一种籽晶掏棒粘胶工艺的制作方法

文档序号:35264524发布日期:2023-08-29 17:23阅读:192来源:国知局
一种籽晶掏棒粘胶工艺的制作方法

本发明涉及籽晶掏棒,具体涉及一种籽晶掏棒粘胶工艺。


背景技术:

1、太阳能行业中,需要把硅棒加工成籽晶使用,加工过程中需要先将硅棒粘胶固定在钢化玻璃板上,然后使用掏棒刀具对硅棒进行掏棒,掏棒刀具为环状刀具,进行硅棒掏棒时,掏棒刀具以一定转速切割硅棒,掏出一个小尺寸的籽晶硅棒。

2、公开号为cn104441278b的专利文件公开了一种蓝宝石晶体掏棒方法及刀具,包括使用第一掏棒刀沿预设方向掏棒到第一深度,使用第二掏棒刀从所述第一深度处沿预设方向继续掏棒,直到掏棒完成,与现有技术相比,不仅保护刀具,而且能够提高籽晶的成品率。

3、虽然上述技术方案公开了保护刀具以及提高籽晶良品率的相关内容,但在籽晶掏棒粘胶工艺中,由于硅棒粘胶固定较为繁琐,在掏棒以及粘胶工序中容易损伤钢化玻璃板,也易使掏棒刀具磨损,成本浪费较大。


技术实现思路

1、为了克服上述的技术问题,本发明的目的在于提供一种籽晶掏棒粘胶工艺,其解决了传统硅棒粘胶以及掏棒工序易损伤掏棒刀具以及钢化玻璃板,造成成本升高,钢化玻璃板难以循环利用的问题。

2、本发明的目的可以通过以下技术方案实现:

3、一种籽晶掏棒粘胶工艺,包括以下步骤:

4、第一步,确定硅棒底面直径,选择一块粘胶板,粘胶板的尺寸大于硅棒的底面尺寸;

5、第二步,在粘胶板上以硅棒的圆心为中心,开设一个涂胶凹槽,涂胶凹槽的直径小于硅棒的直径;

6、第三步,在涂胶凹槽内均匀涂抹胶水;

7、第四步,将硅棒的底端与涂胶凹槽抵接,确保硅棒与涂胶凹槽内的胶水接触,待硅棒固定在粘胶板上后,可以进行掏棒作业;

8、第五步,籽晶掏棒完成后进行脱胶作业,使用车床车去粘胶板的涂胶面,确保粘胶板上没有涂胶残留,然后可以重复第一步继续下一根硅棒的粘胶作业。

9、进一步在于,粘胶板为酚醛树脂材料制成。

10、进一步在于,粘胶板的厚度在25-30mm之间。

11、进一步在于,粘胶板为圆形板,粘胶板的直径超出硅棒的直径25-30mm。

12、进一步在于,涂胶凹槽为圆形凹槽,其直径小于硅棒直径2mm,涂胶凹槽的深度在1-1.5mm之间。

13、进一步在于,涂抹胶水时,确保涂胶凹槽内的胶水与粘胶板的顶面重合。

14、进一步在于,固定硅棒时,确保硅棒的圆心与涂胶凹槽的圆心重合。

15、进一步在于,硅棒的底部与粘胶板抵接的端面边沿形成有倒角斜面。

16、本发明的有益效果:

17、相较于传统方法,本技术方案在粘胶板上开设有涂胶凹槽,硅棒的底部与涂胶凹槽内的胶水抵接实现固定,由于凹槽具有一定深度,从而为掏棒刀具抵达掏刀终点位置预留一定安全间距,避免掏棒刀具与粘胶板硬接触从而损坏掏棒刀具和粘胶板,同时,涂胶凹槽也能更好的限定硅棒的粘胶位置,避免胶水溢出,通过车床车去粘胶板顶部的一定深度,还解决了粘胶板不能循环利用的问题。



技术特征:

1.一种籽晶掏棒粘胶工艺,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种籽晶掏棒粘胶工艺,其特征在于,粘胶板(1)为酚醛树脂材料制成。

3.根据权利要求1所述的一种籽晶掏棒粘胶工艺,其特征在于,粘胶板(1)的厚度在25-30mm之间。

4.根据权利要求1所述的一种籽晶掏棒粘胶工艺,其特征在于,粘胶板(1)为圆形板,粘胶板(1)的直径超出硅棒(4)的直径25-30mm。

5.根据权利要求1所述的一种籽晶掏棒粘胶工艺,其特征在于,涂胶凹槽(2)为圆形凹槽,其直径小于硅棒(4)直径2mm,涂胶凹槽(2)的深度在1-1.5mm之间。

6.根据权利要求1所述的一种籽晶掏棒粘胶工艺,其特征在于,涂抹胶水(3)时,确保涂胶凹槽(2)内的胶水(3)与粘胶板(1)的顶面重合。

7.根据权利要求1所述的一种籽晶掏棒粘胶工艺,其特征在于,固定硅棒(4)时,确保硅棒(4)的圆心与涂胶凹槽(2)的圆心重合。

8.根据权利要求1所述的一种籽晶掏棒粘胶工艺,其特征在于,硅棒(4)底部与粘胶板(1)抵接的端面边沿形成有倒角斜面。


技术总结
本发明涉及籽晶掏棒技术领域,具体涉及一种籽晶掏棒粘胶工艺,包括以下步骤:确定硅棒直径,选择一块粘胶板,粘胶板的尺寸大于硅棒的底面尺寸,在粘胶板上开设一个涂胶凹槽,在涂胶凹槽内均匀涂抹胶水,将硅棒的底端与涂胶凹槽抵接,待硅棒固定在粘胶板上后,可以进行掏棒作业,最后使用车床车去粘胶板的涂胶面,确保粘胶板上没有涂胶残留,然后可以重复继续硅棒的粘胶作业。相较于传统方法,本技术方案在粘胶板上开设有涂胶凹槽,硅棒的底部与涂胶凹槽内的胶水抵接实现固定,由于凹槽具有一定深度,从而为掏棒刀具抵达掏刀终点位置预留一定安全间距,避免掏棒刀具与粘胶板硬接触从而损坏掏棒刀具和粘胶板。

技术研发人员:赵涛,王军磊,王艺澄,姜志强
受保护的技术使用者:包头美科硅能源有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/14
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