磁共振成像装置和高频磁场匀场参数决定方法与流程

本发明涉及磁共振成像(以下称为“MRI”)技术，特别地涉及降低高频磁场(以下称为“RF”)脉冲的照射不均匀的技术。

背景技术：

MRI装置是主要利用了氢原子核的核磁共振现象的医用图像诊断装置。

一般地，在对设置在静磁场中的被检体施加断层梯度磁场的同时，照射具有特定频率的RF脉冲，激励想要拍摄的断面内的核磁化。接着，对通过相位编码梯度磁场和读取梯度磁场的施加而激励的核磁化赋予平面位置信息，测量核磁化所产生的核磁共振信号(回波信号)。回波信号对应于平面位置信息而被填充在被称为k空间的测量空间中，通过傅里叶逆变换而被图像化。

近年来，为了提高图像的SN比，推进MRI装置的高磁场化，且推进具有3T以上的静磁场强度的装置的普及。在高磁场装置中能够获得高对比度的图像，然而有时会在图像中出现不均。作为该图像不均的原因，可列举：对摄像区域照射RF脉冲的发送线圈在摄像区域中形成的旋转磁场的不均。将其称作发送灵敏度分布(B1分布)的不均。

由于当随着高磁场化，所照射的电磁波的磁共振频率变高时，在生物体内的电磁波的波长变得与生物体的大小几乎同等规模，电磁波的相位发生变化等理由，导致发生了B1分布的不均。

作为降低B1分布不均的方法，有RF匀场，其使用具有多个通道的发送线圈，控制对各通道施加的RF脉冲的相位和振幅来降低摄像区域的B1分布的不均。在RF匀场中，根据各通道所作出的B1分布来决定对各通道施加的相位和振幅(以下称为“RF匀场参数”)。

例如，取得翻转角不同的多张图像，并利用对每个脉冲序列而定义的图像信号强度的理论式来对取得的图像信号进行拟合，由此来计算各通道的B1分布(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2011/155461号

技术实现要素：

发明要解决的课题

B1分布依赖于被检体的体型或组织结构等，因此需要针对每个被检体、每个摄像部位来测量各通道的B1分布。B1分布的计算需要花费预定的时间，因此摄像时间延长。

但是，从反面来说，如果是相同体型的被检体，则对于头部、腹部等每个摄像部位来说B1分布几乎等同。利用这一点，有如下方法：以标准体型的被检体配置在磁场中心为前提，预先针对每个部位计算B1分布并登记基于此而决定出的每个通道的RF匀场参数，在摄像时使用该登记的RF匀场参数。由此，在摄像时不必计算B1分布而能够缩短摄像时间。但是，在与上述前提相差甚远的状态的摄像、相差甚远的体型的被检体的摄像中，无法进行精度高的RF匀场。即摄像方式的制约较大。

本发明是鉴于上述情况而作出的，目的在于提供一种在MRI装置中不论被检体和摄像方式如何均短时间地进行高精度的RF匀场，得到高品质图像的技术。

用于解决课题的手段

本发明具备数据库，其在将计算出匀场参数的状态设为被检体的基准状态时，预先保存与相对于基准状态的变化对应的匀场参数，在摄像时，使用对应于相对于该基准状态的变化量所最接近的变化量在数据库中登记的匀场参数。数据库中登记有根据过去实测出的结果而计算出的匀场参数。

发明效果

根据本发明，在MRI装置中，不论被检体和摄像方式如何，均能够短时间地进行高精度的RF匀场，并能够获得高品质的图像。

附图说明

图1是第一实施方式的MRI装置的框图。

图2是第一实施方式的控制处理系统的功能框图。

图3是用于说明第一实施方式的位移量计算方法的说明图。

图4(a)和图4(b)是用于说明第一实施方式的匀场数据库例子的说明图。

图5是用于说明第二实施方式的扩大率计算方法的说明图。

图6(a)至图6(c)是用于说明第二实施方式的匀场数据库例子的说明图。

图7是用于说明第三实施方式的位移量计算位置的例子的说明图。

图8是用于说明第三实施方式的匀场数据库的匀场信息表的例子的说明图。

图9是用于说明第四实施方式的概要的说明图。

图10是用于说明第四实施方式的匀场数据库的匀场信息表的例子的说明图。

图11是用于说明本发明的实施方式的变形例之一的照射范围的说明图。

图12是本发明的实施方式的变形例之二以及变形例之三的控制处理系统的功能框图。

图13是本发明的实施方式的变形例之二的RF匀场参数决定处理的流程图。

图14(a)和图14(b)是用于说明本发明的实施方式的变形例之三的显示画面例的说明图。

图15是本发明的实施方式的变形例之三的RF匀场参数决定处理的流程图。

图16是用于说明本发明的实施方式的变形例之五的静磁场发生系统结构的说明图。

具体实施方式

《第一实施方式》

说明本发明的第一实施方式。以下，在用于说明本发明的实施方式的全部附图中，只要没有特别的说明，均对具有相同功能的部件赋予相同的符号，并省略其重复的说明。

[MRI装置的结构]

首先，根据图1说明MRI装置的一例的整体概要。图1是表示本MRI装置100的一例的整体结构的框图。

本实施方式的MRI装置100利用NMR现象来获得被检体的断层图像，如图1所示，具备：静磁场发生系统120、梯度磁场发生系统130、高频磁场发生系统(以下称为发送系统)150、高频磁场检测系统(以下称为接收系统)160、控制处理系统170以及定序器140。

静磁场发生系统120，如果是垂直磁场方式，则在被检体101的周围的空间中在与其体轴(中心轴)垂直的方向上产生均匀的静磁场，如果是水平磁场方式，则在体轴方向上产生均匀的静磁场，具备配置在被检体101的周围的永磁方式、正常导电方式或超导电方式的静磁场发生源。

梯度磁场发生系统130具备在MRI装置100的坐标系(装置坐标系)即X、Y、Z三轴方向上卷绕的梯度磁场线圈131、以及驱动各个梯度磁场线圈的梯度磁场电源132，按照来自后述的定序器140的命令驱动各个梯度磁场线圈131的梯度磁场电源132，由此在X、Y、Z三轴方向上施加梯度磁场Gx、Gy、Gz。

在摄像时，在与断层面(摄像断面)垂直的方向上施加断层方向梯度磁场脉冲，设定对被检体101的断层面，并在与该断层面垂直且相互垂直的剩余的两个方向上施加相位编码方向梯度磁场脉冲和频率编码方向梯度磁场脉冲，在回波信号中对各个方向的位置信息进行编码。

发送系统150，为了使构成被检体101的生物体组织的原子的原子核自旋发生核磁共振，对被检体101照射高频磁场脉冲(RF脉冲)，具备高频振荡器(合成器)152、调制器153、高频放大器154以及发送侧的高频线圈(发送线圈)151。高频振荡器152生成并输出RF脉冲。调制器153以基于来自定序器140的指令的定时对所输出的RF脉冲进行振幅调制，高频放大器154将该振幅调制后的RF脉冲放大，并供给到靠近被检体101配置的发送线圈151。发送线圈151将所供给的RF脉冲照射到被检体101上。

在本实施方式中，发送线圈151设为由多个子线圈构成的多通道线圈。通过调制器153，针对每个通道，经由定序器140将RF脉冲调制为由控制处理系统170指示的相位和振幅并输出。如本图所示，高频放大器154针对每个通道而设置，并将从调制器153输出的每个通道的RF脉冲放大，并供给到发送线圈151的各个通道。在图1中，作为一例，示出了通道数为4的情况。

接收系统160检测通过构成被检体101的生物体组织的原子核自旋的核磁共振而放出的核磁共振信号(NMR信号、回波信号)，具备接收侧的高频线圈(接收线圈)161、信号放大器162、正交相位检波器163以及A/D转换器164。接收线圈161靠近被检体101而配置，检测通过从发送线圈151照射的电磁波而感应的被检体101的应答的回波信号。检测到的回波信号在通过信号放大器162被放大后，在基于来自定序器140的指令的定时，通过正交相位检波器163被分割为正交的二系统信号，各自通过A/D转换器164而转换为数字量，传送给控制处理系统170。

定序器140按照来自控制处理系统170的指示，施加RF脉冲和梯度磁场脉冲。具体地，按照来自控制处理系统170的指示，将被检体101的断层图像的数据收集所需要的各种命令发送给发送系统150、梯度磁场发生系统130以及接收系统160。

控制处理系统170进行MRI装置100整体的控制、各种数据处理等运算、处理结果的显示和保存等。控制处理系统170上连接有存储装置172、显示装置173以及输入装置174。存储装置172由硬盘等内部存储装置、以及外接硬盘、光盘、磁盘等外部存储装置构成。显示装置173是CRT、液晶等显示器装置。输入装置174是MRI装置100的各种控制信息、由控制处理系统170进行的处理的控制信息的输入接口，例如具备跟踪球(trackball)、或者鼠标和键盘。输入装置174靠近显示装置173而配置。操作者一边观看显示装置173，一边通过输入装置174交互地输入MRI装置100的各种处理所需要的指示、数据。

控制处理系统170按照操作者所输入的指示，由CPU171将存储装置172中预先保存的程序载入到存储器中并执行，由此实现MRI装置100的动作的控制、各种数据处理等各个处理。按照预先保存在存储装置中的脉冲序列来进行对上述定序器140的指示。此外，当来自接收系统160的数据被输入到控制处理系统170时，控制处理系统170执行信号处理、图像重构处理等，作为结果，在显示装置173中显示被检体101的断层像，并且在存储装置172中进行存储。

此外，控制处理系统170要实现的全部或一部分功能可以通过ASIC(专用集成电路，Application Specific Integrated Circuit)、FPGA(现场可编辑门阵列，Field-programmable gate array)等硬件而实现。此外，在各功能的处理中使用的各种数据、处理中生成的各种数据存储在存储装置172中。

发送线圈151与梯度磁场线圈131，在插入了被检体101的静磁场发生系统120的静磁场空间内，如果是垂直磁场方式则设置为与被检体101对置，如果是水平磁场方式则设置为环绕被检体101。此外，接收线圈161设置为与被检体101对置或者环绕被检体101。

当前，MRI装置的摄像对象核素中，在临床上普及的是被检体101的主要构成物质即氢原子核(质子)。在MRI装置100中，将与质子密度的空间分布、激发态的弛豫时间的空间分布相关的信息图像化，由此，对人体头部、腹部、四肢等的形态或功能进行二维或三维地拍摄。

[控制处理系统的功能结构]

在本实施方式中，在摄像时(回波信号测量时)的RF匀场(shimming)中，不计算B1分布。因此，具备：针对被检体相对于基准状态发生的每一个变化量，登记RF匀场参数(RF脉冲的强度和相位)的数据库。在摄像时，从该数据库提取RF匀场参数，将其应用于脉冲序列的RF脉冲。

此外，以下，在本说明书中，如上所述，基准状态是指将标准体型的被检体在磁场中心配置为预先决定的方向(例如，体轴为磁场方向的方向)的状态。

本实施方式的控制处理系统170为了实现这一点，如图2所示，具备测量控制部210和匀场参数决定部220。

[匀场参数决定部]

匀场参数决定部220决定从发送线圈151的各通道照射的高频磁场脉冲(RF脉冲)的RF匀场参数。将匀场参数设为RF脉冲的振幅(强度)和相位的至少之一。为了实现这一点，本实施方式的匀场参数决定部220匀场参数决定部220具备变化量计算部221、匀场参数提取部222以及匀场数据库(匀场DB)300。

[变化量计算部]

变化量计算部221计算为了摄像而配置的被检体101的预定区域的、所配置的状态相对于基准状态的变化量。在本实施方式中，将预定区域设为包含静磁场中心的面上的被检体101的断面区域，作为相对于基准状态的变化量，使用该预定区域(被检体101的断面区域)的重心位置相距静磁场中心的位移量。

即，在本实施方式中，将被检体101的摄像断面的中心位于静磁场中心的状态设为基准状态，变化量计算部221计算摄像时的摄像断面相对于基准状态的位移量。

以下，在本说明书中，使用如下坐标系，即将静磁场中心设为原点，将静磁场方向设为z轴，在与该z轴垂直的面上，将与载置被检体101的床平行的方向设为x轴，将与其垂直的方向设为y轴。

位移量计算部221，在配置了被检体101后在实施定位摄像而得到的定位图像上计算位移量。作为定位图像，例如使用在设被检体101的体轴方向为静磁场方向的情况下的轴向图像(AX图像)。然后，在该AX图像上，通过计算被检体101的重心的x坐标和y坐标来得到位移量。

使用图3说明位移量的计算。在图3中，MFC是静磁场中心，GC是被检体101的摄像断面的重心位置。

例如，在AX图像上，分别确定x轴方向的最大的x坐标Xmax和最小的x坐标Xmin，使用两者，将x轴方向的位移量(Δx)计算为Δx＝(Xmax+Xmin)/2。

y轴方向的位移量也同样地，分别确定y轴方向的最大的y坐标Ymax和最小的y坐标Ymin，使用两者，计算为Δy＝(Ymax+Ymin)/2。

此外，通过图像处理来确定各轴方向的最大的坐标值和最小的坐标值。

[匀场DB]

匀场DB300是对应于被检体101的预定区域的相对于预先决定的基准状态的变化量，登记有从发送线圈151的各通道照射的RF脉冲的RF匀场参数的数据库。匀场DB300被构筑在存储装置172中。

在本实施方式的匀场DB300中，基本上登记有被检体101相对于基准状态的每个位移量的、各通道的RF匀场参数。图4(a)和图4(b)中示出了该匀场DB300的例子。

在本实施方式中，以由针对被检体101的相对于基准状态的每个位移量赋予识别代码来存储的位移量表311、以及针对每个位移量存储各通道的RF匀场参数的匀场信息表312而构成匀场DB300的情况为例，进行说明。

在位移量表311中，针对x方向和y方向的每个位移量311b，登记有用于确定位移量的识别代码(代码1)311a。在本实施方式中，针对每个测量部位311c登记有位移量311b。

在匀场信息表312中，针对用于确定位移量的每个识别代码(代码1)312a，登记有对各个通道给出的RF脉冲的强度和相位作为RF匀场参数312b。针对每个通道登记通道数的RF匀场参数312b。

此外，匀场DB300也可以不分割为位移量表311和匀场信息表312。也可以由针对各测量部位311c的每个位移量311b登记有各通道的RF匀场参数312b的一个表格来构成。

此外，通过蓄积在过去各个变化方式中摄像时计算出的RF匀场参数，来生成匀场DB300。

[匀场参数提取部]

匀场参数提取部222提取出对应于与计算出的变化量最接近的值在所述匀场DB300中登记的RF匀场参数。在本实施方式中，提取出对应于与变化量计算部221计算出的位移量最接近的位移量311b在匀场DB300中登记的RF匀场参数312b。

首先，访问位移量表311，确定对应于与变化量计算部221计算出的位移量最接近的位移量311b所登记的识别代码(代码1)311a。然后，访问匀场信息表312，提取出对应于与识别代码(代码1)311a一致的识别代码(代码1)312a所登记的RF匀场参数312b。

所谓最接近的位移量，例如设为x方向和y方向各自的存储在数据库中的位移量311b与计算出的位移量之间的差的平方和为最小的位移量。

本实施方式的匀场参数决定部220将匀场参数提取部222所提取出的RF匀场参数决定为在测量中使用的RF匀场参数。

[测量控制部]

测量控制部210使用由匀场参数决定部220决定出的RF匀场参数，测量从所述被检体101产生的回波信号。即，将从各通道照射的RF脉冲的强度和相位作为所提取的RF匀场参数的值，进行回波信号的测量。

如以上所说明的那样，本实施方式的MRI装置具备：具有向配置在静磁场中的被检体101照射由预先决定的RF匀场参数而确定的高频磁场脉冲的多个通道的发送线圈151；匀场参数决定部220，其决定从所述各个通道照射的高频磁场脉冲的RF匀场参数；以及测量控制部210，其使用由所述匀场参数决定部决定出的RF匀场参数来测定从所述被检体产生的回波信号，其中，所述匀场参数决定部220具备：匀场数据库(匀场DB)300，其对应于所述被检体101的预定区域和预先决定的基准状态的变化量，登记有从所述各通道照射的所述高频磁场脉冲的所述RF匀场参数；变化量计算部221，其计算所述被检体101的预定区域的变化量；以及匀场参数提取部222，其提取对应于与所述计算出的变化量最接近的值而在所述匀场数据库中登记的所述RF匀场参数。

此外，所述预定区域是包含所述静磁场中心的面上的区域，所述变化量是所述预定区域的重心位置相对于所述静磁场的中心的位移量。

这样，根据本实施方式，作为匀场DB300，预先登记有被检体101相对于基准状态的变化量所对应的RF匀场参数，在摄像时使用该RF匀场参数进行回波信号的测量。如上所述，相对于基准状态的变化量是被检体101的摄像断面的重心位置相对于静磁场中心的位移量。

因此，根据本实施方式，在摄像断面相对于静磁场中心发生了移位的方式下，即使配置有被检体101，也能够得到最适合于该配置的RF匀场参数，而不计算B1分布来计算RF匀场参数。因此，能够不针对每次摄像计算B1分布而高精度地进行RF匀场。因此，能够不降低精度地缩短整体的摄像时间。

此外，在本实施方式中，计算在通过静磁场中心的断面上的位移量，并从数据库中提取RF匀场参数，然而，断面并不受限于此。在生成匀场DB300时所使用的断面上，计算相对于在生成匀场DB300时用作基准的重心位置的位移量即可。

《第二实施方式》

说明本发明的第二实施方式。在本实施方式中，在匀场DB300中登记与相对于基准体型(标准体型)的变化量(与基准体型的差异)对应的RF匀场参数，来代替被检体相对于基准位置的位移量。

本实施方式的MRI装置基本上与第一实施方式的MRI装置具有相同的结构。此外，控制处理系统170的功能模块也基本上与第一实施方式相同。但是，在本实施方式中，变化量计算部221计算被检体101的体型与基准体型的差异，来代替位移量。此外，匀场DB300所保持的信息也是与基准体型的每个差异的RF匀场参数。

以下，着眼于与第一实施方式的差异结构来说明本实施方式。

[变化量计算部]

在本实施方式中，将相对于基准状态的变化量设为被检体101的体型相对于预先决定的基准体型的变化量(差异)。本实施方式的变化量计算部221在定位图像上计算该变化量。以使用在将被检体101的体轴方向设为静磁场方向时的轴向图像(AX图像)作为定位图像的情况为例，说明变化量的计算方法。

图5是用于说明基于本实施方式的变化量计算部221的变化量计算的说明图。在本图中，GC是被检体101的摄像断面的重心位置。

计算被检体101的该摄像断面的x轴方向最大直径的一半的长度Xb、y轴方向的最大直径的一半的长度Yb，并分别计算相对于基准体型的该Xa、Ya的扩大率(Xb/Xa、Yb/Ya)。

关于Xb，与第一实施方式同样地，分别确定x轴方向的最大的x坐标Xmax和最小的x坐标Xmin，使用两者计算为Xb＝(Xmax-Xmin)/2)。

此外，关于Yb，与第一实施方式同样地，分别确定y轴方向的最大的y坐标Ymax和最小的y坐标Ymin，使用两者计算为Yb＝(Ymax-Ymin)/2)。

与第一实施方式同样地，通过图像处理来确定各轴方向的最大坐标值和最小坐标值。设基准体型的最大直径Xa、Ya为已知。

[匀场DB]

与第一实施方式的匀场DB300同样地，本实施方式的匀场DB300是对应于被检体101的预定区域的相对于预先决定的基准状态的变化量，登记有从发送线圈151的各通道照射的RF脉冲的RF匀场参数的数据库。

在本实施方式中，在匀场DB300中登记有被检体101相对于基准体型的每个扩大率的、各通道的RF匀场参数。图6(a)和图6(b)中示出了该匀场DB300的例子。

在本实施方式中，以由针对被检体101的相对于基准体型的每个扩大率赋予识别代码来存储的扩大率表321、以及针对每个扩大率存储各通道的RF匀场参数的匀场信息表322而构成匀场DB300的情况为例，进行说明。

在扩大率表321中，针对x方向和y方向的每个扩大率321b，登记有用于确定扩大率的识别代码(代码2)321a。此外，如本图所示，扩大率321b也可以与被检体101的身高、体重这样的身体数据321c一起被存储。

在匀场信息表322中，针对用于确定扩大率的每个识别代码(代码2)322a，登记有对各个通道施加的RF脉冲的强度和相位作为RF匀场参数322b。针对每个通道登记通道数的RF匀场参数322b。

在本实施方式中，匀场DB300可以不分割为扩大率表321和匀场信息表322，可以由一个表构成。

[匀场参数提取部]

与第一实施方式同样地，匀场参数提取部222提取出对应于与由变化量计算部221计算出的扩大率最接近的值而在匀场DB300中登记的RF匀场参数。

首先，访问扩大率表321，确定对应于与变化量计算部221计算出的扩大率最接近的扩大率321b所登记的识别代码(代码2)321a。然后，访问匀场信息表322，提取对应于与识别代码(代码2)321a一致的识别代码(代码2)322a所登记的RF匀场参数322b。

所谓最接近的扩大率，例如设为x方向和y方向各自的存储在扩大率表321中的扩大率321b与计算出的扩大率之间的差的平方和为最小的扩大率。

本实施方式的匀场参数决定部220将匀场参数提取部222所提取出的RF匀场参数决定为在测量中使用的RF匀场参数。

测量控制部210的处理，与第一实施方式相同。

如以上所说明的那样，与第一实施方式相同地，本实施方式的MRI装置具备：发送线圈151、测量控制部210以及匀场参数决定部220，匀场参数决定部220具备：匀场DB300、变化量计算部221以及匀场参数提取部222。所述相对于基准状态的变化量是所述被检体的体型相对于预先决定的基准体型的变化量。

这样，根据本实施方式，作为匀场DB300，预先登记有被检体101相对于基准状态的变化量所对应的RF匀场参数，在摄像时使用该RF匀场参数进行回波信号的测量。如上所述，相对于基准状态的变化量是被检体101相对于基准体型的扩大率。

因此，根据本实施方式，即使在被检体101的体型相对于基准体型而不同的情况下，也能够得到最适合的RF匀场参数，而不针对每次摄像计算B1分布来计算RF匀场参数。因此，能够不针对每次摄像计算B1分布地，高精度地进行RF匀场。因此，能够不降低精度地缩短整体的摄像时间。

此外，可以将本实施方式与第一实施方式相组合。即，变化量计算部221计算位移量和扩大率，并在匀场DB300中登记每个位移量和扩大率的RF匀场参数。

在该情况下，匀场DB300具备图4(a)所示的位移量表311、图6(a)所示的扩大率表321以及图6(c)所示的匀场信息表323。如本图所示，在匀场信息表323中，与确定位移量的识别代码(代码1)323a和确定扩大率的识别代码(代码2)323b的组合对应地登记有RF匀场参数323c。

匀场参数提取部222提取位移量和扩大率两者最接近的记录的RF匀场参数，匀场参数决定部220将该提取出的RF匀场参数决定为在测量中使用的RF匀场参数。

此外，在本实施方式中，也与第一实施方式同样地，用于计算扩大率的断面不限于通过静磁场中心。

《第三实施方式》

说明本发明的第三实施方式。在本实施方式中，计算在静磁场方向的多个位置的变化量。

本实施方式的MRI装置基本上与第一实施方式的MRI装置100具有相同的结构。此外，控制处理系统170的功能模块也基本上与第一实施方式相同。但是，在本实施方式中，变化量计算部221计算在静磁场方向的多个位置的变化量。此外，匀场DB300所保持的信息也是在各位置的变化量的RF匀场参数。

以下，着眼于与第一实施方式的差异结构来说明本实施方式。

[变化量计算部]

如图7所示，本实施方式的变化量计算部221在静磁场方向的多个位置(z＝z11、z12、z13)计算变化量。各位置是预先决定的。即，在各位置取得与静磁场方向垂直的断面的定位图像，在各个定位图像上计算变化量。

以下，在本实施方式中，以计算被检体101的该定位图像上的断面的重心位置相对于x＝0、y＝0的位置的位移量作为变化量的情况为例，进行说明。即，在本实施方式中，基准状态是被检体101的体轴通过静磁场中心且平行于静磁场方向的状态。此外，在各定位图像上的位移量的计算方法，与第一实施方式相同。

[匀场DB]

在本实施方式的匀场DB300中，对应于在静磁场方向的多个位置(z＝z1、z2、z3)的变化量，登记有RF匀场参数。图4(a)和图8中示出了该匀场DB300的例子。

在本实施方式中，列举由针对被检体101相对于基准状态的每个位移量赋予识别代码来存储的位移量表311、以及针对每个位移量存储各通道的RF匀场参数的匀场信息表332而构成匀场DB300的情况为例，进行说明。

在本实施方式的匀场信息表332中，针对用于确定每个位置(z＝z11、z12、z13)的变化量的识别代码(代码1)332a的每个组，登记有RF匀场参数322b。针对每个通道登记通道数的RF匀场参数322b。

在本实施方式中，匀场DB300可以不分割为位移量表311和匀场信息表332，可以由一个表构成。

[匀场参数提取部]

匀场参数提取部222，针对各位置，分别从位移量表311中提取对应于与变化量计算部221计算出的位移量最接近的位移量所登记的识别代码(代码1)311a。最接近的位移量，与第一实施方式相同。

然后，从匀场信息表332中提取与各位置的识别代码(代码1)311a的组一致的记录的RF匀场参数。

与第一实施方式相同地，本实施方式的匀场参数决定部220将匀场参数提取部222所提取出的RF匀场参数决定为在测量中使用的RF匀场参数。

测量控制部210的处理与第一实施方式相同。

如以上说明的那样，与第一实施方式相同地，本实施方式的MRI装置具备：发送线圈151、测量控制部210以及匀场参数决定部220，匀场参数决定部220具备：匀场DB300、变化量计算部221以及匀场参数提取部222。此外，在所述匀场数据库300中，对应于在所述静磁场方向的多个位置的所述变化量登记有所述RF匀场参数，所述变化量计算部221计算在所述多个位置的所述变化量。

这样，根据本实施方式，作为匀场DB300，预先登记有被检体101相对于基准状态的变化量所对应的RF匀场参数，在摄像时使用该RF匀场参数进行回波信号的测量。如上所述，相对于基准状态的变化量是被检体101的静磁场方向的多个位置的相对于基准状态的位移量。

因此，根据本实施方式，即使在被检体101的配置方向偏离基准状态的情况下，例如，即使是被检体101被倾斜地配置在MRI装置100的床上且被检体101的体轴方向偏离静磁场方向的情况下，也能够得到最合适的RF匀场参数，而不针对每次摄像计算B1分布来计算RF匀场参数。因此，能够不针对每次摄像计算B1分布地，高精度地进行RF匀场。因此，能够不降低精度地缩短整体的摄像时间。

此外，在上述实施方式中，在匀场DB300中，与多个定位图像各自的位移量对应地存储有RF匀场参数，但是不限于此。也可以如第二实施方式那样，对应于扩大率而存储RF匀场参数。这种情况下，与第二实施方式相同地，变化量计算部221在各位置取得的定位图像上计算被检体101的扩大率。

此外，还可以在匀场DB300中，对应于位移量和扩大率两者存储RF匀场参数。这种情况下，变化量计算部221在各定位图像上计算位移量和扩大率两者。

《第四实施方式》

接着，说明本发明的第四实施方式。在本实施方式中，针对静磁场方向的多个位置的每一个，在匀场DB中登记与变化量对应的RF匀场参数。

本实施方式的MRI装置基本上与第一实施方式的MRI装置100具有相同的结构。此外，控制处理系统170的功能结构也基本上与第一实施方式相同。但是，在本实施方式中，位移量计算部221还取得要计算变化量的断面的静磁场方向的位置的信息。此外，匀场DB300所保持的信息也是与每个位置的变化量相对应的RF匀场参数。基准状态是在静磁场方向的各位置，被检体101的断面的重心位置位于x＝0、y＝0的位置的状态。

以下，着眼于与第一实施方式的差异结构来说明本实施方式。

首先，说明本实施方式的概要。图9是用于说明本实施方式的概要的图。

本图的定位图像501、502、503是在z轴方向的多个位置(z21、z22、z23)取得的轴向图像。从这些定位图像501、502、503可知，在z轴方向的不同位置处，被检体101的断面面积不同。因此，在每个断层位置，RF匀场参数也不同。

在本实施方式中，保持有z轴方向的多个位置(z21、z22、z23)的被检体101的每个位移量的RF匀场参数。此外，此处作为一例示出了保持3处的数据的情况。

然后，在实际摄像时，从匀场DB300中提取与摄像断面的z坐标最接近的位置的数据。例如，在摄像断面的z坐标位于Lc1的范围的情况下，提取对应于z21所登记的数据。在位于Lc2的范围的情况下，提取对应于z22所登记的数据，在位于Lc3的范围的情况下，提取对应于z23所登记的数据。

[变化量计算部]

本实施方式的变化量计算部221计算在与静磁场方向垂直的预定的断面上，相对于x＝0、y＝0(该断面上的原点)的位置的位移量。此时，也一并输出该断面的z轴方向的位置(z轴坐标)，作为计算结果。

位移量的计算方法，与第一实施方式相同。

[匀场DB]

在本实施方式的匀场DB300中，例如针对静磁场方向的多个位置的各个位置，对应于变化量而登记有RF匀场参数。图4(a)和图10中示出了本实施方式的匀场DB300的例子。

在本实施方式中，以由针对被检体101相对于基准状态的每个位移量赋予识别代码来存储的位移量表311、以及针对每个位移量存储各通道的RF匀场参数的匀场信息表342而构成匀场DB300的情况为例，进行说明。

与第一实施方式相同地，在本实施方式的匀场信息表342中登记有每个识别代码342a的各通道的RF匀场参数342b。但是，在本实施方式中，针对z轴方向的每个位置(z21、z22、z23)登记这些数据。此外，针对每个通道登记通道数的RF匀场参数342b。

在本实施方式中，匀场DB300可以不分割为位移量表311和匀场信息表332，可以由一个表构成。

[匀场参数提取部]

匀场参数提取部222分别从位移量表311中提取对应于与由变化量计算部221计算出的位移量最接近的位移量所登记的识别代码(代码1)311a。最接近的位移量，与第一实施方式相同。

然后，从匀场信息表332中提取与各位置的识别代码(代码1)311a一致的记录的RF匀场参数。此时，在本实施方式中，从对应于与从变化量计算部221接收到的摄像断面位置最接近的位置而在匀场信息表342中登记的数据组中提取RF匀场参数。

与第一实施方式相同地，本实施方式的匀场参数决定部220将匀场参数提取部222所提取出的RF匀场参数决定为在测量中使用的RF匀场参数。

测量控制部210的处理，与第一实施方式相同。

如以上说明的那样，与第一实施方式相同地，本实施方式的MRI装置100具备：发送线圈151、测量控制部210以及匀场参数决定部220，匀场参数决定部220具备：匀场DB300、变化量计算部221以及匀场参数提取部222。此外，在所述匀场数据库300中，针对所述静磁场方向的多个位置的每一个，对应于所述变化量地登记有所述RF匀场参数，所述匀场参数提取部222从对应于与摄像断层位置最接近的位置而登记的变化量中提取所述RF匀场参数。

这样，根据本实施方式，作为匀场DB300，关于多个断面位置预先登记有被检体101相对于基准状态的变化量所对应的RF匀场参数，在摄像时使用该RF匀场参数进行回波信号的测量。如上所述，相对于基准状态的变化量是被检体101相对于摄像断面上的原点的位移量。

因此，根据本实施方式，即使在以相对于基准位置发生了移位的状态配置被检体101的情况下，也能够得到最佳的RF匀场参数，而不针对每次摄像计算B1分布来计算RF匀场参数。因此，能够不针对每次摄像计算B1分布地，高精度地进行RF匀场。因此，能够不降低精度地，缩短整体的摄像时间。

此外，根据上述实施方式，摄像位置不受限制。

此外，在上述实施方式中，在匀场DB300中，与位移量对应地存储有RF匀场参数，但是不限于此。也可以如第二实施方式那样，对应于扩大率来存储RF匀场参数。这种情况下，与第二实施方式相同地，变化量计算部221在与摄像断面相同的位置的定位图像上计算被检体101的扩大率。

此外，还可以在匀场DB300中，对应于位移量和扩大率两者存储RF匀场参数。这种情况下，变化量计算部221在各定位图像上计算位移量和扩大率两者。

<变形例之一>

此外，在上述各个实施方式中，构成为对摄像区域整体的B1不均进行调整，然而不限于此。例如，如图11所示，对B1不均进行调整的范围可以是其一部分区域500。即，设上述各个实施方式的预定区域为被检体101的断面的一部分区域500。

在本变形例中，变化量计算部221计算被检体101的上述区域500相对于基准状态的变化量。变化量可以是相对于基准位置的位移量、相对于基准体型的扩大率等上述各个实施方式的某一种。

此外，在匀场DB300中，对应于上述区域500的变化量登记有使该区域的B1分布均匀的RF匀场参数。

<变形例之二>

此外，在上述各个实施方式中，构成为从匀场DB300中提取出与计算出的位移量最接近的位移量所对应的RF匀场参数，使用所提取出的RF匀场参数进行测量，然而不限于此。

例如，也可以构成为，在匀场DB300中未登记有合适的值的情况下计算B1分布，并据此来计算RF匀场参数，重新登记在匀场DB300中，并且使用该RF匀场参数来进行测量。

所谓未登记有合适的值的情况，例如是位移量计算部221计算出的位移量(以下，称为计算位移量)与在匀场DB300中登记的最接近的位移量(以下，称为登记位移量)之间的差异超过了预定的阈值的情况，或者计算位移量超过了登记位移量的最大值的情况等。

[控制处理系统的功能结构]

在本变形例中，如图12所示，匀场参数决定部220除了上述结构以外，还具备B1分布计算部223、匀场参数计算部224以及匀场DB更新部225。

[B1分布计算部]

B1分布计算部223计算对摄像区域照射的高频磁场分布(B1分布)。在本变形例中，计算在使用用户设定为摄像条件的RF匀场参数的情况下的B1分布。

B1分布的计算使用已知的方法。例如，使用二倍角法(Double Angle Method)。这是使用以任意翻转角(flip angle)α及其2倍的翻转角2α拍摄而得的图像来计算B1分布的方法。

此外，也可以取得翻转角不同的多张图像，并利用针对每个脉冲序列而定义的信号强度的理论式对所取得的图像信号进行拟合，由此来计算B1分布。

此外，也可以不进行拟合，而根据信号强度变化的周期来计算B1分布。

此外，也可以在附加了预脉冲的脉冲序列中，阶段性地改变预脉冲的翻转角来拍摄多张图像，并根据信号强度变化的周期来计算B1分布。

[匀场参数计算部]

匀场参数计算部224按照B1分布计算部223计算出的B1分布，计算用于消除(降低)B1不均的RF匀场参数，即从各通道照射的RF脉冲的相位和强度。

例如使用最小二乘法来进行RF匀场参数的计算。这里，计算各通道之间的相位差和强度比。

具体地，当设理想的B1分布为m，设各通道的B1分布为A，设各通道中的RF脉冲的相位差和强度比为x时，它们有行列式m＝Ax的关系。这里，设理想的B1分布m的要素全部为相同的值。通过最小二乘法求出满足上述m＝Ax的x的最佳值，并计算各通道之间的相位差和强度比。

[匀场DB更新部]

匀场DB更新部225对应于变化量计算部221计算出的位移量(计算位移量)，将所计算出的RF匀场参数登记到匀场DB300中，由此来更新匀场DB300。

在本变形例中，如上所述，匀场DB更新部225在计算位移量与登记在匀场DB300(位移量表311)中的与计算位移量最接近的登记位移量之间的差为预先决定的阈值以上的情况下，使B1分布计算部223计算B1分布，使匀场参数计算部224计算RF匀场参数，并将该计算出的RF匀场参数登记到匀场DB300中。

或者，匀场DB更新部225在计算位移量为预先决定的阈值以上的情况下，使B1分布计算部223计算B1分布，使匀场参数计算部224计算RF匀场参数，并将该计算出的RF匀场参数登记到匀场DB300中。在该情况下，对于阈值，使用在匀场DB300(位移量表311)中登记的x方向和y方向的最大位移量。即在x方向和y方向中的至少一方的计算位移量为该方向的登记位移量的最大值以上的情况下，使B1分布计算部计算B1分布。

此外，在该变形例中，匀场参数决定部220在匀场DB300中登记有合适的值的情况下，使用从匀场DB300中提取出的RF匀场参数，在未登录有合适的值的情况下，使用计算出的RF匀场参数。

说明该变形例中的匀场参数决定部220的RF匀场参数决定处理的流程。图13是本变形例的RF匀场参数决定处理的处理流程。

首先，变化量计算部221对计算位移量进行计算(步骤S1101)。

接着，匀场DB更新部225通过上述方法来判别是否要进行B1分布计算(步骤S1102)。

这里，在匀场DB300中登记有合适的值，判别为不需要计算的情况下，匀场参数提取部222提取对应于计算位移量而在匀场DB300中登记的RF匀场参数(Spd)(步骤S1103)。然后，匀场参数决定部220将提取出的RF匀场参数Spd决定为在测量中使用的RF匀场参数(步骤S1104)，并结束处理。

另一方面，在步骤S1102中判别为需要计算的情况下，B1分布计算部223计算B1分布(步骤S1105)，匀场参数计算部224根据所计算出的B1分布来计算RF匀场参数(Spc)(步骤S1106)。

匀场DB更新部225将所计算出的RF匀场参数(Spc)登记到匀场DB300中，并更新匀场DB300(步骤S1107)。此外，匀场参数决定部220将计算出的RF匀场参数(Spc)决定为在测量中使用的RF匀场参数(步骤S1108)，并结束处理。

这样，本变形例的所述匀场参数决定部220还具备：高频磁场分布计算部(B1分布计算部)223，其计算对摄像区域照射的高频磁场分布；匀场参数计算部224，其计算用于降低所计算出的所述高频磁场分布的不均的所述RF匀场参数；以及匀场数据库更新部(匀场DB更新部)225，其对应于所述计算出的变化量，将所述计算的RF匀场参数登记到所述匀场数据库中，并更新所述匀场数据库。

也可以是，所述匀场数据库更新部225在所述变化量计算部221计算出的变化量与登记在所述匀场数据库300中的与该变化量最接近的变化量之间的差为预先决定的阈值以上的情况下，使所述高频磁场分布计算部223计算所述高频磁场分布，使所述匀场参数计算部224计算所述RF匀场参数，并将该计算出的RF匀场参数登记到所述匀场数据库300中。

或者，也可以是，所述匀场数据库更新部225在所述变化量计算部221计算出的变化量为预先决定的阈值以上的情况下，使所述高频磁场分布计算部223计算所述高频磁场分布，使所述匀场参数计算部224计算所述RF匀场参数，并将该计算出的RF匀场参数登记到所述匀场数据库300中。

这样，与上述实施方式同样地，根据本变形例，与相对于磁场中心的位移量对应地在匀场DB300中登记有RF匀场参数，因此，通过使用其能够高速地进行高精度的测量。此外，在匀场DB300中未登记有与被检体101的位移量对应的RF匀场参数的情况下，能够追加登记与该位移量对应的RF匀场参数。

因此，每当重复进行测量时，能够充实数据库，提高之后的处理的速度、精度。

<变形例之三>

此外，在上述各实施方式中可以构成为，一边更新匀场DB300一边决定RF匀场参数。这种情况下，对B1分布进行实测来决定RF匀场参数。然后，将根据实测出的B1分布而计算出的RF匀场参数与在匀场DB300中登记的同条件的RF匀场参数相比较，决定在回波信号测量时使用的RF匀场参数。此时，在将根据实测结果而计算出的RF匀场参数决定为要使用的RF匀场参数的情况下，将该RF匀场参数新登记到匀场DB300中。

这种情况下，如图12所示，匀场参数决定部220在第一实施方式的变形例的结构的基础上，还具备接受部226。此外，匀场DB更新部225的处理是不同的，在匀场DB300中一并登记有成为RF匀场参数计算的基础的B1分布。

[匀场参数决定部]

本变形例的匀场参数决定部220将所计算的RF匀场参数(Spc)与从匀场DB300中提取出的RF匀场参数(Spd)进行比较，在两者的差异不足预先决定的阈值的情况下，将计算出的RF匀场参数(Spc)决定为在测量中使用的RF匀场参数。

另一方面，在差为阈值以上的情况下，由用户判断所计算出的RF匀场参数(Spc)是否适合，在判断为适合的情况下，将所计算出的RF匀场参数(Spc)决定为在测量中使用的RF匀场参数。

在差为阈值以上且由用户判断为所计算出的RF匀场参数(Spc)不适合的情况下，由用户判断在匀场DB300中提取出的RF匀场参数(Spd)是否适合。然后，在判断为其适合的情况下，将提取出的RF匀场参数(Spd)决定为在测量中使用的RF匀场参数。

此外，在判断为任一种RF匀场参数均不适合的情况下，再次重新计算B1分布。或者，也可以使用RF匀场参数的初始值。关于要如何处理，接受来自用户的指示来决定。此外，关于要如何处理，也可以预先决定。

在再次计算B1分布时，有可能对被检体101的身体的朝向、身高体重、测量部位等进行了错误的设定，因此，对其进行再确认，在有错误的情况下，在进行修正之后再进行。此外，也可以变更B1计算时的条件而进行再计算，或者使用不同的B1计算方法来进行再计算等。

匀场参数决定部220通过向用户提示使用该RF匀场参数的情况下的B1分布，由用户来判断RF匀场参数是否合适。

此外，针对每个通道，针对每种强度、相位来进行差的计算。然后，在差的绝对值之一为阈值以上的情况下，就判别为“差为阈值以上”。此外，关于在判别中使用的阈值，在该RF匀场参数的3σ内等针对每个部位而预先决定。

[接受部]

本变形例的接受部226向用户提示B1分布，从用户接受是否合适的指示。

在B1分布计算部223计算出的RF匀场参数(Spc)与匀场参数提取部222提取出的RF匀场参数(Spd)之间的差为预先决定的阈值以上的情况下，接受部226向用户提示在使用所计算出的RF匀场参数(Spc)的情况下的B1分布(计算分布)。然后，从用户接受该B1分布是否合适。

在变形例中，通过在显示装置173中显示B1分布来向用户提示。在图14(a)和图14(b)中示出了提示时的显示画面400的例子。如本图中所示，显示画面400具备显示B1分布的显示区域410、以及从用户接受是否合适的指示的指示接受区域420。

例如，如图14(a)所示，在所提示的B1分布的均匀度不充分的情况下，用户按压“不合适”按钮，进行意为不合适的指示。另一方面，如图14(b)所示，在所提示的B1分布的均匀度充分的情况下，用户按压“合适”按钮，进行意为合适的指示。

此外，在本变形例中，在判断为所计算出的B1分布(计算分布)不合适的情况下，接受部226向用户提示成为从匀场DB300提取出的RF匀场参数Spd的计算的基础的B1分布(登记分布)，并接受其是否合适。

此外，在使用所计算出的RF匀场参数(Spc)的情况下的B1分布(计算分布)，由B1分布计算部223计算。

此外，如图12所示，还可以具备B1均匀度计算部227。B1均匀度计算部227根据所计算出的B1分布(计算分布)来计算表示B1分布的均匀度的指标。对于指标，可以使用方差、标准偏差这样的各种统计值。

这种情况下，接受部226进行B1分布的显示，并且向用户提示表示B1分布的均匀度的指标。

[匀场DB更新部]

在计算出的RF匀场参数(Spc)与由匀场参数提取部222提取出的RF匀场参数(Spd)之间的差小于预先决定的阈值的情况下，本变形例的匀场DB更新部225对应于由变化量计算部221计算出的位移量，将计算出的RF匀场参数(Spc)登记到匀场DB300中。

此外，即使是在上述差为阈值以上的情况下，在从用户接受到意为所计算出的RF匀场参数(Spc)合适的指示的情况下，本变形例的匀场DB更新部225对应于由变化量计算部221计算出的位移量，将计算出的RF匀场参数(Spc)登记到匀场DB300中。

此外，在将RF匀场参数(Spc)登记到匀场DB300中时，在已经登记有与变化量计算部221计算出的变化量相同的变化量所对应的RF匀场参数的情况下，进行覆盖。或者可以放弃新计算出的一方。此外，为了有助于匀场参数的精度提高，也可以作为研究用数据而另外保存。

[RF匀场参数决定处理]

说明本变形例的匀场参数决定部220的RF匀场参数决定处理的流程。图15是本变形例的RF匀场参数决定处理的处理流程。

变化量计算部221计算位移量(步骤S2101)。

B1分布计算部223使用作为摄像条件而设定的RF匀场参数(初始值)，计算B1分布(步骤S2102)。

匀场参数计算部224根据所计算的B1分布来计算RF匀场参数(Spc)(步骤S2103)。

此外，匀场参数提取部222提取对应于在步骤S2101中计算出的位移量而在匀场DB300中登记的RF匀场参数(Spd)(步骤S2104)。此外，只要本处理是在步骤S2101至接下来的步骤S2105之间，则不论在哪个定时进行均可。

匀场参数决定部220计算所计算出的RF匀场参数(Spc)与所提取出的RF匀场参数(Spd)之间的差，并判别二者的差的绝对值是否为预先决定的阈值以上(步骤S2105)。

如果小于阈值，则匀场DB更新部225对应于在步骤S2101中计算出的位移量，将所计算的RF匀场参数(Spc)登记到匀场DB300中(步骤S2106)。然后，匀场参数决定部220将所计算出的RF匀场参数(Spc)决定为在测量中使用的RF匀场参数(步骤S2107)，并结束处理。

另一方面，在步骤S2105中，在差为阈值以上的情况下，接受部226向用户提示在使用步骤S2103中计算出的RF匀场参数(Spc)的情况下的B1分布(步骤S2108)，并接受是否合适的指示(步骤S2109)。这里，在接受到意为合适的指示的情况下，转移到步骤S2106。

另一方面，在步骤S2109中，在接受到意为不合适的指示的情况下，接受部226向用户提示对应于在步骤S2104中提取出的RF匀场参数(Spd)而登记在匀场DB300中的B1分布(步骤S2110)，接受是否合适的指示(步骤S2111)。

在步骤S2111中接受到意为合适的指示的情况下，匀场参数决定部220将在步骤S2104中提取出的RF匀场参数(Spd)决定为在测量中使用的RF匀场参数(步骤S2112)，并结束处理。

在步骤S2111中接受到意为不合适的指示的情况下，匀场参数决定部220返回到步骤S2102，对B1分布进行再计算，并重复进行处理。此外，如上所述，在预先决定为要使用初始值的情况下，决定为使用匀场参数的初始值，并结束处理。此外，在由用户来选择要如何处理的情况下，接受部226接受来自用户的指示，匀场参数决定部220根据指示而返回到步骤S2102，或者决定为使用初始值。

这样，与变形例之二同样地，本变形例的匀场参数决定部220还具备高频磁场分布计算部223、匀场参数计算部224以及匀场数据库更新部(DB更新部)225。在所述计算出的RF匀场参数与由所述匀场参数提取部所提取出的RF匀场参数之间的差小于预先决定的阈值的情况下，所述匀场数据库更新部225将所述计算出的RF匀场参数登记到所述匀场数据库300中。

所述匀场参数决定部220还可以具备向用户提示高频磁场分布，并从用户接受是否合适的指示的接受部226，在所述计算出的RF匀场参数与由所述匀场参数提取部222所提取出的RF匀场参数之间的差为预先决定的阈值以上的情况下，所述接受部226向用户提示在使用所述计算出的RF匀场参数的情况下的高频磁场分布(计算分布)，在从用户接受到意为所述提示的高频磁场分布(计算分布)合适的指示的情况下，所述匀场数据库更新部225将所述计算出的RF匀场参数登记到所述匀场数据库300中。

在所述匀场数据库300中，对应于所述RF匀场参数而登记有在使用该RF匀场参数的情况下的高频磁场分布即登记分布，所述接受部226在从用户接受到意为所述提示的高频磁场分布(计算分布)不合适的指示的情况下，向用户提示对应于所述提取出的RF匀场参数而在所述匀场数据库中登记的所述登记分布。

这样，根据本变形例，能够在测量中使用更加合适的RF匀场参数。此外，即使在计算B1分布且所决定的RF匀场参数为不当值的情况下，也能够在实施正式摄像之前进行RF匀场参数的修正，能够防止正式摄像的重新进行。

<变形例之四>

此外，在上述各实施方式中，在匀场DB300中登记了发送线圈151的通道数的RF匀场参数。但是，在匀场DB300中登记的RF匀场参数不限于此。

例如，还可以构成为保持多个不同通道数的各自的RF匀场参数。例如，保持2通道结构的情况下的RF匀场参数和4通道结构的情况下的RF匀场参数。即，可以在匀场DB300中针对每个通道数登记有RF匀场参数。

该情况下，匀场参数提取部222基本上提取与在摄像时使用的结构的通道数对应地登记的RF匀场参数，并设为在测量中使用的RF匀场参数。

但是，也可以使用与少于所用的通道数的通道数对应地登记的RF匀场参数。例如，在摄像时使用的总信线圈151为4通道结构的情况下，可以构成为使用为了2通道结构而登记的RF匀场参数，对2个通道给出相同的RF匀场参数。

该情况下，例如MRI装置100还具备均匀度计算部227，其使用所提取出的RF匀场参数来计算在照射高频磁场的情况下的高频磁场分布的均匀度。

匀场参数提取部222从匀场DB300中提取2通道用的RF参数和4通道用的RF参数。然后，均匀度计算部分别计算使用2通道用的RF参数的情况下的均匀度和使用4通道用的RF参数的情况下的均匀度。

匀场参数决定部220将均匀度更高的一方的RF参数决定为在测量中使用的RF参数。然后，测量控制部210使用所计算出的均匀度高的一方的所述RF参数。

此外，本变形例还可以在上述变形例之三的、判别从匀场DB300中提取出的RF匀场参数是否合适时使用。

<变形例之五>

此外，在上述各实施方式中还可以构成为，为了降低静磁场的不均也利用数据库。

作为降低静磁场分布(B0分布)的不均的方法，有被称为B0匀场的方法，其使用匀场线圈，并调整在该匀场线圈中流过的电流的参数(B0匀场参数)。

[MRI装置]

图16中示出了该情况下的MRI装置100的静磁场发生系统120的结构。如本图所示，静磁场发生系统120还具备匀场线圈121，其按照所给出的静磁场匀场参数(B0匀场参数)来调整静磁场的不均；以及匀场电源122，其向该匀场线圈121供给电流。

匀场电源122按照来自控制处理系统170的指示，经由定序器140向匀场线圈121供给电流。

本变形例的匀场DB300中，对应于被检体101相对于基准状态的变化量登记有B0匀场参数。

此外，匀场参数提取部222进而提取对应于与变化量最接近的值在匀场DB300中保持的B0匀场参数，测量控制部210也使用所提取出的B0匀场参数来测量回波信号。

相对于基准状态的变化量，能够使用上述各实施方式的变化量。此外，与上述变形例同样地，B0不均的纠正范围可以是一部分区域500。此外，与上述变形例同样地，还可以使用对应于更少通道数而登记在匀场DB300中的B0匀场参数。

此外，针对B0匀场参数，也与上述变形例之一同样地，可以构成为，在匀场DB300中未登记有合适的值的情况下，对B0进行实测，并基于此计算B0匀场参数，更新匀场DB300。

此外，与上述变形例之二同样地，可以构成为，将从实测出的B0分布得到的B0匀场参数与在匀场DB300中登记的B0匀场参数进行比较，来决定在摄像时使用的B0匀场参数。

这样，本变形例的MRI装置100还具备匀场线圈121，其按照所给出的静磁场匀场参数来调整所述静磁场的不均，在所述匀场数据库300中，对应于所述变化量登记有所述静磁场匀场参数，所述匀场参数提取部222进而提取对应于与所述变化量最接近的值在所述匀场数据库300中保持的所述静磁场匀场参数，所述测量控制部210还使用所述静磁场匀场参数来测量所述回波信号。

因此，根据本变形例，即使被检体101以相对于基准状态发生了变化的方式进行了配置，也能够获得B0匀场参数，而不针对每次测量来计算B0分布。因此，能够高速地实现高精度的B0匀场。

此外，本发明的实施方式不限于上述各实施方式和变形例，在不脱离发明的主旨的范围内可以进行各种追加、变更等。

符号说明

100MRI装置、101被检体、120静磁场发生系统、121匀场线圈、122匀场电源、130梯度磁场发生系统、131梯度磁场线圈、132梯度磁场电源、140定序器、150发送系统、151总信线圈、151发送线圈、152高频振荡器、153调制器、154高频放大器、160接收系统、161接收线圈、162信号放大器、163正交相位检波器、164A/D转换器、170控制处理系统、171CPU、172存储装置、173显示装置、174输入装置、210测量控制部、220匀场参数决定部、221变化量计算部、222匀场参数提取部、223B1分布计算部、224匀场参数计算部、225匀场DB更新部、226接受部、227均匀度计算部、300匀场DB、311位移量表、311a识别代码、311b位移量、311c测量部位、312匀场信息表、312a识别代码、312b RF匀场参数、321扩大率表、321a识别代码、321b扩大率、321c身体数据、322匀场信息表、322a识别代码、322b RF匀场参数、323匀场信息表、323a识别代码、323b识别代码、323c RF匀场参数、332匀场信息表、342匀场信息表、342a识别代码、342b RF匀场参数、400显示画面、410显示区域、420指示接受区域、500均匀化区域。