专利名称：正畸托槽上涂敷含氟缓释涂层以预防牙釉质脱矿的方法
技术领域：
本发明属口腔正畸治疗技术领域，具体涉及一种在牙齿正畸治疗中预防牙釉质脱矿的方法。
背景技术：
在对牙齿进行固定正畸治疗时，由于矫治器的长时间使用，以及托槽、钢丝、结扎丝及其它正畸附件的使用，造成牙齿，特别是托槽周边牙面不易清洁，所以在接受正畸治疗的病人中普遍存在着一种因口腔卫生不良而造成的牙釉质脱矿的表现——釉白斑，且随着疗程的增长而加剧，严重者还有可能发展成早期釉质龋。据国外统计资料报道，正畸病人中釉白斑的发生率约为50-70％。
近年来，在正畸矫正过程中为了预防釉质脱矿采取了多种方法，包括①酸蚀前或酸蚀后使用氟化泡沫；②粘接托槽或带环后以及治疗过程中定期用氟化钠处理牙面；③患者日常使用含氟牙膏并配合含氟溶液含漱；④使用含有饱和的氟化物的弹性结扎橡皮圈；⑤使用口内氟离子释放装置(IFRD)；⑥使用含氟的封闭剂封闭托槽周围牙面；⑦使用氟缓释粘接材料。
以上方法只局限于对牙面和粘结剂的处理，这些方法需要额外占用椅旁操作时间，且需要患者在正畸过程中配合预防，非常不方便。
发明内容
本发明的目的在于提供一种正畸托槽上涂敷含氟缓释涂层以预防牙釉质脱矿的方法，解决了现有方法操作不方便的问题，且效果显著。
本发明所采用的技术方案是，在正畸托槽的表面涂敷含氟缓释涂层。
含氟缓释涂层选自以下材料的一种或一种以上的组合CaF2、MgF2、NaF或含氟羟基磷灰石。当选用一种以上的组合时，每种材料的比份可任意选取。
含氟缓释涂层采用磁控溅射法或溶胶凝胶法涂敷到正畸托槽的表面。
磁控溅射法是按以下步骤进行，首先将含氟缓释涂层材料粉球磨12～48小时，压制成圆片，经1100℃～1300℃高温烧结制成靶材，然后采用射频磁控溅射在正畸托槽表面，溅射3～5小时，即在正畸托槽表面形成缓释涂层。
磁控溅射的最佳参数为，频率13.56MHz，溅射功率250W～350W，工作氩气压强0.7Pa～2Pa，靶基距60mm～70mm。
溶胶凝胶法是按以下步骤进行，首先将含氟缓释涂层材料制成溶胶，将正畸托槽浸入溶胶，以0.1mm/min～0.5mm/min的速度提拉，然后在100℃～200℃干燥1～2小时，经300℃～800℃热处理1～3小时，即在正畸托槽表面形成缓释涂层。
本发明与现有技术相比有如下有益效果1.对正畸托槽进行功能化处理，操作方便，本发明的方法将正畸治疗与预防釉质脱矿融为了一体，正畸过程中既包含预防，不需要额外占用椅旁操作时间，亦无需患者另行配合，极大的方便了患者和正畸师。
2.正畸托槽表面涂敷的含氟缓释涂层能将其所含的氟离子长期缓慢持续地释放于托槽下及周围牙面，起到防止釉质脱矿、促进釉质再矿化的作用，由于氟离子释放时间长而且缓慢连续，所以预防釉质脱矿的效果佳，临床应用证明脱矿率不到2％。
具体实施例方式
下面通过实施例对本发明进行详细说明。
采用磁控溅射法或溶胶凝胶法在正畸托槽的表面涂敷含氟缓释涂层，含氟缓释涂层选自以下材料的一种或一种以上的组合CaF2、MgF2、NaF或含氟羟基磷灰石，一种以上组合时，各成分之间没有配比要求。
实施例1选用CaF2作为涂层材料，采用磁控溅射法。首先将CaF2粉在转速300转/分的球磨机中球磨24小时，压制成Φ60*5的圆片，经1250℃高温烧结制成靶材，然后采用射频磁控溅射在正畸托槽表面，溅射条件为频率13.56MHz，溅射功率250W，工作氩气压强1.5Pa，靶基距65mm，溅射3小时，即在正畸托槽表面制得含CaF2的缓释涂层。
实施例2选用MgF2作为涂层材料，采用溶胶凝胶法。首先将MgF2制成溶胶，将正畸托槽浸入溶胶，以0.1mm/min的速度提拉，然后在100℃干燥1小时，经650℃热处理3小时，即得到含MgF2的缓释涂层。
实施例3选用含氟羟基磷灰石作为涂层材料，采用溶胶凝胶法。首先将含氟羟基磷灰石制成溶胶，将正畸托槽浸入溶胶，以0.5mm/min的速度提拉，然后在200℃干燥2小时，经300℃热处理1小时，即得到含氟羟基磷灰石缓释涂层。
实施例4选用CaF2和NaF的组合粉料作为涂层材料，采用磁控溅射法。首先将CaF2和NaF的组合粉料在转速500转/分的球磨机中球磨12小时，压制成圆片，经1300℃高温烧结制成靶材，然后采用射频磁控溅射在正畸托槽表面，溅射条件为频率13.56MHz，溅射功率300W，工作氩气压强1Pa，靶基距70mm，溅射5小时，即在正畸托槽表面制得CaF2和NaF的组合物的缓释涂层。
实施例5选用MgF2和含氟羟基磷灰石的组合粉料作为涂层材料，采用溶胶凝胶法。将MgF2和含氟羟基磷灰石的组合粉料制成溶胶，将正畸托槽浸入溶胶，以0.3mm/min的速度提拉，然后在150℃干燥2小时，经500℃热处理2小时，即得到MgF2和含氟羟基磷灰石缓释涂层。
实施例6选用CaF2、MgF2、NaF和含氟羟基磷灰石的组合粉料作为涂层材料，采用磁控溅射法。将CaF2、MgF2、NaF和含氟羟基磷灰石的组合粉料在转速400转/分的球磨机中球磨48小时，压制成圆片，经1100℃高温烧结制成靶材，然后采用射频磁控溅射在正畸托槽表面，溅射条件为频率13.56MHz，溅射功率250W，工作氩气压强2Pa，靶基距70mm，溅射4小时，即在正畸托槽表面制得CaF2、MgF2、NaF和含氟羟基磷灰石的组合物缓释涂层。
实施例7选用CaF2、MgF2、NaF的组合粉料作为涂层材料，采用磁控溅射法。将CaF2、MgF2、NaF的组合粉料在转速300转/分的球磨机中球磨48小时，压制成圆片，经1200℃高温烧结制成靶材，然后采用射频磁控溅射在正畸托槽表面，溅射条件为频率13.56MHz，功率350W，工作氩气压强0.7Pa，靶基距60mm，溅射5小时，即在正畸托槽表面制得CaF2、MgF2和NaF的组合物缓释涂层。
实施例8
选用MgF2、NaF和含氟羟基磷灰石的组合粉料作为涂层材料，采用溶胶凝胶法。将MgF2、NaF和含氟羟基磷灰石的组合粉料制成溶胶，将正畸托槽浸入溶胶，以0.2mm/min的速度提拉，然后在200℃干燥2小时，经600℃热处理2小时，即得到MgF2、NaF和含氟羟基磷灰石缓释涂层。
实施例9选用SnF2和SiF4的组合粉料作为涂层材料，采用磁控溅射法。将SnF2和SiF4的组合粉料在转速300转/分的球磨机中球磨48小时，压制成圆片，经1200℃高温烧结制成靶材，然后采用射频磁控溅射在正畸托槽表面，溅射条件为频率13.56MHz，功率350W，工作氩气压强0.7Pa，靶基距60mm，溅射5小时，即在正畸托槽表面制得SnF2和SiF4的组合物缓释涂层。
实施例10选用NH4F作为涂层材料，采用溶胶凝胶法。将NH4F制成溶胶，将正畸托槽浸入溶胶，以0.2mm/min的速度提拉，然后在200℃干燥2小时，经600℃热处理2小时，即得到NH4F缓释涂层。
以下是实验对比240例采用固定矫治器的错颌患者，其中第一组80例使用含氟缓释涂层的托槽，第二组80例使用普通托槽，用氟化钠涂膜处理，以后每三个月涂布一次，第三组80例使用普通托槽，不做任何处理。经一段时期后，检测，第一组使用含氟缓释涂层托槽的脱矿率仅为1.8％，第二组使用氟化钠涂膜处理的普通托槽的脱矿率为8.7％，第三组使用不做任何处理的普通托槽，脱矿率为28.3％。
以上试验数据说明了采用本发明的方法预防牙釉质脱矿的效果显著。
本发明的方法适用于金属、塑料、陶瓷等各种材料，也不局限于形状。
权利要求
1.一种正畸托槽上涂敷含氟缓释涂层以预防牙釉质脱矿的方法，其特征在于在正畸托槽的表面涂敷含氟缓释涂层。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述含氟缓释涂层选自以下材料的一种或一种以上的组合CaF2、MgF2、NaF或含氟羟基磷灰石。
3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述含氟缓释涂层采用磁控溅射法或溶胶凝胶法涂敷到正畸托槽的表面。
4.按照权利要求3所述的方法，其特征在于所述磁控溅射法是按以下步骤进行，首先将含氟缓释涂层材料粉球磨12～48小时，压制成圆片，经1100℃～1300℃高温烧结制成靶材，然后采用射频磁控溅射在正畸托槽表面，溅射3～5小时，即在正畸托槽表面形成缓释涂层。
5.按照权利要求4所述的方法，其特征在于所述磁控溅射时，频率13.56MHz，溅射功率250W～350W，工作氩气压强0.7Pa～2Pa，靶基距60mm～70mm。
6.按照权利要求3所述的方法，其特征在于所述溶胶凝胶法是按以下步骤进行，首先将含氟缓释涂层材料制成溶胶，将正畸托槽浸入溶胶，以0.1mm/min～0.5mm/min的速度提拉，然后在100℃～200℃干燥1～2小时，经300℃～800℃热处理1～3小时，即在正畸托槽表面形成缓释涂层。
全文摘要
本发明公开了一种正畸托槽上涂敷含氟缓释涂层以预防牙釉质脱矿的方法，在正畸托槽的表面涂敷含氟缓释涂层，含氟缓释涂层是采用磁控溅射法或溶胶凝胶法涂敷到正畸托槽的表面。本发明的方法是对正畸托槽进行功能化处理，其操作方便，预防釉质脱矿的效果显著。
文档编号A61K6/02GK1706360SQ200510042700
公开日2005年12月14日 申请日期2005年5月23日 优先权日2005年5月23日
发明者赵康, 苏波 申请人:西安理工大学