高频电流防漏电屏蔽装置制造方法

文档序号:1280903阅读:1947来源:国知局
高频电流防漏电屏蔽装置制造方法
【专利摘要】本实用新型提出了一种高频电流防漏电屏蔽装置,用以解决传统高频手术和电凝设备因容易产生高频电流泄露而导致出现医疗事故和干扰其它医疗设备的问题,包括电流屏蔽装置、电流切换装置、高频输出变压器TC及用于控制电流切换装置的单片机IC,所述电流屏蔽装置一端与所述高频输出变压器TC的一端连接,另一端与所述电流切换装置相连接,所述电流切换装置与所述单片机IC相连接,所述高频输出变压器TC的另一端连接有高频手术和电凝设备。本实用新型极大地降低了高频手术和电凝设备在使用过程中高频漏电流的产生,同时有利于手术正常进行,减小高频漏电流对人体产生的危害,从而避免了医疗事故的发生,同时在使用过程中极大的降低了对其他设备的干扰。
【专利说明】高频电流防漏电屏蔽装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种高频电流防漏电屏蔽装置,属于医疗设备控制领域。
【背景技术】
[0002]高频手术装置的高频漏电流一直以来是各高频手术装置生产厂家棘手问题。每年各省市药监局的抽检都会有该项指标不合格发生,高频漏电流的产生直接危害到患者的安全,因此,解决该问题迫在眉睫。
[0003]近年来,高频手术设备在电外科手术中应用越来越广泛,国内生产厂家也越来越多,但是高频手术设备在实际使用中具有很大的危险性,设计及使用不当会造成灼伤。而造成灼伤的重要原因就是高频手术设备的高频漏电流。
[0004]国家标准GB9706.4— 2009《医用电气设备第二部分:高频手术设备安全专用要求》规定了高频漏电流的要求:自中性电极和应用部分流经200 Ω无感电阻到地的高频漏电流不得超过150mA。这也是最低要求,根据P = I2R得出150mA也可以产生4.5W的功率,根据动物实验,完全 可以灼伤生物组织。
[0005]高频漏电流的产生主要来自由于高次谐波,另外,高频手术装置工作的频率在
0.3MHz——3MHz之间,最大功率≤400瓦,功率大、频率高,因此产生的高次谐波难以抑制。
实用新型内容
[0006]本实用新型针对现有技术存在的不足,提供一种高频电流防漏电屏蔽装置,解决了传统高频手术和电凝设备因容易漏电而导致出现医疗事故的问题。
[0007]本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:一种高频电流防漏电屏蔽装置,包括电流屏蔽装置、电流切换装置、高频输出变压器TC及用于控制电流切换装置的单片机1C,所述电流屏蔽装置一端与所述高频输出变压器TC的一端连接,另一端与所述电流切换装置相连接,所述电流切换装置与所述单片机IC相连接,所述高频输出变压器TC的另一端连接有高频手术和电凝设备。
[0008]进一步的,所述电流屏蔽装置包括电容Cl、电容C2及电阻Rl,所述电容C2与所述电阻Rl并联后一端与所述电容Cl串联,另一端设有两个接头。
[0009]进一步的,所述电流切换装置包括一个电磁继电器K及一个用于稳定电磁继电器K电压的稳压二极管D,所述稳压二极管D并联于所述电磁继电器K上,所述电磁继电器K上设有一个单刀双掷开关S,所述单刀双掷开关S的两个接点与所述电流屏蔽装置上的两个接头相连接,所述单刀双掷开关S的刀阀通过电磁继电器K进行控制。
[0010]进一步的,所述单片机IC与所述电流切换装置之间设有一个光电耦合器0C,所述光电耦合器OC通过光电耦合器OC上的集电极C与所述电流切换装置相连接,所述光电耦合器OC的输入端上的正极a和负极b分别与所述单片机IC的管脚Pl.7、管脚Pl.6相连接,所述光电耦合器OC的发射极E接地。
[0011]进一步的,所述单片机IC为89C2051单片机。[0012]本实用新型的有益效果是:本实用新型极大地降低了高频手术和电凝设备在使用过程中高频漏电流的产生,同时有利于手术正常进行,减小高频漏电流对人体产生的危害,从而避免了医疗事故的发生,同时在使用过程中极大的降低了高频手术设备对其他设备的干扰。
【专利附图】

【附图说明】
[0013]图1为本实用新型的电路连接图。
【具体实施方式】
[0014]以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本实用新型,并非用于限定本实用新型的范围。
[0015]如图1所示的一种高频电流防漏电屏蔽装置,包括电流屏蔽装置、电流切换装置、高频输出变压器TC及用于控制电流切换装置的单片机1C,所述电流屏蔽装置一端与所述高频输出变压器TC的一端连接,另一端与所述电流切换装置相连接,所述电流切换装置与所述单片机IC相连接,所述高频输出变压器TC的另一端连接有高频手术和电凝设备。
[0016]所述电流屏蔽装置包括电容Cl、电容C2及电阻Rl,所述电容C2与所述电阻Rl并联后一端与所述电容Cl串联,另一端设有两个接头。
[0017]所述电流切换装置包括一个电磁继电器K及一个用于稳定电磁继电器K电压的稳压二极管D,所述稳压二极管D并联于所述电磁继电器K上,所述电磁继电器K上设有一个单刀双掷开关S,所述单刀双掷开关S的两个接点与所述电流屏蔽装置上的两个接头相连接,所述单刀双掷开关S的刀阀通过电磁继电器K进行控制。
[0018]为了保证电磁继电器K的正常工作,电磁继电器K采用12V的直流电供电。
[0019]所述单片机IC与所述电流切换装置之间设有一个光电耦合器0C,通过光电耦合器0C,可以有效的屏蔽高频信号,所述光电耦合器OC通过光电耦合器OC上的集电极C与所述电流切换装置相连接,所述光电耦合器OC的输入端上的正极a和负极b分别与所述单片机IC的管脚Pl.7、管脚Pl.6相连接,所述光电耦合器OC的发射极E接地。
[0020]所述单片机IC为89C2051单片机。
[0021]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种高频电流防漏电屏蔽装置,其特征在于:包括电流屏蔽装置、电流切换装置、高频输出变压器TC及用于控制电流切换装置的单片机1C,所述电流屏蔽装置一端与所述高频输出变压器TC的一端连接,另一端与所述电流切换装置相连接,所述电流切换装置与所述单片机IC相连接,所述高频输出变压器TC的另一端连接有高频手术和电凝设备。
2.根据权利要求1所述的高频电流防漏电屏蔽装置,其特征在于:所述电流屏蔽装置包括电容Cl、电容C2及电阻R1,所述电容C2与所述电阻Rl并联后一端与所述电容Cl串联,另一端设有两个接头。
3.根据权利要求1所述的高频电流防漏电屏蔽装置,其特征在于:所述电流切换装置包括一个电磁继电器K及一个用于稳定电磁继电器K电压的稳压二极管D,所述稳压二极管D并联于所述电磁继电器K上,所述电磁继电器K上设有一个单刀双掷开关S,所述单刀双掷开关S的两个接点与所述电流屏蔽装置上的两个接头相连接,所述单刀双掷开关S的刀阀通过电磁继电器K进行控制。
4.根据权利要求1所述的高频电流防漏电屏蔽装置,其特征在于:所述单片机IC与所述电流切换装置之间设有一个光电稱合器OC,所述光电稱合器OC通过光电稱合器OC上的集电极C与所述电流切换装置相连接,所述光电耦合器OC的输入端上的正极a和负极b分别与所述单片机IC的管脚Pl.7、管脚Pl.6相连接,所述光电耦合器OC的发射极E接地。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的高频电流防漏电屏蔽装置,其特征在于:所述单片机IC为89C2051单片机。
【文档编号】A61B18/12GK203777042SQ201320524958
【公开日】2014年8月20日 申请日期:2013年8月27日 优先权日:2013年8月27日
【发明者】李晓树 申请人:北京优美高仪电子科技有限责任公司
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