1.本发明主要涉及半导体封装领域，尤其涉及一种晶圆切割方法。
背景技术：
2.在半导体技术中，广为人知的是半导体材料(通常是硅)的晶元被处理以在该晶元的表面区域形成部件。
3.各个晶元部分通常布置在由相互正交的切割道(也称作“切削道”)分离的正方网格斑图(square pattern)中。分离工艺涉及在每个切削道施加切割。显然，期望的是尽可能有效地利用晶元的表面区域，因此所述切削道非常窄，这使得切削处理的精度要求非常严格。此外，沿着所述正交切割道，顶层是相对脆弱的绝缘材料或低传导半导体材料，传统的刀片切削方法将对该顶层造成严重损害。
技术实现要素：
4.针对现有技术的上述缺陷，本发明提供一种晶圆切割方法，用于对晶元进行高精度切割。
5.一种晶圆切割方法，包括晶圆芯片，胶层，基板和增加层，所述增加层为底面覆盖daf膜的晶圆假片；
6.其特征在于，包括以下步骤：
7.s1：准备晶元假片，在晶元背面贴上daf膜；
8.s2：在待切割晶元假片上划分形成四个顶点都在待切割晶元圆周上的矩形区；
9.s3：低功率切割两个沟槽；
10.s4：在所述两个沟槽之间高功率切割缝隙；
11.s5：在待切割晶元上的非矩形区域按照横向和竖向切割形成面积相对较小的第二芯片区；
12.s6：继续后序工序：焊线，塑封。
13.优选的，所述s1中，将晶圆假片颗粒通过固晶制程贴合在基板上，让晶圆假片颗粒背面的新的daf膜和基板表面结合。
14.优选的，所述s2中，将整片晶圆假片和daf膜通过晶元切割工艺一起切开，切成晶圆芯片一样大小的晶圆假片颗粒。
15.优选的，所述s3中，将单脉冲辐射束分裂成至少两个脉冲辐射束。
16.优选的，所述单脉冲辐射束被分裂为第一脉冲辐射束以及第二脉冲辐射束。
17.优选的，所述第一脉冲辐射束用于切割所述沟槽以及所述第二脉冲辐射束用于切割所述缝隙。
18.本发明的有益效果：提高晶元切割的精度，提高产品良率。
具体实施方式
19.下面对本实用进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性，不应对本发明的保护范围有任何的限制作用。
20.本发明提供一种晶圆切割方法，包括晶圆芯片，胶层，基板和增加层，所述增加层为底面覆盖daf膜的晶圆假片；
21.包括以下步骤：
22.s1：准备晶元假片，在晶元背面贴上daf膜；
23.s2：在待切割晶元假片上划分形成四个顶点都在待切割晶元圆周上的矩形区；
24.s3：低功率切割两个沟槽；
25.s4：在所述两个沟槽之间高功率切割缝隙；
26.s5：在待切割晶元上的非矩形区域按照横向和竖向切割形成面积相对较小的第二芯片区；
27.s6：继续后序工序：焊线，塑封。
28.本实施例中优选的，所述s1中，将晶圆假片颗粒通过固晶制程贴合在基板上，让晶圆假片颗粒背面的新的daf膜和基板表面结合。
29.本实施例中优选的，所述s2中，将整片晶圆假片和daf膜通过晶元切割工艺一起切开，切成晶圆芯片一样大小的晶圆假片颗粒。
30.本实施例中优选的，所述s3中，将单脉冲辐射束分裂成至少两个脉冲辐射束。
31.本实施例中优选的，所述单脉冲辐射束被分裂为第一脉冲辐射束以及第二脉冲辐射束。
32.本实施例中优选的，所述第一脉冲辐射束用于切割所述沟槽以及所述第二脉冲辐射束用于切割所述缝隙。
33.需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
34.以上所述的本发明实施方式，并不构成对本发明保护范围的限定。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的权利要求保护范围之内。
技术特征：
1.一种晶圆切割方法，包括晶圆芯片，胶层，基板和增加层，所述增加层为底面覆盖daf膜的晶圆假片；其特征在于，包括以下步骤：s1：准备晶元假片，在晶元背面贴上daf膜；s2：在待切割晶元假片上划分形成四个顶点都在待切割晶元圆周上的矩形区；s3：低功率切割两个沟槽；s4：在所述两个沟槽之间高功率切割缝隙；s5：在待切割晶元上的非矩形区域按照横向和竖向切割形成面积相对较小的第二芯片区；s6：继续后序工序：焊线，塑封。2.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于：所述s1中，将晶圆假片颗粒通过固晶制程贴合在基板上，让晶圆假片颗粒背面的新的daf膜和基板表面结合。3.根据权利要求2所述的晶圆切割方法，其特征在于：所述s2中，将整片晶圆假片和daf膜通过晶元切割工艺一起切开，切成晶圆芯片一样大小的晶圆假片颗粒。4.根据权利要求3所述的晶圆切割方法，其特征在于：所述s3中，将单脉冲辐射束分裂成至少两个脉冲辐射束。5.根据权利要求4所述的晶圆切割方法，其特征在于：所述单脉冲辐射束被分裂为第一脉冲辐射束以及第二脉冲辐射束。6.根据权利要求5所述的晶圆切割方法，其特征在于：所述第一脉冲辐射束用于切割所述沟槽以及所述第二脉冲辐射束用于切割所述缝隙。
技术总结
本发明提供一种晶圆切割方法，用于对晶元进行高精度切割；包括晶圆芯片，胶层，基板和增加层，所述增加层为底面覆盖DAF膜的晶圆假片；包括以下步骤：S1：准备晶元假片，在晶元背面贴上DAF膜；S2：在待切割晶元假片上划分形成四个顶点都在待切割晶元圆周上的矩形区；S3：低功率切割两个沟槽；S4：在所述两个沟槽之间高功率切割缝隙；S5：在待切割晶元上的非矩形区域按照横向和竖向切割形成面积相对较小的第二芯片区；S6：继续后序工序：焊线，塑封；本发明的有益效果：提高晶元切割的精度，提高产品良率。提高产品良率。
技术研发人员：胡杰
受保护的技术使用者：海太半导体（无锡）有限公司
技术研发日：2021.05.21
技术公布日：2022/11/22