通过UV-辅助的化学气相沉积在聚合物基底上沉积掺杂的ZnO薄膜的制作方法

专利名称：通过UV-辅助的化学气相沉积在聚合物基底上沉积掺杂的ZnO薄膜的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于在聚合物基底上沉积掺杂的氧化锌薄膜的化学气相沉积方法。发明的
背景技术：
透明的导电氧化物(TCO)是用于光电装置(例如平板显示器和光伏装置)中的金属氧化物。具体地，TCO是不仅光学上透明并且电学上传导的一类材料。掺杂锡的氧化铟(ITO)，一种TCO类型，在很多应用中已经被广泛用作TCO层，例如薄膜晶体管(TFT)，液晶显示器(IXD)，等离子显示器(PDP)，有机发光二极管(OLED)，太阳能电池，电致发光装置，以及射频识别装置(RFID)。尽管ITO的化学稳定性完全足够用于很多应用，ITO薄膜在还原条件下可能不稳定并且可能在高电场下降解，结果形成活跃的铟和氧物种，这些可能扩散进有机层中。此外，由于缺乏铟以及快速增长的市场，大规模生产下一代平板显示器和光伏装置很昂贵并且具有挑战性。因此，替换或改进现有ITO材料的新TCO材料对于未来技术是令人期望的。具体地，新材料具有令人期望的低成本并且与ITO相比可能具有可比的或更好的电学和光学特性。TCO薄膜通常被用于玻璃基底。但是，强烈需要用更便宜的轻质的和/或柔性基底来取代玻璃基底。TCO薄膜的性质通常取决于在沉积过程中的基底温度。但是某些基底，例如聚合物基底，可能是热敏感的并且当暴露于更高的温度时(例如300-500°C )可能遭受维度和结构不稳定。但是即使在更低的温度下(例如100-150°C)，很多聚合物的维度稳定性可能很差。另外，温度暴露可能导致增加的薄膜应力并且由于基底开裂而失效。因此即使在很低的处理温度下对于TCO薄膜很难获得期望的电学和光学特性。已经有几种技术，例如脉冲激光沉积法(PLD)和射频磁控溅射法，被用于在室温下在聚合物基底上沉积TCO薄膜。但是这些技术也有额外的局限性，例如较低的光电特性，低沉积率，高真空，小沉积面积、等等。
发明总结本发明的多个方面包括用于在较低处理温度下在聚合物基底上生产高质量TCO薄膜的方法以及由此可获得的产品。根据本发明的一个实施方案，在聚合物基底上形成一个层的方法包括用至少一种前体接触一个聚合物基底，并且应用紫外光分解该至少一种前体并且在该聚合物基底上沉
积一个层。根据本发明的一个实施方案，在聚合物基底上形成包含氧化锌的一个掺杂层的一种方法包括用包含锌和一个掺杂剂的至少一种前体接触一个聚合物基底，以及使用紫外光分解该至少一种前体并且将包含掺杂的氧化锌的一个层沉积到该聚合物基底上。根据本发明的另一个实施方案，沉积在聚合物基底上的包含氧化锌的一个掺杂层如此获得将包含锌，掺杂剂和一个氧源的至少一种前体引入到一个混合室中，该混合室通过一个UV室，随后将包含掺杂氧化锌的一个层沉积到聚合物基底上。
根据本发明的另一个实施方案，在聚合物基底上形成一个层的一种方法包括将至少一种前体接触一个聚合物基底，并且使用紫外光分解该至少一种前体并且在低于大约200 0C的温度下在该聚合物基底上沉积一个层。附图
的简要描述图I是基底PVDF和PVDF上的ZnO的光透射。图2是玻璃和PVDF基底上的ZnO薄膜的XRD图谱。图3是高压汞金属卤化物灯的UV光谱。
图4是沉积后掺杂Al的ZnO薄膜以时间为函数的电阻率的图。图5是探查样品本体的Θ - Θ XRD图谱。图6是探查样品的顶表面的切入射XRD图谱(I度)。图7是样本170-2的深度曲线。图8是样本171-1的深度曲线。发明的详细描述本发明的多个方面包括在聚合物基底上形成一个层的方法以及由此获得的产品。具体地，本发明的实施方案提供了用于在聚合物基底上沉积掺杂的氧化锌的薄膜的沉积方法。如此处所用，除非另外指明，组分或组成的值以每个成分的重量百分比或按重量的％表示。此处所提供的所有的值包括高达值以及包含所给的端点。适合用于本发明的聚合物基底包括能够具有沉积于其上的一个层的任何基底，例如在一种化学气相沉积法中。透明聚合物基底特别适合。例如，可以使用具有玻璃化转变点(Tg)小于400°C的基底材料，其中涂层在小于400°C (大约80°C和400°C之间)的基底温度下沉积。在一个优选的实施方案中，该聚合物基底是透明的(例如高于80%的透射率)。适合的基底材料的说明性实例包括，但不限于，聚合的基底类，例如聚丙烯酸酯(例如聚甲基甲丙烯酸酯(PMMA))，聚酯类(例如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)，聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)，聚芳基醚醚酮(PEEK)，以及聚醚酮酮(PEKK))，聚酰胺类，聚酰亚胺类，聚碳酸酯类，等等。在本发明的一个实施方案中，该聚合物基底选自下组，该组由以下各项组成氟聚合物树脂类，聚酯类，聚丙烯酸酯类，聚酰胺类，聚酰亚胺类，以及聚碳酸酯类。在另一个实施方案中，该聚合物基底选自下组，该组由以下各项组成聚偏二氟乙烯(PVDF)，聚对苯二甲酸乙二酯(PET)，聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)，以及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。在一个优选的实施方案中，该聚合物基底是聚偏二氟乙烯PVDF)。在另一个优选的实施方案中，该聚合物基底是聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。在另一个优选的实施方案中，该聚合物基底是聚醚酮酮(PEKK)或聚甲基丙烯酸甲酯(pMMA)。还可能有其他组分与该聚合物一起混合。例如，填充剂，稳定剂，着色剂等等可以添加至该聚合物并且与该聚合物掺和或者施用于基于所期望的特性的聚合物的表面上。这个基底可以是任何合适的形式。例如，聚合物基底可以是一个片材，薄膜，复合物，等等。在一个优选的实施方案中，该聚合物基底是一个卷形式的一个薄膜(例如卷对卷制程生产)。基于应用，该聚合物基底可以具有任何适合的厚度。例如，该聚合物基底的厚度可以小于15密尔(一英寸的千分之一)。根据本发明的一个实施方案，在聚合物基底上形成一个层的一种方法包括将至少一种前体与一个聚合物基底接触，同时使用紫外光分解该至少一种前体并且将一个TCO层沉积到该聚合物基底上紫外光(UV)被用来分解至少一种前体。紫外光是波长小于可见光但是大于X光的电磁辐射，例如波长在IOnm至400nm的范围内，光子能量从3eV至124eV。在一个优选的实施方案中，UV光的波长在180-310nm的范围内，优选200-220nm。在某些实施方案中，光可以是单色的。UV光可能光化学地分解和/或激活这些前体。另外，UV光可能沉积或者帮助沉积TCO到聚合物基底上。在一个实施方案中，在化学气相沉积过程中可以使用UV光。化学气相沉积(CVD)是用于产生高纯度高性能的固体材料的一种化学方法，并且通常被用于半导体工业来生产薄膜。在一个典型CVD方法中，基底被暴露于一种或多种挥发性前体，这些前体在基底表面上反应和/或分解以产生期望的沉积物或薄膜。这个沉积物或薄膜可能包含一种或多种类型的金属原子，在这些前体的反应和/或分解之后，这些金属原子可以是金属，金属氧化物，金属氮化物等形式。还产生的任何挥发性副产物典型地被通过反应室的气流除去。但是化学气相沉积可能受到限制，尤其与所用的基底相关。例如，大部分大气压化学气相沉积法(APCVD)的沉积温度是400-700°C，这个温度超出了大部分聚合物的热稳定温度。发现当不使用UV辅助的化学气相沉积来降低温度(例如降至大约150°C )以适应聚合物基底时，沉积了具有低电导率的氧化锌薄膜。具有更低温度沉积的一个潜在问题可能是在更低温度下提供的能量可能不足以分解以及活化这些前体。因此确定，例如，必需额外的能量源来活化这些前体并且沉积具有良好光电特性的TCO薄膜。因此，本发明的实施方案利用了 UV来光化学地分解和/或活化这些前体，和/或在聚合物基底上成功沉积高质量的TCO薄膜。将该聚合物基底与至少一种前体接触。将前体可能包含一种或多种类型的前体。这一种或多种前体可能是本领域的熟练人员已知的任何合适的前体。该前体能以任何合适的形式引进到该体系中。在一个实施方案中，这一种或多种前体优选地以气相引入(例如蒸汽形式)。例如，优选用于化学气相沉积法的合适的气相前体。希望的是，化学气相沉积(CVD)前体既是挥发性的并且又容易处理。期望的前体显示出足够的热稳定性来阻止基底的过早降解或污染并且同时有助于很容易的处理。在一个优选的实施方案中，该前体在相对较低温度下应该是可沉积的以便保持基底的特性或者先前形成的下面的层的特性。另夕卜，用于共沉积方法的前体，当有其他前体存在下使用时，优选对共沉积层具有最小的或没有有害作用。在本发明的一个实施方案中，该至少一种前体包含锌。任何合适的含锌的化合物都可以利用。锌化合物优选地以一个气相形式引入。例如锌能以一种氧化物，碳酸盐，硝酸盐，磷酸盐，硫化物，卤代的锌化合物，包含有机取代物和/或配体的锌化合物等等来引入。例如，含锌的化合物可能对应着以下通式R1R2Zn 或 R1R2Zn [L]n其中R1和R2是相同或不同的并且选自烷基或芳基，L是一个配体，如果L是一个多齿配体(例如一个二齿或三齿配体)则η为I,如果L是一个单配位基配体则η为2。合适的配体包括，例如，醚类，胺类，酰胺类，酯类，酮类，等等。多齿配体可能包含一种以上的能够与锌原子配位的官能团。
其他合适的含锌化合物包括，但不限于，具有以下通式的化合物R1R2Zn Lz 或 R1R2Zn [R3R4N (CHR5) n (CH2) m (CHR6) nNR7R8]其中R1—8可以是相同的或不同的烷基或芳基，例如甲基，乙基，异丙基，正丙基，正丁基，叔丁基，苯基或取代的苯基，并且可以包括一个或多个含氟的取代基，L是一个基于氧的中性配体，例如一个醚，酮或酯并且z = 0-2。R5和R6可以是H或烷基或芳基，η可以是O或I,并且如果η是O则m可以是1-6,如果η是I则m可以是0-6。其他合适的锌化合物可以包含具有以下通式的二烷基锌乙二醇烷基醚
R92Zn · [RiciO (CH2) 20 (CH2) 2OR10]其中R9是一个短链的饱和的具有I至4个碳原子的有机基团(两个R9基团是相同的或不同的)，Rki是一个短链的饱和的具有I至4个碳原子的有机基团。优选地，R9是甲基或乙基并且Rltl是甲基并且被称为具有以下通式的二乙基锌(DEZ) 二甘醇二甲醚Et2Zn · [CH3O(CH2)2O(CH2)2OCH3]合适的含锌化合物的具体实例包括，例如，二乙基和二甲基锌加合物，例如二乙基锌 TEEDA(TEEDA = N，N，N’，N’ -四乙基乙二胺)，二乙基锌 TMEDA (TMEDA = N，N，N’，N’ -四甲基乙二胺)，二乙基锌TMPDA(TMPDA = N，N，N’，N’ =四甲基_1，3-丙二胺)，二甲基锌TEEDA，二甲基锌 TMEDA，和二甲基 TMPDA。其他合适的含锌化合物包括，例如，锌羧酸盐类(例如乙酸锌,丙酸锌)，锌二酮酸类(例如乙酰丙酮锌，六氟乙酰丙酮锌)，二烷基锌化合物(例如二乙基锌，二甲基锌)，氯化锋，等等。当锌被包括作为一个前体时，在聚合物基底上形成包含氧化锌的一个掺杂层的一种方法包括将包含锌和一个掺杂剂的至少一种前体与一个聚合物基底接触，并且使用紫外光来分解该至少一种前体并且将包含掺杂氧化锌的一个层沉积到该聚合物基底上。根据一个优选的实施方案，透明导电氧化物层是一个掺杂的氧化锌层。但是该氧化锌层可以是掺杂的或没有掺杂的。在本发明的一个实施方案中，该至少一种前体包含一个掺杂剂。可以利用任何合适的掺杂剂，如本领域的熟练人员可以识别的。例如，可以使用通常用于化学气相沉积法中的掺杂剂。掺杂剂优选地以一种气相形式引入。在一个优选的实施方案中，掺杂剂是选自以下组的至少一个金属，该组包含Al、Ga、In、TI和B。更加优选地，掺杂剂是Ga。例如，该前体组合物可以包含一个或多个第13组的含金属的前体，包括具有以下通式的化合物R9(3_n)M (R10C (O) CR112C (O) R12) n 或 R93M (L)其中厘=841、6&、111或1'1，1 9是一个烷基或芳基或卤化物或醇盐基，1 1°_12可以是相同的或不同的并且是H，烷基，或芳基(包括环状和部分和全氟化的衍生物)，η = 0-3，和L=能够与该金属配位的一个中性配体。一个优选的含镓的前体是二甲基镓六氟乙酰丙酮酸盐(通常被称为Me2Ga(hfac))。其他合适的含镓的前体可以包括二乙基镓(六氟乙酰丙酮化物)，三甲基镓，三甲基镓(四氢呋喃)，三乙基镓(四氢呋喃)，二甲基镓(2，2，6，6_四甲基-3，5-庚烷二酮化物)，二甲基镓(乙酰丙酮化物)，三(乙酰丙酮化物)镓，三(1，1，I-三氟乙酰丙酮化物)镓，三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚烷二酸酯)镓和三乙基镓。其他含镓化合物也是适合用作本发明的前体。
合适的含铝前体可以包括R1mAIR2JP R13Al (L)，其中R1是甲基，乙基，正丙基，异丙基，正丁基，异丁基，或辛基，R2是一个卤化物或取代的或未取代的乙酰丙酮化物衍生物，包括部分和全氟化的衍生物，η是0-3，乙基L是能够与铝配位的一个中性配体。优选的含铝前体可以包括二乙基铝乙酰丙酮化物(Et2Al(acac))，二乙基氯化铝，二乙基铝(六氟乙酰丙酮化物)，二乙基铝(1，1，1-三氟乙酰丙酮)，二乙基铝(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚烷二酮化物)，三乙基铝，三(正丁基)铝，以及三乙基铝(四氢呋喃)。其他含铝化合物也适合用作本发明的前体。可以用作掺杂剂前体的合适的含硼，含铟和含铊化合物包括二硼烷以及类似于前面所提及的含铝和含镓化合物的化合物(例如在任何前述含铝或含镓前体中用B，In或Tl原子取代Al或Ga的化合物)。最终掺杂的氧化物涂层中的掺杂剂(例如Al、B、TI、In、Ga类别，例如氧化物)的量可以通过控制前体蒸汽的组成如所期望的进行控制，例如前体的相对量。在一个实施方案中，氧化物涂层包含按重量计大约O. 1%至大约5%，或者大约O. 5%至大约3%，的掺杂剂氧化物。另外组分在前体蒸汽与基底接触之前或同时可以与前体混合。这些另外组分或前体可以包括，例如含氧化合物，特别是不包含金属的化合物，例如酯类，酮类，醇类，过氧化氢，氧气(O2)，或水。一种或多种含氟化合物(例如氟化烷烃类，氟化烯烃类，氟化醇类，氟化酮类，氟化羧酸类，氟化酯类，氟化胺类，HF，或包含F但不含金属的其他化合物)也可以被用作一种额外的组分。前体气相可以与一种惰性载气(例如氮气，氦气，氩气，等等)混合。在本发明的一个实施方案中，在聚合物基底上形成一个层的一种方法包含用至少一种前体与一种聚合物基底接触，并且使用紫外光分解该至少一种前体并且在该聚合物基底上沉积一个层。在一个优选的实施方案中，接触步骤和/或使用紫外光步骤可以在低温条件下发生。具体地，低温条件可以在低于大约400°C发生。在一个示例的实施方案中，UV应用步骤在低于大约200°C，例如100-200°C，优选大约160-200°C发生。在一个优选的实施方案中，UV应用步骤在大约160-200°C发生。例如，当使用化学气相沉积法时，可以想象在这个方法的过程中可以在任何时间使用低温条件，优选在整个方法过程中来最小化对聚合物基底的不良作用。任何合适的条件都可以在接触和应用步骤过程中使用。例如，接触步骤和/或应用步骤可以在大约大气压下进行。因此，在一个优选的实施方案中，该方法是大气压化学气相沉积(APCVD)法。任何其他合适的条件或技术也可以使用，例如低压化学气相沉积(LPCVD)，等离子增强的化学气相沉积(PECVD)，物理气相沉积，等等。也被认定的是接触和使用步骤能以任何合适的次序发生。例如，在化学气相沉积中，包含至少一种前体的一个气流被引入到一个沉积槽室。这个气体能以流线流经该反应器。这个前体，其组分，或者反应生成产物可以扩散越过这个流线并且接触基底的表面。随着前体活化并且分解，它们沉积在基底上并且形成薄膜或层。因此，该接触可以从前体和/或其活化的/分解的产品与聚合物基底的接触发生。因此，在聚合物基底上形成一个层的一种方法可以包含将至少一种前体引进到一个聚合物基底上，并且使用紫外光来分解该至 少一种前体以及在该聚合物基底上沉积一个层。在一个优选的实施方案中，该方法是化学气相沉积法。
当使用化学气相沉积法时，将包含锌，一种掺杂剂和一种氧源的气相形式的前体注入一个混合室，随后穿过一个UV室，随后在一个聚合物基底上沉积包含掺杂氧化锌的一个层。化学气相沉积法还可以发生在卷对卷(或网状)过程中，其中沉积发生在一个聚合物基底的卷上，例如在一个连续过程中。此处披露的方法产生了沉积在一个聚合物基底上的一个层，任选地一个掺杂层。该层中掺入非活化的前体(部分分解状态)被最小化或避免。该沉积法可以产生了单层TCO或多层TC0。这些层可以是相同或不同的TCO层。TCO薄膜可以是任何合适的厚度。例如，薄膜可以在大约1000-8000A的范围内。在一个具体实施方案中，该沉积法可以产生一个掺杂镓的氧化锌薄膜。该TCO层优选地具有优异的电学和光学特性的高品质。优选地TCO层的特性，尤其是掺杂的氧化锌，如果不比掺杂锡的氧化铟(ITO)更好则，至少是可比的。例如，ITO可以显示出均匀的电导率,例如在大约1父10_40 0!1至3\10_40 011范围内。在一个示例的实施方案中，透明导电氧化物层具有小于大约lX10_3Qcm的电阻率。该层还应该显示出良好的光学特性。具体地，该TCO可以提供大于80%的可见光透射，更加优选大约90%。使用本发明的实施方案，有可能获得电学上传导，对可见光透明，反射红外辐射和/或吸收紫外光的涂层。例如，可以通过实施本发明来制备涂覆了氧化锌的透明基底材料，这些基底材料显示出高的可见光透射，低发射特性和/或日光控制特性以及高电导率/低薄层电阻。另外，可以想象TCO层显示出良好的耐久性，例如通过显示对基底的良好的粘附性(例如涂层随着时间不会分层)。还有，TCO层经受退火过程是稳定的(例如掺杂剂原子在晶格中可以分散入取代的位置以引起电学特性的改变)。根据本发明制备的TCO薄膜的可能应用包括，但不限于，薄膜光伏(PV)和有机光伏(OPV)的装置，平板显示器，液晶显示设备，太阳能电池，电致变色吸收器和反射器，节能热镜面，抗静电涂层(例如光掩膜)，固态照明(LED和0LED)，感应加热，瓦斯感应器，光学透明导电薄膜，透明加热元件(例如各种防雾设备，例如冰箱陈列柜)，触摸操作屏，以及薄膜晶体管(TFT)，还有建筑和车窗应用中低发射率和/或日光控制层和/或热射线反射薄膜，等等。在一个优选的实施方案中，TCO薄膜可以用作薄膜PV和OLED (更具体的，OLED发光)O实例掺杂Al或Ga的氧化锌(ZnO)薄膜使用超紫外-化学气相沉积(UV-CVD)方法沉积。该沉积法不同于传统大气压化学气相沉积，在于使用了一种UV光源来活化这些前体并且促进低基底温度下的沉积。本方法中使用的锌前体是二甲基锌和甲基THF的一个络合物。Al和Ga掺杂剂分别是铝二乙基乙酰丙酮化物(Et2AKacac))和镓二甲基乙酰丙酮化物(Me2Ga(acac))。本方法中所用的氧化剂是水或水和乙醇的一个混合物。氮被用作一种载气在沉积在基底上之前携带前体气体和氧化物气体至CVD混合室。Zn和掺杂剂前体保留在钢鼓泡器内，氮载气流经该鼓泡器并且携带前体气体至该混合室。试验参数列于表I中。测试了不同的UV光源来活化该沉积过程Hanovia中压萊灯,Heraeus低压萊齐灯和Heraeus高压金属卤化物灯。中压汞灯和高压金属卤化物灯都产生覆盖从UVC (约220nm)至红外的广谱辐射，而低压汞齐灯产生两个波长185nm和254nm下的UV辐射。185nm和254nm下的、能流分别为9W和30W。表I
权利要求
1.一种用于在聚合物基底上形成一个层的方法，该方法包括 (a)用至少一种前体接触一个聚合物基底；并且 (b)使用紫外光来分解该至少一种前体并且在该聚合物基底上沉积一个层。
2.根据权利要求I所述的在聚合物基底上形成一个层的一种方法，其中该至少一种前体包含一种掺杂剂。
3.根据权利要求2所述的在聚合物基底上形成一个层的一种方法，其中该掺杂剂是选自由Al、Ga、In、Tl和B组成的组的至少一种金属。
4.根据权利要求I所述的在聚合物基底上形成一个层的一种方法，其中该至少一种前体包含锌。
5.根据权利要求4所述的在聚合物基底上形成一个层的一种方法，其中该层是一个掺杂氧化锌的层。
6.根据权利要求I所述的在聚合物基底上形成一个层的一种方法，其中该层是一个透明的导电氧化物层。
7.根据权利要求6所述的在聚合物基底上形成一个层的一种方法，其中该透明导电氧化物层具有小于大约I X KT3Qcm的电阻率。
8.根据权利要求I所述的在聚合物基底上形成一个层的一种方法，其中步骤(b)在低于大约200°C时进行。
9.根据权利要求I所述的在聚合物基底上形成一个层的一种方法，其中步骤(b)在大约160-200°C时进行。
10.根据权利要求I所述的在聚合物基底上形成一个层的一种方法，其中在步骤(a)中该至少一种前体以气相引入。
11.根据权利要求I所述的在聚合物基底上形成一个层的一种方法，其中所述接触在大约大气压下进行。
12.根据权利要求I所述的在聚合物基底上形成一个层的一种方法，其中该聚合物基底选自下组，该组由以下各项组成氟聚合物树脂类，聚酯类，聚丙烯酸酯类，聚酰胺类，聚酰亚胺类，和聚碳酸酯类。
13.根据权利要求I所述的在一个聚合物基底上形成一个层的一种方法，其中该聚合物基底选自下组，该组由以下各项组成聚偏二氟乙烯(PVDF)，聚对苯二甲酸乙二酯(PET)，聚萘二甲酸乙二酯(PEN)，和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
14.根据权利要求I所述的在聚合物基底上形成一个层的一种方法，其中该紫外光激活了该至少一种前体。
15.根据权利要求I所述的在聚合物基底上形成一个层的一种方法，其中该紫外光具有大约180-3IOnm的波长。
16.根据权利要求I所述的在聚合物基底上形成一个层的一种方法，其中该方法是化学气相沉积法。
17.一种用于在聚合物基底上形成包含氧化锌的一个掺杂层的方法，该方法包括 (a)用包含锌和一种掺杂剂的至少一种前体接触一个聚合物基底；并且 (b)使用紫外光分解该至少一种前体并且在该聚合物基底上沉积包含掺杂的氧化锌的一个层。
18.沉积在聚合物基底上的包含氧化锌的一个掺杂层，该层通过以下方法获得(a)将包含锌和一种掺杂剂的至少一种前体引入到包含聚合物基底的一个容器中；并且(b)使用紫外光分解该至少一种前体并且在该聚合物基底上沉积包含掺杂的氧化锌的一个层。
全文摘要
本发明提供了在一个聚合物基底上形成一个层的一种方法，该方法包括具有使至少一种前体与一个聚合物基底接触，并且使用紫外光分解该至少一种前体并且在该聚合物基底上沉积一个层。还提供了沉积在一个聚合物基底上的包含氧化锌的一个掺杂层，这是通过将包含锌和一种掺杂剂的至少一种前体引入到一个容器内来接触一种聚合物基底，并且使用紫外光分解该至少一种前体以及在该聚合物基底上沉积包含掺杂氧化锌的一个层。
文档编号C03C17/34GK102640254SQ201080053908
公开日2012年8月15日 申请日期2010年10月14日 优先权日2009年10月15日
发明者G·S·西尔弗曼, R·G·史密斯, R·Y·科罗特科夫, 徐琛 申请人:阿科玛股份有限公司