专利名称：通过调整陶瓷品表面粗糙度来改善设备颗粒状况的方法
技术领域：
本发明涉及一种集成电路制造中颗粒的改善方法，特别是涉及一种通过调整陶瓷品表面粗糙度来改善设备颗粒状况的方法。
背景技术：
Dome片(锅仔片或金属弹片)，是一块包含金属弹片(锅仔片)的PET带胶的薄片、按照线路板上对应的PAD(焊盘)位置来安排每一个金属弹片(锅仔片)的位置，以及其他元器件来设置对应的避空位及定位孔等。Dome片的工作原理是金属弹片位于PCB/FPC板上的导电部位，当受到按压时，弹片的中心点下凹，接触到PCB上的线路，从而形成回路，电流通过，整个产品就得以正常工作。因此，Dome片是各种电子开关设备中不可或缺的一部分，主要用于手机、对讲机、无绳电话、MP3、MP4、iPhone、轻触开关、薄膜开关、电子仪器设备等，在使用者与仪器之间起到一个重要的触感型开关的作用。与传统的硅胶按键相比，导电膜有更好的手感、更长的寿命。现有DPS Trench etch (数控电源沟槽)刻蚀工艺多使用Cl2/HBr等气体，加上由于是hard mask (硬掩膜)做掩膜，没有光刻胶生成物，而生成物中只有较多Cl2和HBr成分，对刻蚀腔生成物粘力作用较小，容易引起腔体氛围不稳定，颗粒状态较差，颗粒破损率(Particle fail rate)在 70% 以上。现有的dome (锅仔片或金属弹片)陶瓷品，其表面粗糙度在1.5μπι以下，用在trench etch工艺上,会造成颗粒较差，因此，该类型dome陶瓷品不适用于trench etch工艺
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种通过调整陶瓷品表面粗糙度来改善设备颗粒状况的方法，该方法通过控制dome陶瓷品的表面粗糙度大小，以解决在DPS Trench etch刻蚀工艺中引起的颗粒较差问题。为解决上述技术问题，本发明的调整陶瓷品表面粗糙度来改善设备颗粒状况的方法，是一种改善DPS Trench etch刻蚀工艺中出现的颗粒状况方法,步骤包括:通过将dome陶瓷品的表面粗糙度(表面粗糙度平均值)控制在2.5 3.5 μ m之间。所述DPS Trench etch刻蚀工艺，是以Cl2/HBr进行的DPS Trench etch刻蚀工艺，其中，Cl2/HBr的体积比为20: 90。上述方法，其具体步骤包括:(I)对废弃的dome陶瓷品，进行研磨、喷沙、再研磨处理；(2)将dome陶瓷品的表面粗糙度平均值控制在2.5 3.5 μ m。所述步骤(I)中，废弃的dome陶瓷品是表面粗糙度大于1.5 μ m的dome陶瓷品。所述步骤(I)中，用化学药液研磨、用细沙进行喷沙、再化学药液研磨处理。所述步骤⑵中，用表面粗糙度仪器检测dome陶瓷品的面内13点(面内中心一点，中心点外两圈各6点)，来确认dome陶瓷品的表面粗糙度平均值已控制在2.5
3.5 μ m 对于目前的使用Cl2/HBr方式进行的DPS Trench etch刻蚀工艺中，出现的颗粒较差问题，可以按照本发明的方法，即通过控制dome陶瓷品的表面粗糙度大小，可以对后续进行的DPS Trench etch刻蚀工艺中腔体的氛围起到稳定作用，从而有效解决该工艺中出现的颗粒较差问题。另外，本发明中采用废弃的dome陶瓷品，因此，可以实现对废弃dome陶瓷品的再利用，不仅节省成本，而且还环保。
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明:图1是Trench etch工艺流程图；图2是本发明中控制dome陶瓷品的表面粗糙度前后的颗粒状况图；图3是本发明中对dome陶瓷品的进行表面粗糙度处理的示意图；图4是本发明中dome陶瓷品的内表面粗糙度处理后的效果图；图5是本发明的检测dome陶瓷品的面内13点示意图。
具体实施例方式首先,通过以现有Cl2/HBr方式进行DPS trench etch工艺(如图1所示)J^dome陶瓷品的表面粗糙度进行如下实验:(I)对于普通的dome陶瓷品(表面粗糙度平均值在1.5 μ m以下)，使用现有Cl2/HBr (Cl2/HBr的体积比为20: 90)方式进行DPS trench etch式样开腔后，发现dome陶瓷品表面polymer (聚合物)分布不均,靠近dome陶瓷品顶部射频线圈区域就容易掉落，明显粘不住，其它地方的polymer相对较好；(2)经过多次观察和表面粗糙度仪测试，发现dome陶瓷品内部的面内13点表面粗糙度平均值高(> 1.5μηι)的地方,经DPS trench etch工艺后,polymer容易粘住；反之，则容易掉落，这与表面粗糙度平均值在1.5 μ m以下的dome陶瓷品式样，明显不同；面内13点的选择依据如下:面内三圈:面内中心一点，中心点外两圈各6点，如图5所示；(3)挑选3个废弃的dome陶瓷品，经过化学药液研磨、用细沙进行喷砂、再化学药液研磨处理，经表面粗糙度仪检测，将dome陶瓷品的面内13点的表面粗糙度平均值分别控制在1.5 2.5μπι、2.5 3.5μπι和3.5 4.5 μ m，发现在2.5 3.5μπι范围内，对后续的以使用Cl2/HBr方式进行的DPS Trench etch刻蚀工艺中，颗粒稳定，且在规格内，并且作业的制品无影响，其中，颗粒的检测数据如图2所示。由以上实验可知,普通的dome陶瓷品表面粗糙度平均值在1.5μηι以下,其polyetch式样产生的polymer不容易粘在dome陶瓷品表面，dome陶瓷品表面相对比较干净。如果dome陶瓷品的表面粗糙度平均值大于1.5 μ m, polymer就会粘在dome陶瓷品上，DPStrench etch工艺作业过程中polymer会掉落,造成颗粒较差,从而形成废弃制品。然而，对于DPS Trench etch工艺，由于其生成物特殊,需要粘在dome陶瓷品上，而且要保证在一定的时间或厚度之内不能脱落。经过实验，dome陶瓷品的表面粗糙度平均值控制在2.5 3.5μπι能够满足要求，过高或过低的表面粗糙度都会引起dome陶瓷品表面polymer掉落,造成颗粒较差。因此，根据以上实验所得，本发明的调整陶瓷品表面粗糙度来改善设备颗粒状况的方法，适用于DPS Trench etch工艺中的颗粒改善,其步骤包括:(I)对废弃的、表面粗糙度平均值大于1.5μπι的dome陶瓷品，进行常规的化学药液研磨、用常规的细沙进行喷沙、再常规的化学药液研磨处理；(2)用表面粗糙度仪器来检测，从而确保dome陶瓷品的面内13点的表面粗糙度平均值已控制在2.5 3.5 μ m，如图3-4所示。综上所述，DPS Trench etch刻蚀工艺使用Cl2/HBr出现的颗粒问题,可通过控制dome陶瓷品的表面粗糙度来解决，即将Dome陶瓷品的表面粗糙度平均值控制在2.5 μ m
3.5 μ m之间，可以 有效减少颗粒，提闻制品质量。
权利要求
1.一种调整陶瓷品表面粗糙度来改善设备颗粒状况的方法，其特征在于:所述方法是改善DPS Trench etch刻蚀工艺中出现的颗粒状况方法,步骤包括:通过将dome陶瓷品的表面粗糙度控制在2.5 3.5 μ m之间。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述表面粗糙度为表面粗糙度平均值。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述DPSTrench etch刻蚀工艺，是以Cl2/HBr进行的DPS Trench etch刻蚀工艺。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于:所述Cl2/HBr的体积比为20: 90。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述方法，步骤包括: (1)对废弃的dome陶瓷品,进行研磨、喷沙、再研磨处理； (2)将dome陶瓷品的表面粗糙度平均值控制在2.5 3.5 μ m。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于:所述步骤(I)中，废弃的dome陶瓷品是表面粗糙度大于1.5 μ m的dome陶瓷品。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于:所述步骤(I)中，用化学药液研磨、用细沙进行喷沙、再化学药液研磨处理。
8.如权利要求5所述的方法，其特征在于:所述步骤(2)中，用表面粗糙度仪器检测dome陶瓷品的面内13点，来确认dome陶瓷品的表面粗糙度平均值已控制在2.5 3.5 μ m。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于:所述面内13点为:面内中心一点，中心点外两圈各6点。
全文摘要
本发明公开了一种调整陶瓷品表面粗糙度来改善设备颗粒状况的方法，该方法是一种改善DPS Trench etch刻蚀工艺中出现的颗粒状况方法，步骤包括通过将dome陶瓷品的表面粗糙度控制在2.5～3.5μm之间。包括通过将dome陶瓷品的表面粗糙度控制在2.5～3.5μm之间，从而改善后续进行的DPS Trench刻蚀工艺中出现的颗粒较差问题。本发明不仅有效解决DPS Trench etch刻蚀工艺中出现的颗粒较差问题，而且实现了对废弃dome陶瓷品的再利用，不仅节省成本，还环保。
文档编号C04B41/91GK103159508SQ201110407858
公开日2013年6月19日 申请日期2011年12月9日 优先权日2011年12月9日
发明者温海东, 夏志刚, 李顺义 申请人:上海华虹Nec电子有限公司