一种涂层结构及介入医疗器械的制作方法

文档序号:34416651发布日期:2023-06-08 17:26阅读:28来源:国知局
一种涂层结构及介入医疗器械的制作方法

本申请涉及医疗器械领域,特别是涉及一种涂层结构及介入医疗器械。


背景技术:

1、随着医疗技术的发展,出现了超声成像技术,超声成像技术具有成像效果好、实时成像、操作简便、无放射性污染等优点。由于超声成像实时便捷的特性,使得超声成像特别适合与多种介入治疗方式结合在一起。然而,超声成像在介入治疗中存在显像不佳的问题。


技术实现思路

1、基于此,有必要针对超声成像在介入治疗中显像不佳的问题,提供一种涂层结构及介入医疗器械。

2、为了实现上述目的,第一方面,本申请提供一种用于介入医疗器械的涂层结构,该涂层结构包括聚合物层,所述聚合物层内设有多个间隔排布的微气泡,以使所述聚合物层形成多孔结构,所述多孔结构的孔隙率介于50%-95%;所述聚合物层用于包覆于所述介入医疗器械的探测部上。

3、在其中一个实施例中,所述聚合物层的厚度介于0.01-1.5mm。

4、在其中一个实施例中,所述微气泡的直径介于10-300um。

5、在其中一个实施例中,所述涂层结构还包括增韧层,所述增韧层设于所述聚合物层背离所述探测部的一侧。

6、在其中一个实施例中,所述增韧层的厚度介于10-500um。

7、在其中一个实施例中,所述涂层结构还包括润滑层,所述润滑层设于所述增韧层背离所述聚合物层的一侧。

8、在其中一个实施例中,所述润滑层的厚度介于1-100um。

9、在其中一个实施例中,所述涂层结构还包括粘接层,所述粘接层设于所述聚合物层和所述探测部之间。

10、在其中一个实施例中,所述粘接层的厚度介于0-0.2mm。

11、第二方面,本申请还提供一种介入医疗器械,包括上述任一实施例所述的涂层结构。

12、上述涂层结构及介入医疗器械,通过在聚合物层内设有多个间隔排布的微气泡,以使聚合物层形成多孔结构。其中,多孔结构的孔隙率介于50%-95%。可以理解的是,孔隙率与微气泡的数量成正比,多孔结构的孔隙率介于上述范围内,可以使微气泡具有更为优异的扩散性和吸收性,具体地,一方面,适量的微气泡的存在使得异相界面增加,进而增加了对超声波的反射截面积,从而增强对超声波的反射能力,以使探测部接受到的超声反射信号增强;另一方面,适量的微气泡可吸收探测部本身产生的多种伪影,如彗星尾、导波、镜面旁瓣、衍射旁瓣和尖端混响伪影等,从而减轻伪影对手术操作的干扰。再一方面,适量的微气泡在提高可见度的同时还可以减少伪影,使得超声成像在介入治疗中的显像较为清晰。此外,多孔结构的孔隙率介于上述范围内,使得多孔结构具有一定的强度。



技术特征:

1.一种涂层结构,用于介入医疗器械,其特征在于,所述涂层结构包括聚合物层,所述聚合物层内设有多个间隔排布的微气泡,以使所述聚合物层形成多孔结构,所述多孔结构的孔隙率介于50%-95%;所述聚合物层用于包覆于所述介入医疗器械的探测部上。

2.根据权利要求1所述的涂层结构,其特征在于,所述聚合物层的厚度介于0.01-1.5mm。

3.根据权利要求1所述的涂层结构,其特征在于,所述微气泡的直径介于10-300um。

4.根据权利要求1所述的涂层结构,其特征在于,所述涂层结构还包括增韧层,所述增韧层设于所述聚合物层背离所述探测部的一侧。

5.根据权利要求4所述的涂层结构,其特征在于,所述增韧层的厚度介于10-500um。

6.根据权利要求5所述的涂层结构,其特征在于,所述涂层结构还包括润滑层,所述润滑层设于所述增韧层背离所述聚合物层的一侧。

7.根据权利要求6所述的涂层结构,其特征在于,所述润滑层的厚度介于1-100um。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的涂层结构,其特征在于,所述涂层结构还包括粘接层,所述粘接层设于所述聚合物层和所述探测部之间。

9.根据权利要求8所述的涂层结构,其特征在于,所述粘接层的厚度介于0-0.2mm。

10.一种介入医疗器械,其特征在于,包括如权利要求1-9中任一项所述的涂层结构。


技术总结
本申请涉及一种涂层结构及介入医疗器械,该涂层结构及介入医疗器械包括聚合物层,聚合物层内设有多个间隔排布的微气泡,以使聚合物层形成多孔结构,多孔结构的孔隙率介于50%‑95%。聚合物层用于包覆于介入医疗器械的探测部上。可以理解的是,孔隙率与微气泡的数量成正比,孔隙率介于上述范围内,可以使微气泡具有更为优异的扩散性和吸收性,一方面,适量的微气泡的存在使得异相界面增加,进而增加了对超声波的反射截面积,从而增强对超声波的反射能力,以使探测部接受到的超声反射信号增强;另一方面,适量的微气泡可吸收探测部本身产生的多种伪影。再一方面,适量的微气泡在提高可见度的同时还可以减少伪影,使得超声成像在介入治疗中的显像较为清晰。

技术研发人员:尹皓月,彭俊杰,徐帅,李革,汤从海,李菲,戴会新,孙云
受保护的技术使用者:武汉星图精密有限公司
技术研发日:20221231
技术公布日:2024/1/12
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