一种仿古琉璃熔块釉的制备方法

文档序号:1794509阅读:612来源:国知局
专利名称:一种仿古琉璃熔块釉的制备方法
技术领域
本发明涉及一种仿古琉璃熔块釉的制备方法,具体涉及一种可用于剥釉古代琉璃构件施釉重烧、仿古琉璃构件、仿唐三彩、普通琉璃构件、艺术陶瓷及其它低温釉烧陶瓷等釉料的制备方法。
背景技术
琉璃釉为低温色釉之一。由于氧化铅具有较低的熔点,在釉中起强助熔剂作用,传统的琉璃釉以此为助熔剂,釉中铅丹含量高达60 70%之多。又因氧化铅具有较高的折射率,使得传统琉璃釉可以获得特殊的光泽,并获得光滑如镜的釉面和艳丽的色彩。但这种铅釉也有其致命缺点,因铅釉热膨胀系数高,难以与其坯体进行合适的匹配,因其化学稳定性差,易在使用中光泽变弱,并容易出现釉面开裂和脱落等现象。使复烧后的古代琉璃构件和仿古琉璃构件难以长久使用,古代建筑上使用的琉璃构件面临光泽变差和因釉面剥落而频繁更换等问题。同时,氧化铅不仅价格昂贵而且具有毒性,对其烧制人员的身体造成危害、 对其环境造成污染。鉴于上述原因,无铅琉璃釉或低铅熔块琉璃釉的研制是其发展方向。

发明内容
为了提供一种与古代传统高铅琉璃釉色彩、光泽、质感十分相似的琉璃釉的制备方法,并且是无污染、低成本、易实施,釉的膨胀系数在5. 0 9. OX 10_6范围,烧成温度在 900 1060°C之间,能够适用于不同原料组成(膨胀系数在4. 5 9. OX 10_6之间)、不同烧成温度(950 1200°C之间)的琉璃坯体。为达到上述目的,本发明采用的技术方法是1)采用多种碱金属和碱土金属氧化物或其可溶性盐类物质配料制备成熔块,并引入氧化铋、氧化锂等氧化物达到低铅或无铅釉在不同烧成温度下的膨胀系数低、光泽高和色彩艳丽等要求;幻采用熔制熔块的方法, 使氧化铅与石英共熔生成硅酸铅,少量引入氧化铅于熔块中,保证了低温烧成釉料的平整度、光滑度与色泽及质感效果;幻在特制的熔块中引入着色氧化物和悬浮剂、减水剂等配制釉料,经过研磨成釉浆供施釉使用。下面结合实施实例对本发明作进一步详细说明。实施例1首先按质量百分比将15. 0%的长石,16. 0%的石英,20. 2%的红丹粉,20. 0%的锂云母,4. 0% 的硼砂,3. 3% 的硼酸,1. 5% 的 CaCO3,1. 5% 的 MgCO3,11. 0% 的 BaCO3,1. 5 % 的 TiO2, 2. 0%的Al (0!1)3和4. 0%的ZnO进行混合研磨,后将混合料于高温炉中在1200°C熔化后水淬,再将水淬后的块料细磨至200目备用;按照质量百分比将90 %熔块粉料,5 %的苏州土,5 %的着色氧化铁与占原料总量 60%的水、0. 3%的减水剂和0. 4%的悬浮剂混合研磨至全部料过250目制成釉浆,然后将釉浆均勻地涂敷在素烧后的坯上,在900 920°C釉烧即可制得琉璃(釉)制品。该配方釉的物理化学性能为
烧成温度范围光泽度膨胀系数900 920°C909. OXlCT6 左右实施例2首先按质量百分比将24. 0 %的长石,28. 0 %的石英,8. 5 %的红丹粉,10. 0 %的锂云母,6. 0 % 的硼砂,5. 0% 的硼酸,2. 5 % 的 CaCO3, 2. 0 % 的 MgCO3, 7. 5 % 的 BaCO3,1. 0 % 的 TiO2, 2. 0%的Al (0!1)3和3. 5%的ZnO进行混合研磨,后将混合料于高温炉中在1250°C熔化后水淬,再将水淬后的块料细磨至200目备用;按照质量百分比将90%熔块粉料,5%的苏州土,5%的着色氧化铁与占原料总量 60%的水、0. 3%的减水剂和0. 4%的悬浮剂混合研磨至全部料过250目制成釉浆,然后将釉浆均勻地涂敷在素烧后的坯上,在930-960°C釉烧即可制得琉璃釉制品。该配方釉的物理化学性能为
烧成温度范围光泽度膨胀系数930 960°C908. OXlCT6 左右实施例3首先按质量百分比将26. 0%的长石,23. 0%的石英,6. 5%的红丹粉,11.0%的锂云母,10. 0 % 的硼砂,9. 0 % 的硼酸,1. 0 % 的 CaCO3, 2. 0 % 的 MgCO3,8. 0 % 的 BaCO3,0. 5 % 的 TiO2,0. 5%的Al (0!1)3和2. 5%的ZnO进行混合研磨,后将混合料于高温炉中在1280°C熔化后水淬,再将水淬后的块料细磨至200目备用;按照质量百分比将90%熔块,5%的苏州土,5%的着色氧化铁与占原料总量60% 的水、0. 3%的减水剂和0. 4%的悬浮剂混合研磨至全部料过250目制成釉浆,然后将釉浆均勻地涂敷在素烧后的坯上,在970 1000°C釉烧即可制得琉璃釉制品。该配方釉的物理化学性能为
烧成温度范围光泽度膨胀系数970 1000°C837. OXicr6 左右实施例4首先按质量百分比将29. 0%的长石,24. 0%的石英,4. 0%的红丹粉,9.0%的锂云母,11. 0 % 的硼砂,11.0% 的硼酸,1. 5 % 的 CaCO3, 2. 0 % 的 MgCO3, 7. 0 % 的 BaCO3 和 2. 0 % 的 ZnO进行混合研磨,后将混合料于高温炉中在1300°C熔化后水淬,再将水淬后的块料细磨至200目备用;按照质量百分比将93%熔块粉料,2%的苏州土、5%的着色氧化铁与占原料总量 60%的水、0. 2%的减水剂和0. 5%的悬浮剂混合研磨至全部料过250目制成釉浆,然后将釉浆均勻地涂敷在素烧后的坯上,在1000 1030°C釉烧即可制得琉璃釉制品。
该配方釉的物理化学性能为
权利要求
1.一种仿古琉璃熔块釉的制备方法,其特征在于利用混合碱效应代替铅的助熔作用。
2.根据权利要求1所述的一种仿古熔块釉的制备方法,其特征在于首先按质量百分比将15.0%的长石,16. 0%的石英,20. 2%的红丹粉,20. 0%的锂云母,4.0%的硼砂,3. 3% 的硼酸,1. 5 % 的 CaCO3,1. 5 % 的 MgCO3,11. 0 % 的 BaCO3,1. 5 % 的 TiO2, 2. 0 % 的 Al (OH) 3 和 4. 0%的ZnO进行混合研磨,后将混合料于高温炉中在1200°C熔化后水淬,再将水淬后的块料细磨至200目备用;按照质量百分比将90%熔块粉料,5%的苏州土,5%的着色氧化铁与占原料总量60%的水、0. 3%的减水剂和0. 4%的悬浮剂混合研磨至全部料过250目制成釉浆。
3.根据权利要求1所述的一种仿古熔块釉的制备方法,其特征在于首先按质量百分比将24. 0%的长石,28. 0%的石英,8. 5%的红丹粉,10. 0%的锂云母,6.0%的硼砂,5. 0%的硼酸,2. 5% 的 CaCO3, 2. 0% 的 MgCO3, 7. 5% 的 BaCO3,1. 0% 的 TiO2, 2. 0% 的 Al (OH) 3 和 3. 5% 的ZnO进行混合研磨,后将混合料于高温炉中在1250°C熔化后水淬,再将水淬后的块料细磨至200目备用;按照质量百分比将90%熔块粉料,5%的苏州土,5%的着色氧化铁与占原料总量60%的水、0. 3%的减水剂和0. 4%的悬浮剂混合研磨至全部料过250目制成釉浆。
4.根据权利要求1所述的一种仿古熔块釉的制备方法,其特征在于首先按质量百分比将26. 0%的长石,23. 0%的石英,6. 5%的红丹粉,11.0%的锂云母,10. 0%的硼砂,9. 0%的硼酸,1. 0% 的 CaCO3, 2. 0% 的 MgCO3,8. 0% 的 BaCO3,0. 5% 的 TiO2,0. 5% 的 Al (OH) 3 和 2. 5% 的ZnO进行混合研磨,后将混合料于高温炉中在1280°C熔化后水淬,再将水淬后的块料细磨至200目备用;按照质量百分比将90%熔块,5%的苏州土,5%的着色氧化铁与占原料总量60%的水、0. 3%的减水剂和0. 4%的悬浮剂混合研磨至全部料过250目制成釉浆。
5.根据权利要求1所述的一种仿古熔块釉的制备方法,其特征在于首先按质量百分比将29. 0%的长石,24. 0%的石英,4. 0%的红丹粉,9.0%的锂云母,11.0%的硼砂,11. 0%的硼酸,1. 5%的CaCO3, 2. 0%的MgCO3, 7. 0%的BaCO3 ^P 2.0%的ZnO进行混合研磨,后将混合料于高温炉中在1300°C熔化后水淬,再将水淬后的块料细磨至200目备用;按照质量百分比将93%熔块粉料,2%的苏州土,5%的着色氧化铁与占原料总量60%的水、0. 2%的减水剂和0. 5%的悬浮剂混合研磨至全部料过250目制成釉浆。
6.根据权利要求1所述的一种仿古熔块釉的制备方法,其特征在于首先按质量百分比将31. 0 %的长石,25. 0 %的石英,5. 5 %的锂云母,12. 0 %的硼砂,11. 0 %的硼酸,0. 5 %的 CaCO3,1. 0 %的MgCO3, 7. 0 %的BaCO3, 5. 0 %的Bi2O3和2. 0 %的ZnO进行混合研磨,后将混合料于高温炉中在1350°C熔化后水淬,再将水淬后的块料细磨至200目备用;按照质量百分比将93%熔块,2%的苏州土,5%的着色氧化铁与占原料总量60%的水、0. 2%的减水剂和 0. 6%的悬浮剂混合研磨至全部料过250目制成釉浆。
全文摘要
本发明涉及一种仿古琉璃熔块釉的制备方法,具体涉及一种可用于剥釉古代琉璃构件施釉重烧、仿古琉璃构件、仿唐三彩、普通琉璃构件、艺术陶瓷及其它低温釉烧陶瓷等釉料的制备方法。该方法制备的釉料具有高光泽性、系列化的热膨胀系数、无污染、低成本、易实施等特点。
文档编号C03C8/14GK102276149SQ20101019577
公开日2011年12月14日 申请日期2010年6月9日 优先权日2010年6月9日
发明者丁银忠, 侯佳钰, 康葆强, 李合, 李媛, 段鸿莺, 王时伟, 窦一村, 苗建民, 赵兰 申请人:故宫博物院
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