专利名称：：一种高稳定电子陶瓷材料的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种电子陶瓷介质材料，尤其涉及一种温度稳定型的陶瓷电容器介质材料。
背景技术：
：电子陶瓷介质材料主要用来制作陶瓷电容器，陶瓷电容器由于用途不同分为多种，如中高压陶瓷电容器、超高压陶瓷电容器，不同性能的电容器需要用不同的介质材料制作，其中中高压陶瓷电容器、超高压陶瓷电容器是用量大、重要性高的一类瓷料，性能要求较高，国内已有厂家生产该瓷料，但存在温度稳定性差、不能用于要求较严的场合等缺点。
发明内容本发明的目的是针对现有技术中陶瓷介质材料存在的温度稳定性差、适应性差的缺点，提供一种以二氧化钛(Ti02)为基料，通过添加部分稀土氧化物，优选组分，制成温度稳定性好的、适合于特殊场所使用的陶瓷介质材料。本发明的目的是通过以下技术方案实现的，一种高稳定电子陶瓷材料，其组分以重量分表示为二氧化钛(Ti02)8090分、锡酸钙(CaSn03)28分、氧化铋(Bi203)210分、钛酸镁(Mg2Ti04)210分、氧化钨(W03)0.20.8分、氧化钬(Ho203)0.10.5分。上述高稳定电子陶瓷材料组分的优选方案为二氧化钛(Ti02)8487分、锡酸钙(CaSn03)46分、氧化铋(Bi203)57分、钛酸镁(Mg2Ti04)57分分、氧化钨(W03)0.40.6分、氧化钬(HO203)0.20.3分。上述高稳定电子陶瓷材料组分的最佳方案为二氧化钛(Ti02)86分、锡酸钙(CaSn03)5分、氧化铋(Bi203)6分、钛酸镁(Mg2Ti04)6分、氧化钨_0.5分、氧化钬(Ho203)0.25分。该发明为Ti02基瓷料，通过CaSn03和2Ti02Bi203双重置换作用将Ti02的温度变化率从-750ppm/°C移至0附近，从而大大改善了使用温度范围内的温度变化率；添加Mg2Ti04，降低烧结温度，达到瓷体细晶化，从而提高了耐压、降低了损耗。本发明的主要特点是用稀土氧化物Ho203取代了常用的氧化铈(Ce02)、五氧化二铌(Nb205)组分，在进一步促使瓷体细晶化、提高耐压、降低损耗方面有明显的效果。本发明采用常规的高压陶瓷电容器介质制备工艺，原材料购入后，经过检验合格后首先进行Ti02煅烧、预合成CaSn03、Mg2Ti04基料的配料，经过球磨、压滤、干燥、煅烧、粉碎、除铁工艺，得到Ti02预烧料、CaSn03、Mg2Ti04等基料待用；然后即可进行成品料配料，再经过球磨、搅拌磨、混料、喷雾造粒、除铁、混料即得成品料，检验合格后包装入库备用。具体实施例方式为进一步验证本发明配方组分的性能指标，进行了不同配方组分下的性能指标试验。表1各试样的成分配比<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>表2各配方试样的介电性能<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>本发明与现有技术相比，具有以下优点1、温度稳定性好，性能稳定，安全性高。2、制备工艺简单，不用特殊的设备和工艺，采用常规的工艺方法即可制备出本发明的高压电子陶瓷材料。权利要求一种高稳定电子陶瓷材料，其特征在于配方组分以重量分表示的方案为二氧化钛(TiO2)80～90分、锡酸钙(CaSnO3)2～8分、氧化铋(Bi2O3)2～10分、钛酸镁(Mg2TiO4)2～10分、氧化钨(WO3)0.2～0.8分、氧化钬(Ho2O3)0.1～0.5分。2.根据权利要求1所述的一种高稳定电子陶瓷材料，其特征在于配方组分的优选方案为二氧化钛(TiO2)8487分、锡酸钙(CaSnO3)46分、氧化铋(Bi2O3)57分、钛酸镁(Mg2TiO4)57分、氧化钨(WO3)0.40.6分、氧化钬(Ho2O3)0.20.3分。3.根据权利要求1所述的一种高稳定电子陶瓷材料，其特征在于配方组分的最佳方案为二氧化钛(TiO2)86分、锡酸钙(CaSnO3)5分、氧化铋(Bi2O3)6分、钛酸镁(Mg2TiO4)6分、氧化钨(WO3)O.5分、氧化钬(Ho2O3)O.25分。全文摘要本发明公开了一种高稳定电子陶瓷材料，该高稳定电子陶瓷材料是针对现有同类产品存在温度稳定性差、适应性差的缺点，提供一种以二氧化钛(TiO2)为基料，通过添加部分稀土氧化物，优选组分，制成温度稳定性好的、适合于特殊场所使用的电子陶瓷材料。文档编号C04B35/46GK101811863SQ20101013416公开日2010年8月25日申请日期2010年3月22日优先权日2010年3月22日发明者戴文金,赵华,陈亮申请人:赵华