晶圆的碎屑的清除方法
【专利摘要】本发明公开了一种晶圆的碎屑的清除方法，包括如下步骤：步骤一、在沾染了碎屑的晶圆上涂覆一层光刻胶；步骤二、用可溶解所述光刻胶的溶剂对步骤一得到的晶圆进行清洗；步骤三、对步骤二得到的晶圆依次进行干法去胶处理和湿法去胶处理。这种晶圆的碎屑的清除方法通过在沾染了碎屑的晶圆表面涂覆一层光刻胶，从而光刻胶会填满台阶和台阶之间的空隙并将碎屑粘附住，接着采用可溶解上述光刻胶的溶剂对晶圆进行清洗，从而使得碎屑会随着光刻胶一起被可溶解光刻胶的溶剂洗去。相对于传统的采用高压喷水和刷子清洗的方法，这种晶圆的碎屑的清除方法可以去除高台阶晶圆上粘附的碎屑。
【专利说明】晶圆的碎屑的清除方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体领域，尤其是涉及一种晶圆的碎屑的清除方法。
【背景技术】
[0002]随着科学技术的飞速发展，IC集成度不断提高，线宽不断减小，对硅衬底片的质量要求也越来越高，而抛光片表面的颗粒和金属杂质污染会严重影响器件的质量和成品率。
[0003]晶圆在不断被加工成形及抛光处理的过程中，由于与各种有机物及各种粒子(如研磨、抛光)以及各机台的金属接触而受到污染，因此将这些污染物去除干净是晶圆制造过程中尤为重要的一个工艺步骤。
[0004]在晶圆搬送和加工过程中，偶尔会发生晶圆碎裂，碎屑会沾污其他晶圆。通常的碎片流程中采用高压喷水和刷子清洗的方法去除晶圆上粘附的碎屑。
[0005]然而，这种方法对于低台阶晶圆效果较好，对于高台阶晶圆则无法达到去除高台阶晶圆上粘附的晶圆碎屑的目的。
【发明内容】
[0006]基于此，有必要提供一种可以去除高台阶晶圆上粘附的碎屑的晶圆的碎屑的清除方法。
[0007]一种晶圆的碎屑的清除方法，包括如下步骤:
[0008]在沾染了碎屑的晶圆上涂覆一层光刻胶；
[0009]用可溶解所述光刻胶的溶剂对涂覆了光刻胶的晶圆进行清洗。
[0010]在一个实施例中，所述晶圆为高台阶晶圆。
[0011]在一个实施例中，采用旋涂的方式在所述沾染了碎屑的晶圆上涂覆一层光刻胶。
[0012]在一个实施例中，所述光刻胶为光刻胶AR100、光刻胶SPR955或光刻胶MIR701。
[0013]在一个实施例中，所述可溶解所述光刻胶的溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯。
[0014]在一个实施例中，还包括在用可溶解所述光刻胶的溶剂对涂覆了光刻胶的晶圆进行清洗后，对清洗后的晶圆依次进行干法去胶处理和湿法去胶处理的操作。
[0015]在一个实施例中，所述干法去胶处理为:采用原子态氧与所述光刻胶反应，接着抽去生成的气态成分H2O和CO2。
[0016]在一个实施例中，所述湿法去胶处理为:采用洗液将晶圆表面残留的有机物去除。
[0017]这种晶圆的碎屑的清除方法通过在沾染了碎屑的晶圆表面涂覆一层光刻胶，从而光刻胶会填满台阶和台阶之间的空隙并将碎屑粘附住，接着采用可溶解上述光刻胶的溶剂对晶圆进行清洗时，一方面碎屑和光刻胶之间结合力较强，另一方面光由于刻胶的表面张力，从而使得碎屑会随着光刻胶一起被可溶解光刻胶的溶剂洗去。相对于传统的采用高压喷水和刷子清洗的方法，这种晶圆的碎屑的清除方法可以去除高台阶晶圆上粘附的碎屑。
【专利附图】
【附图说明】[0018]图1为一实施方式的晶圆的碎屑的清除方法的流程图；
[0019]图2为SlO得到的晶圆的示意图。
【具体实施方式】
[0020]为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
[0021]如图1所示的一实施方式的晶圆的碎屑的清除方法，步骤如下。
[0022]S10、在沾染了碎屑的晶圆上涂覆一层光刻胶。
[0023]本实施方式中，晶圆为高台阶晶圆。
[0024]—般而目，闻台阶晶圆指晶圆表面图形深宽比大于I的晶圆。
[0025]本实施方式中采用旋涂的方式在沾染了碎屑的晶圆上涂覆一层光刻胶。旋涂的方式操作简单容易，自动化程度高，可控性高。
[0026]在其他的实施方式中，也可以选择其他的涂覆方式。
[0027]在晶圆的搬送和加工过程中，容易因为晶圆碎裂而产生碎屑。在沾染了碎屑的晶圆表面涂覆一层光刻胶，得到如图2所示的晶圆10。
[0028]如图2所示，晶圆10的台阶12上和台阶12之间沾染了碎屑16。在沾染了碎屑16的晶圆10上涂覆一层光刻胶14后，由于光刻胶14具有流动性，光刻胶14会填满台阶12和台阶12之间的空隙并将碎屑16粘附住。
[0029]在正常情况下，碎屑16与台阶12直接只是单纯的附着，两者间的结合力较低。而碎屑16和光刻胶14之间会因为光刻胶14的粘附性而具有较强的结合力。
[0030]本实施方式中，光刻胶14采用光刻胶AR100。在其他的实施方式中，光刻胶14还可以采用光刻胶SPR955、光刻胶MIR701等。
[0031]S20、用可溶解上述光刻胶的溶剂对SlO得到的晶圆进行清洗。
[0032]采用可溶解上述光刻胶14的溶剂对晶圆10进行清洗时，一方面碎屑16和光刻胶14之间结合力较强,另一方面光由于刻胶14的表面张力，从而使得碎屑16会随着光刻胶14 一起被可溶解光刻胶14的溶剂洗去。
[0033]一般而言，溶剂会随着光刻胶14的不同而不同，但是需要满足如下条件:
[0034]第一，对光刻胶14具有较好的溶解性；
[0035]第二，不会对晶圆产生侵蚀；
[0036]第三，在常温常压下具有稳定性。
[0037]本实施方式中，可溶解上述光刻胶14的溶剂采用PGMEA。在其他的实施方式中，可溶解上述光刻胶14的溶剂也可以选择其他溶剂，只要能够符合上述要求即可。
[0038]清洗的方式可以采用冲洗，利用流体的冲力，可以更容易将碎屑16随着光刻胶14
一起清除。
[0039]一般而言，S20得到的晶圆，其之前粘附的碎屑绝大部分都已经被清除掉。
[0040]然而，对于某些清洁度要求非常高的场合，此时的碎屑残留还会对后续的工艺造成影响。在这种情况下，可以再重复SlO和S20若干次，直至碎屑残留符合要求为止。[0041]在一个较优的实施例中，还可以对S20得到的晶圆依次进行干法去胶处理和湿法去胶处理，以更进一步的去除粘附在晶圆上的光刻胶。
[0042]干法去胶处理为:采用原子态氧与光刻胶反应，接着抽去生成的气态成分H2O和CO2。
[0043]湿法去胶处理为:采用洗液将晶圆表面残留的有机物去除。
[0044]洗液可以为SPM (H2S04+H202)或者EKC270 (羟胺+2-氨基乙氧基乙醇+邻苯二酚+水)等等。
[0045]这种晶圆的碎屑的清除方法通过在沾染了碎屑16的晶圆10表面涂覆一层光刻胶14，从而光刻胶14会填满台阶12和台阶12之间的空隙并将碎屑16粘附住，接着采用可溶解上述光刻胶14的溶剂对晶圆10进行清洗时，一方面碎屑16和光刻胶14之间结合力较强，另一方面光由于刻胶14的表面张力，从而使得碎屑16会随着光刻胶14 一起被可溶解光刻胶14的溶剂洗去。相对于传统的采用高压喷水和刷子清洗的方法，这种晶圆的碎屑的清除方法可以去除高台阶晶圆上粘附的碎屑。
[0046]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【权利要求】
1.一种晶圆的碎屑的清除方法，其特征在于，包括如下步骤: 在沾染了碎屑的晶圆上涂覆一层光刻胶； 用可溶解所述光刻胶的溶剂对涂覆了光刻胶的晶圆进行清洗。
2.根据权利要求1所述的晶圆的碎屑的清除方法，其特征在于，所述晶圆为高台阶晶圆。
3.根据权利要求1所述的晶圆的碎屑的清除方法，其特征在于，采用旋涂的方式在所述沾染了碎屑的晶圆上涂覆一层光刻胶。
4.根据权利要求1所述的晶圆的碎屑的清除方法，其特征在于，所述光刻胶为光刻胶ARlOO、光刻胶SPR955或光刻胶MIR701。
5.根据权利要求1所述的晶圆的碎屑的清除方法，其特征在于，所述可溶解所述光刻胶的溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯。
6.根据权利要求1所述的晶圆的碎屑的清除方法，其特征在于，还包括在用可溶解所述光刻胶的溶剂对涂覆了光刻胶的晶圆进行清洗后，对清洗后的晶圆依次进行干法去胶处理和湿法去胶处理的操作。
7.根据权利要求6所述的晶圆的碎屑的清除方法，其特征在于，所述干法去胶处理为:采用原子态氧与所述光刻胶反应，接着抽去生成的气态成分H2O和C02。
8.根据权利要求6所述的晶圆的碎屑的清除方法，其特征在于，所述湿法去胶处理为:采用洗液将晶圆表面残留的有机物去除。
【文档编号】B08B7/00GK103962345SQ201310034989
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2013年1月29日 优先权日:2013年1月29日
【发明者】李玉华 申请人:无锡华润上华科技有限公司