专利名称：95%电阻陶瓷基体低温烧结的配方的制作方法
技术领域：
本发明是一种能够在1250°C低温下快速烧结的95%电阻陶瓷基体原料的配制方法。
背景技术：
目前，传统的95%瓷原料配方是用a-氧化铝(Al203)94 % (W%)、烧滑石[Mg3Si4Oltl(OH)2] 3%、高岭土AbQj.2Si02.2H20) 3%配制而成，烧结温度高达 1700°C，此种陶瓷原料不仅能耗很大，生产周期长，成本居高不下，一直未能应用到超小型化95%电阻陶瓷基体上。
发明内容
为了克服目前传统95 %陶瓷原料配方烧结温度过高，能耗很大，生产周期长，成本太高的缺点，本发明提供一种烧成温度低，烧成速度快，适合超小型化95%电阻陶瓷基体生产需要的陶瓷原料配方。本发明解决其 技术问题所采用的技术方案是它是采用a-氧化铝(Al2O3) 94 96% (ff% )、焦硼酸钡(Ba0.2B203) 2 3%、氧化锰(MnO2) 1.5 3%、碳酸镁(MgCO3) I 1.5%、氧化钛(TiO2)0.5 1.5%配制而成。本发明的有益效果是烧成温度低，烧成速度快，成本低效率高，为超小型化95%电阻陶瓷基体生产开辟了一种新方法。
具体实施例方式采用a-氧化铝(Al2O3) 94 96% (ff% )、焦硼酸钡(Ba0.2B203) 2 3%、氧化锰(MnO2) 1.5 3%、碳酸镁(MgCO3) I 1.5%、氧化钛(TiO2)0.5 1.5%配制混合而成。
权利要求
1.一种95%电阻陶瓷基体原料的配制方法，它是采用a-氧化铝(Al203)94% (w%),烧滑石[Mg3Si4Oltl(OH)2] 3%、高岭土(Al2O3.2Si02.2H20) 3%配制而成，烧结温度 1700°C，其特征是采用a-氧化铝(Al2O3) 94 96% (ff% )、焦硼酸钡(Ba0.2B203) 2 3%、二氧化锰(MnO2) 1.5 3%、碳酸镁(MgCO3)I 1.5%、氧化钛(TiO2)0.5 1.5%配制而成，烧结温度 1250 °C。
全文摘要
一种能够在1250℃低温下快速烧结的95％电阻陶瓷基体原料的配制方法。它是采用a-氧化铝(Al2O3)94～96％(W％)、焦硼酸钡(BaO·2B2O3)2～3％、氧化锰(MnO2)1.5～3％、碳酸镁(MgCO3)1～1.5％、氧化钛(TiO2)0.5～1.5％配制而成。其特点是烧结温度低、烧结速度快、节能减排效果明显，热导率可达21～25W/m·K，密度可达3.75克/立方厘米，具有绝缘强度高、抗折强度高的优点，完全满足超小型化电阻性能的要求。主要用于生产超小型化95％电阻陶瓷基体、95％半导体集成电路封装遮光陶瓷基片、电子数码管氧化铝陶瓷板等电子陶瓷产品。
文档编号C04B35/622GK103086701SQ20111034771
公开日2013年5月8日 申请日期2011年11月2日 优先权日2011年11月2日
发明者彭道移 申请人:东莞市长凌电子材料有限公司