多负极板射频治疗仪的制作方法

本技术涉及医疗器械领域，特别是一种多负极板射频治疗仪。

背景技术：

1、射频治疗仪是非介入、无创伤式美容仪器，射频治疗仪设有治疗手柄，在治疗手柄上设有电极，利用电极与人体接触后，发送预设频率的射频能量改变皮肤的状态，利用真皮层胶原纤维在55～70℃时会立即产生收缩的原理，促进胶原蛋白合成并加快再生，使得胶原纤维收缩拉紧，刺激分泌更多新的胶原质来填补萎缩和流失的胶原蛋白空隙。现有技术中通常采用一个治疗头适配多种频率的方案，但是在不同频率下，需要采用不同的功率，这导致电路复杂程度较高。由于部分频率下的功率较大，例如射频熔脂、射频电灼治疗方案中，贴在人体表面与人体接触的负极板处，通常因射频功率较大从而使局部产生很大位移电流，容易使皮肤产生过热甚至烫伤的情况。例如中国专利文献cn 201735065 u中记载的新型射频美容仪即存在该问题。

技术实现思路

1、本实用新型所要解决的技术问题是提供一种多负极板射频治疗仪，能够避免接触负极的皮肤出现过热现象，还能够简化控制电路，尤其是提供射频功放的电路。

2、为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种多负极板射频治疗仪，包括治疗仪，治疗仪与治疗手柄连接，治疗手柄与不同输出频率的功放板电连接；

3、治疗仪还设有至少两个负极，负极用于在功率较大的功放板进行治疗时与人体接触连接。

4、优选的方案中，治疗仪的结构为：电源系统与主控系统电连接，电源系统与射频功放板电连接，主控系统与射频功放板电连接，射频功放板与治疗手柄电连接，射频功放板还与第一负极和第二负极电连接。

5、优选的方案中，所述的第一负极和第二负极端头设有负极板，负极板的结构包括多层的铜箔层，在铜箔层内设有预埋导电板，预埋导电板与导线电连接，多层的铜箔层之间通过铆钉连接，在多层的铜箔层的外缘设有导电橡胶包边。

6、优选的方案中，所述的导线与第一负极或第二负极电连接。

7、优选的方案中，所述的电源系统设有供电滤波模块，供电滤波模块与射频功放板电连接，用于给射频功放板供电；

8、优选的方案中，射频功放板设有一级e类射频功放配合级联型多电平e类功放电路，输出功率达到53dbm。

9、优选的方案中，所述的射频功放板中设有射频发生单元、控制信号输入单元和射频信号多级放大单元；

10、射频发生单元用于生成射频信号；

11、控制信号输入单元用于与主控系统连接，以根据主控系统的设定生成射频信号；

12、射频信号多级放大单元用于增大输出射频的功率至治疗手柄；

13、射频功放板的接地与第一负极和第二负极电连接。

14、优选的方案中，射频功放板的输出频率为300khz~30ghz。

15、优选的方案中，主控系统采用stm32系列单片机。

16、本实用新型提供的多负极板射频治疗仪，通过采用多负极的方案，能够避免在治疗过程中出现皮肤产生过热甚至烫伤的隐患，提高治疗体验和安全性。设置的负极板结构，能够可靠的传递电荷，并且能够根据皮肤适当变形,提高贴合度。

技术特征：

1.一种多负极板射频治疗仪，其特征是：包括治疗仪（4），治疗仪（4）与治疗手柄连接，治疗手柄与射频功放板电连接；

2.根据权利要求1所述的一种多负极板射频治疗仪，其特征是：所述的导线（103）与第一负极（5）或第二负极（6）电连接。

3.根据权利要求1所述的一种多负极板射频治疗仪，其特征是：所述的电源系统（402）设有供电滤波模块（4021），供电滤波模块（4021）与射频功放板（401）电连接，用于给射频功放板（401）供电。

4.根据权利要求3所述的一种多负极板射频治疗仪，其特征是：射频功放板（401）设有一级e类射频功放配合级联型多电平e类功放电路，输出功率达到53dbm。

5.根据权利要求1所述的一种多负极板射频治疗仪，其特征是：所述的射频功放板（401）中设有射频发生单元（4011）、控制信号输入单元（4012）和射频信号多级放大单元（4013）；

6.根据权利要求5所述的一种多负极板射频治疗仪，其特征是：射频功放板（401）的输出频率为300khz~30ghz。

7.根据权利要求1所述的一种多负极板射频治疗仪，其特征是：主控系统（403）采用stm32系列单片机。

技术总结
本技术提供一种多负极板射频治疗仪，一种多负极板射频治疗仪，包括治疗仪，治疗仪与治疗手柄连接，治疗手柄与射频功放板电连接；治疗仪还设有至少两个负极，负极用于在射频功放板进行治疗时与人体接触连接。治疗仪的结构为：电源系统与主控系统电连接，电源系统与射频功放板电连接，主控系统与射频功放板电连接，射频功放板与治疗手柄电连接，射频功放板还与第一负极和第二负极电连接。通过采用多负极的方案，能够避免在治疗过程中出现皮肤产生过热甚至烫伤的隐患，提高治疗体验和安全性。设置的负极板结构，能够可靠的传递电荷，并且能够根据皮肤适当变形。

技术研发人员：燕自保,申彬,刘泉,董朝阳
受保护的技术使用者：武汉中科科理光电技术有限公司
技术研发日：20220722
技术公布日：2024/1/12