一种脱胶后前后平超的清洗装置制造方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种脱胶后前后平超的清洗装置，包括超声盛水槽和清洗筐，所述超声盛水槽和清洗筐均为长方体型；所述的清洗筐前后两边各带有一个把手；所述清洗筐放置在超声盛水槽内；所述清洗筐底部从右侧开始，每间隔略大于一个单晶硅片的直径设置有一道隔栏，相邻隔栏之间的底部设置有两根支撑条，清洗筐左右两侧与相邻隔栏之间的底部设置有两条支撑条。本实用新型可以对单晶硅片进行更全面的清洗，解决现有单晶硅片堆叠而造成清洗不彻底的问题。
【专利说明】一种脱胶后前后平超的清洗装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种前后平超的清洗装置，特别指一种单晶硅片脱胶后前后平超的清洗装置。
【背景技术】
[0002]单晶硅片在切割脱胶后，还会残留有胶需要清除。现有的清除胶采用的是超声清洗，但是由于单晶硅片的相互堆叠，堆叠的部分容易出现清洗不干净的问题。如果要将单晶硅片每个都分开，又将大大增加了清洗时占用的面积。
【发明内容】
[0003]本实用新型要解决的技术问题，在于提供一种脱胶后前后平超的清洗装置，解决现有单晶硅片堆叠而造成清洗不彻底的问题。
[0004]本实用新型是这样实现的:
[0005]一种脱胶后前后平超的清洗装置，包括超声盛水槽和清洗筐，所述超声盛水槽和清洗筐均为长方体型；所述的清洗筐前后两边各带有一个把手；所述清洗筐放置在超声盛水槽内；所述清洗筐底部从右侧开始，每间隔略大于一个单晶硅片的直径设置有一道隔栏，相邻隔栏之间的底部设置有两根支撑条，清洗筐左右两侧与相邻隔栏之间的底部设置有两条支撑条。
[0006]进一步地，所述清洗筐底部铺设有防护网。
[0007]进一步地，所述清洗筐左边和右边的边长比超声盛水槽左边和右边的边长小5cm?15cm。
[0008]本实用新型的优点在于:可以对单晶硅片进行更全面的清洗。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的说明。
[0010]图1是本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0011]如图1所示，一种脱胶后前后平超的清洗装置，包括超声盛水槽I和清洗筐2。本实用新型用于对脱胶后的单晶硅片3进行清洗。超声盛水槽I和清洗筐2均为长方体型；清洗筐2前后两边各带有一个把手20 ;清洗筐2放置在超声盛水槽I内；清洗筐2底部从右侧开始，每间隔略大于一个单晶硅片的直径设置有一道隔栏21，相邻隔栏之间的底部设置有两根支撑条22，清洗筐I左右两侧与相邻隔栏之间的底部设置有两条支撑条22。当使用本清洗装置时，首先将单晶硅片3放置在隔栏之间的底部或隔栏与清洗筐I左右两侧与相邻隔栏之间的底部。由于底部的支撑条22，单晶硅片3不会从清洗筐2中掉落出去。为了节省清洗空间，单晶硅片3堆叠放置。支撑条22优选为光滑的金属条，避免对单晶硅片3的磨损。而后将超声盛水槽I加上水后，将超声盛水槽1、清洗筐2和单晶硅片3都放到超声清洗机上，进行超声清洗。超声清洗时，使用把手对清洗筐2进行前后晃动，则单晶硅片会由于水流的晃动而晃动，使得堆叠在一起的单晶硅片3相互分离，使得超声能对堆叠的部分进行清洗，达到更为全面的清洗效果。
[0012]优选地，为了防止单晶硅片的掉落，清洗筐2的底部铺设有防护网。清洗筐2与超声盛水槽I前后的间距如果太近，则晃动效果不明显，清洗效果不好，如果间距太远，则空间利用率不高。优选地，清洗筐左边和右边的边长比超声盛水槽左边和右边的边长小5cm?15cm。
[0013]以上所述实施方式，只是本实用新型的较佳实施方式，并非来限制本实用新型实施范围，故凡依本实用新型申请专利范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均应包括本实用新型专利申请范围内。
【权利要求】
1.一种脱胶后前后平超的清洗装置，其特征在于:包括超声盛水槽和清洗筐，所述超声盛水槽和清洗筐均为长方体型；所述的清洗筐前后两边各带有一个把手；所述清洗筐放置在超声盛水槽内；所述清洗筐底部从右侧开始，每间隔略大于一个单晶硅片的直径设置有一道隔栏，相邻隔栏之间的底部设置有两根支撑条，清洗筐左右两侧与相邻隔栏之间的底部设置有两条支撑条。
2.根据权利要求1所述的一种脱胶后前后平超的清洗装置，其特征在于:所述清洗筐底部铺设有防护网。
3.根据权利要求1所述的一种脱胶后前后平超的清洗装置，其特征在于:所述清洗筐左边和右边的边长比超声盛水槽左边和右边的边长小5cnTl5Cm。
【文档编号】B08B3/12GK203648912SQ201320723016
【公开日】2014年6月18日 申请日期:2013年11月13日 优先权日:2013年11月13日
【发明者】陈吉祥, 李竞宇, 张建国 申请人:龙岩市华德光电有限公司