磁刺激组件的制作方法

文档序号:34984496发布日期:2023-08-03 18:33阅读:32来源:国知局
磁刺激组件的制作方法

本技术涉及tms磁刺激,特别涉及一种磁刺激组件。


背景技术:

1、目前,市场上经颅磁(tms)磁刺激设备主要存在问题是对于优点疗法这种长时间高强度刺激不能完美支持。为了实现高强度磁刺激,需要tms磁刺激设备提供较大的输出电流。相应地,tms磁刺激线圈上的电流也会较大,从而导致磁刺激线圈以及连接的电缆容易发热,对电力功率的需求更大。

2、另外,现有的tms磁刺激设备普遍存在体积较大从而导致使用不便捷的缺点。


技术实现思路

1、综上所述,需要为了最优化体积和散热等重新设计磁刺激线圈的驱动单元。另外,还需要为了适应优点疗法的剂量要求,设计满足要求的磁刺激线圈的充电系统,以实现快速充电,达到优点疗法要求的脉冲时序要求。

2、为了解决现有技术中存在的上述问题和缺陷的至少一个方面,本实用新型的实施例提供了一种磁刺激组件,所述磁刺激组件包括:

3、进行tms磁刺激的磁刺激单元;

4、对磁刺激组件进行控制的tms控制单元;

5、与磁刺激单元连接并对磁刺激单元进行放电驱动产生交变磁场的tms驱动单元;

6、为tms驱动单元进行充电的tms充电单元。

7、在一些实施例中,所述tms驱动单元包括直流电源、第一开关、第二开关、高压储能充放电电容以及控制器,

8、通过导线依次连接直流电源、第一开关、第二开关和所述磁刺激单元,所述高压储能充放电电容连接在第一开关和第二开关之间,所述控制器控制第一开关和第二开关打开和关闭的控制时序互为脉冲波形。

9、在一些实施例中,所述tms充电单元还包括对高压储能充放电电容充电的半桥准谐振拓扑电路。

10、在一些实施例中,所述tms控制单元还包括采用肌采集无线传输技术的无线精准对时单元。

11、在一些实施例中,所述磁刺激组件还包括

12、为磁刺激组件提供整体emc屏蔽的tms屏蔽外箱,所述tms充电单元和所述tms驱动单元放置在所述tms屏蔽外箱内。

13、在一些实施例中,所述磁刺激组件还包括:

14、与tms屏蔽外箱装配的tms屏蔽外箱上盖;

15、设置在tms屏蔽外箱底部上的tms托盘组件。

16、在一些实施例中,所述磁刺激组件还包括

17、将tms控制单元、tms驱动单元、tms充电单元固定在tms托盘组件上的固定件;和

18、用于连接外部电源线和通讯线的tms屏蔽外箱连接端子,

19、其中tms驱动单元与tms充电单元通过线束连接,tms驱动单元与tms控制单元之间通过排线连接,所述tms控制单元固定在所述tms充电单元的一端上并且与tms充电单元电连接。

20、在一些实施例中,所述磁刺激组件还包括:对磁刺激单元进行主动制冷的主动冷却单元,所述主动冷却单元为采用半导体制冷技术的半导体冷却系统。

21、在一些实施例中,所述磁刺激单元包括第一刺激面、第二刺激面和位于它们两者之间的磁刺激线圈,所述第一刺激面和第二刺激面具有相同的形状和外观,所述磁刺激线圈靠近第一刺激面设置,所述磁刺激线圈产生的磁场在从第一刺激面至第二刺激面的方向上逐渐衰减。

22、在一些实施例中,所述第一刺激面和第二刺激面之间设置有支撑壳体,所述磁刺激线圈的形状为8字形或圆圈形。

23、本实用新型实施例提供的磁刺激组件具有以下优点中的至少一个:

24、(1)本实用新型的磁刺激组件在tms驱动单元中设置有高压储能充放电电容,实现了最优化的体积设计、散热等;

25、(2)本实用新型的磁刺激组件在tms充电单元中采用半桥准谐振拓扑电路,实现了根据tms脉冲工作特性,一直处于给高压储能充放电电容充电的状态,从而针对优点疗法的剂量设计了满足tms要求的充电系统,实现了快速充电,到达了优点疗法的脉冲时序。在当前的tms充电单元中,由于使用了半桥准谐振拓扑电路,能获得比较高的效率和稳定性;

26、(3)本实用新型的磁刺激组件采用了肌采集单元无线传输技术,解决了采集运动诱发电位(mep)波形时与tms刺激的同步性问题,tms内部也采用了无线精准对时单元,其误差可以控制在微秒级,使得mep波形采集时间误差几乎可以忽略不计。



技术特征:

1.一种磁刺激组件,其特征在于,所述磁刺激组件包括:

2.根据权利要求1所述的磁刺激组件,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的磁刺激组件,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的磁刺激组件,其特征在于,

5.根据权利要求1-4中任一项所述的磁刺激组件,其特征在于,

6.根据权利要求5所述的磁刺激组件,其特征在于,

7.根据权利要求6所述的磁刺激组件,其特征在于,

8.根据权利要求7所述的磁刺激组件,其特征在于,

9.根据权利要求1-4中任一项所述的磁刺激组件,其特征在于,

10.根据权利要求9所述的磁刺激组件,其特征在于,


技术总结
本技术公开了一种磁刺激组件,涉及经颅磁刺激技术领域。该所述磁刺激组件包括:进行TMS磁刺激的磁刺激单元;对磁刺激组件进行控制的TMS控制组件;对磁刺激单元进行放电驱动产生交变磁场的TMS驱动单元;为与磁刺激单元连接的TMS驱动单元进行充电的TMS充电单元。该磁刺激组件能够满足对大功率的需求。

技术研发人员:覃剑,韩鹏浩,戚利飞,张立民
受保护的技术使用者:北京银河方圆科技有限公司
技术研发日:20221220
技术公布日:2024/1/13
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