专利名称：微波消毒保鲜柜的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种微波消毒保鲜柜。
现有技术中只有电子消毒柜，如远红外消毒柜，需要在120℃以上保持15分钟左右才有消毒效果，能耗大，对不耐高温的器皿消毒不适应，更不能实现消毒，保鲜兼用。
本实用新型的目有在于提供一种杀菌迅速、彻底，节能效果显著，可适应于不耐高温的器皿，还可同时具备消毒、保鲜二种功能的微波消毒保鲜柜。
本实用新型的目的是这样实现的微波消毒保鲜柜由磁控管、激励装置、矩形多模谐振腔、温度控制开关等组成。
磁控管与激励装置相连，激励装置上的耦合孔与矩形多模谐振腔相连，谐振腔内装有与温度控制开关相连的温度传感器，谐振腔里可以放置若干个低损耗介质做成的多孔隔板。
本实用新型实现高效节能的技术关键是矩形多模谐振腔实现多模工作，必须设计出谐振腔的最佳边长，谐振腔各边的边长(a、b、c)的确定，是按照腔中每个模的谐振频率公式fomnp=c2[(ma)2+(nb)2+(pc)]12]]>
式中fomnp为各模的谐振频率(单位HZ)。
C＝3×108米/秒(光速)，m、n、p为任意正整数。
a、b、c为谐振腔各边的边长(米)。
当m、n、p为任意组合时，通过上述公式得出的不同的fomnp落入到给定频带范围以内(fo±60MHZ，其中fo为磁控管工作频率)的个数大于或等于40时，a、b、c的数据即为所选定的尺寸。这个频带范围的个数即为模数。
激励装置设计成矩形波导，其轴线与谐振腔的X轴的夹角为25°～45°之间，在矩形波导宽边与谐振腔交界的公共壁上开有一个耦合孔，孔中心位置为Xa=(13~14)a,Yb=(13~14)b]]>。
这一种设计可确保所有的多模均能被激励出。
低损耗介质隔板上均匀分布有100-200个孔，隔板上可放置需消毒或保鲜的器皿或食物。
本实用新型由于是将微波能量直接加于被消毒的物品上，通过物品吸收微波能量后升温，具有热效应和非热效应的双重杀菌效果，故杀菌效果显著、快速，又由于采用以上技术措施，使节能效果十分显著，并可实现低温消毒(70℃)，使不耐高温的器皿消毒成为可能，还可对食物进行消毒保鲜。
以下结合附图对本实用新型予以详细说明。
图1为本实用新型一种实施例的结构示意图；图2为谐振腔与激励装置位置关系及内部隔板示意图。
参照附图磁控管[4]产生的微波能量通过激励装置[3]上，并通过激励装置[3]上的耦合孔[7]加于矩形多模谐振腔[2]中，矩形多模谐振腔[2]内放置有二个玻璃钢多孔隔板[1]，上面。均匀分布有150个圆孔，温度控制开关[5]与温度传感器[6]相连。
矩形多模谐振腔[2]各边边长为a＝0.38米，b＝0.41米，C＝0.51米。激励装置[3]为矩形波导，其内尺寸为72×34mm，本实施例矩形波导的轴线与谐振腔[2]X轴的夹角α为29°，耦合孔[7]开在矩形波导宽边与谐振腔[2]交界的公共壁上，耦合孔[7]为72×34mm，耦合孔[7]的中心位置为Xa＝0.1米，Yb＝0.12米。
权利要求1.一种微波消毒保鲜柜，由磁控管、激励装置、矩形多模谐振腔、温度控制开关、温度传感器组成，其特征在于磁控管[4]与激励装置[3]相连，激励装置[3]上的耦合孔[7]与矩形多模谐振腔[2]相连，谐振腔[2]内装有与温度控制开关[5]相连的温度传感器[6]。
2.根据权利要求1所述消毒保鲜柜，其特征在于(1)矩形多模谐振腔[2]各边的边长(a、b、c)是按照腔中各个模的谐振频率公式fomnp=c2[(ma)+(nb)+(pc)]]]>式中fomnp为各模的谐振频率(单位HZ)。C＝3×108米/秒(光速)，m、n、p为任意正整数。a、b、c为谐振腔各边的边长(米)，当m、n、p为任意组合时，通过上述公式得出的不同的fomnp落入到给定频带范围以内(f0±60MHZ，其中fo为磁控管[4]的工作频率)的个数大于40时，所选定的a、b、c的尺寸，(2)激励装置[3]设计成矩形波导，其轴线与谐振腔[2]的X轴的夹角为25°～45°之间，在矩形波导宽边与谐振腔[2]交界的公共壁上开有一个耦合孔[7]，耦合孔[7]中心位置为Xa=(13~14)a,Yb=(13~14)b]]>。
3.根据权利要求1或2所述消毒保鲜柜，其特征在于，谐振腔内放量有若干个低损耗介质做成的多孔隔板[1]。
专利摘要本实用新型涉及一种微波消毒保鲜柜。采用矩形多模谐振腔和矩形波导激励装置和多孔隔板，节能效果显著，又由于具有热效应和非热效应双重杀菌功能，杀菌迅速，彻底，消毒作用均匀，可实现低温消毒(70℃)，并可对食物进行消毒保鲜。
文档编号A61L2/12GK2240984SQ9523784
公开日1996年11月27日 申请日期1995年10月24日 优先权日1995年10月24日
发明者黄广连, 张均, 彭传才, 杨红斌, 廖玉奇, 易可可, 胡云慧, 曹志刚, 李京增 申请人:长沙国防科技大学八达薄膜电子技术研究所