题。

技术实现思路

1、因此，本实用新型的目的在于提供一种能够克服先前技术的至少一个缺点的可抗扭转的双硬度鞋中底。

2、于是，本实用新型所述的可抗扭转的双硬度鞋中底，包含中底本体。

3、所述中底本体包括前区，及与所述前区一体连接的后区，所述前区具有前区硬度，并能定义出沿长度方向延伸的前区长度，所述后区具有小于所述前区硬度的后区硬度，并能定义出沿所述长度方向延伸且小于所述前区长度的后区长度。

4、本实用新型所述的可抗扭转的双硬度鞋中底，所述前区硬度为介于45～65的肖氏硬度c，所述后区硬度为介于30～44的肖氏硬度c。

5、本实用新型所述的可抗扭转的双硬度鞋中底，所述前区硬度为介于50～55的肖氏硬度c，所述后区硬度为介于35～40的肖氏硬度c。

6、本实用新型所述的可抗扭转的双硬度鞋中底，所述中底本体能定义出沿所述长度方向延伸的中底总长度，所述前区长度介于所述中底总长度的60％～70％，所述后区长度介于所述中底总长度的30％～40％。

7、本实用新型所述的可抗扭转的双硬度鞋中底，所述中底本体的材质是热塑性聚氨基甲酸酯、聚醚-聚酰胺嵌段共聚物、聚氨基甲酸乙酯或乙烯醋酸乙烯酯共聚物。

8、本实用新型所述的可抗扭转的双硬度鞋中底，所述中底本体是利用一种超临界流体作为物理发泡剂，而发泡成型制成。

9、本实用新型所述的可抗扭转的双硬度鞋中底，所述超临界流体是氮气。

10、本实用新型的有益效果在于：本实用新型利用所述中底本体的前区的前区长度大于所述后区的后区长度，配合所述前区的前区硬度大于所述后区的后区硬度的设计，可让所述前区涵盖人体足部的前脚掌与足弓，并让所述后区涵盖人体足部的后脚跟，且可让所述前区的结构刚性大于后区的结构刚性，即，本实用新型在不使用现有的碳纤维板2的情形下，所述前区仍可对人体足部的前脚掌与足弓提供良好的支撑性，如此，在实际穿着时，即便使用者踩踏到不同高度段差的地面，本实用新型也不易发生左右扭转或前后扭转的情形，而可有效避免使用者的足部因前脚掌与后脚跟的相对扭转而扭伤脚踝，同时，所述后区又可对人体足部的后脚跟提供良好的缓冲与避震效果。

技术特征：

1.一种可抗扭转的双硬度鞋中底，包含中底本体，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的可抗扭转的双硬度鞋中底，其特征在于：所述前区硬度为介于45～65的肖氏硬度c，所述后区硬度为介于30～44的肖氏硬度c。

3.根据权利要求2所述的可抗扭转的双硬度鞋中底，其特征在于：所述前区硬度为介于50～55的肖氏硬度c，所述后区硬度为介于35～40的肖氏硬度c。

4.根据权利要求1所述的可抗扭转的双硬度鞋中底，其特征在于：所述中底本体能定义出沿所述长度方向延伸的中底总长度，所述前区长度介于所述中底总长度的60％～70％，所述后区长度介于所述中底总长度的30％～40％。

5.根据权利要求1所述的可抗扭转的双硬度鞋中底，其特征在于：所述中底本体的材质是热塑性聚氨基甲酸酯、聚醚-聚酰胺嵌段共聚物、聚氨基甲酸乙酯或乙烯醋酸乙烯酯共聚物。

6.根据权利要求1所述的可抗扭转的双硬度鞋中底，其特征在于：所述中底本体是利用一种超临界流体作为物理发泡剂，而发泡成型制成。

7.根据权利要求6所述的可抗扭转的双硬度鞋中底，其特征在于：所述超临界流体是氮气。

技术总结
一种可抗扭转的双硬度鞋中底，包含中底本体。所述中底本体包括前区，及与所述前区一体连接的后区，所述前区具有前区硬度，并可定义出沿长度方向延伸的前区长度，所述后区具有小于所述前区硬度的后区硬度，并可定义出沿所述长度方向延伸且小于所述前区长度的后区长度。本技术的可抗扭转的双硬度鞋中底，不但可抗扭转，提供良好的支撑性，并可兼具良好的缓冲与避震效果，而且可简化制程并降低制造成本。

技术研发人员：张中豪,张佳颖
受保护的技术使用者：华硕科技股份有限公司
技术研发日：20230215
技术公布日：2024/2/1