本技术涉及单晶硅,尤其涉及一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置。
背景技术:
1、直拉法是一种晶体生产方法,主要用于半导体、金属、盐、合成宝石等单晶材料,直拉法通常应用于晶锭、晶棒、单晶硅的生长。
2、在用直拉法制备单晶硅时,晶棒在收尾时由于存在拉料单晶。由于拉料单晶已无法正常使用,需与正常的可使用晶棒部分分开。因此,需将晶棒升至副室上限位后,旋开副室将晶棒尾部降至收集车内,敲掉尾部的拉料单晶后放入取棒车。
3、现有技术中,去除尾部拉料单晶的方法是拉晶员工使用长柄钨锤进行人工敲击,由于击打过程中不能一击掉落,需反复敲击,但是反复敲击过程中会对晶棒尾部造成内部隐裂,在晶棒截断过程中无法一次识别隐裂长度,造成多次反切,成本增加及工时浪费。
技术实现思路
1、本实用新型提供一种降低单晶硅尾部裂纹的冲击截断装置,用以解决现有技术中人工敲击晶棒尾部,反复敲击过程中会对晶棒尾部造成内部隐裂,在晶棒截断过程中无法一次识别隐裂长度,造成多次反切,成本增加及工时浪费的缺陷,实现一次冲击完成尾部拉料敲料工作,避免反复击打,减少隐裂,提高成品率。
2、本实用新型提供一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置,包括:
3、棒料收集车体,具有车斗;
4、环板,设置于所述棒料收集车体的顶部;
5、多个冲击截断机构,均匀设置于所述环板的侧壁上,且所述冲击截断机构与晶棒尾部对准。
6、根据本实用新型提供的一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置,所述冲击截断机构包括四个,且每相邻两个所述冲击截断机构间隔90度。
7、根据本实用新型提供的一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置,所述冲击截断机构包括冲击气缸。
8、根据本实用新型提供的一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置,所述冲击气缸靠近所述晶棒尾部的端部设置为锥形结构。
9、根据本实用新型提供的一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置,还包括气缸控制器,所述气缸控制器与多个所述冲击气缸均连接。
10、根据本实用新型提供的一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置,四个所述冲击气缸形成的圆环直径较所述晶棒尾部的直径大于10mm。
11、根据本实用新型提供的一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置,还包括:
12、多个支撑杆,垂直水平面设置,所述支撑杆的一端与所述棒料收集车体连接,另一端与所述环板连接;且多个所述支撑杆均匀分布于所述棒料收集车体的外侧壁的顶部。
13、根据本实用新型提供的一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置,还包括:
14、多个距离检测装置,分别设置于所述环板的内周侧,所述距离检测装置用于检测所述环板内周侧与所述晶棒之间的距离。
15、根据本实用新型提供的一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置,所述环板呈圆环型。
16、根据本实用新型提供的一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置,所述棒料收集车体的侧壁上开设有出料口;所述棒料收集车体的底部设置有万向轮组。
17、本实用新型提供的一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置,通过棒料收集车体的车斗收集敲击下来的棒料;冲击截断机构均匀设置于环板的侧壁上,且冲击截断机构与晶棒尾部对齐,多个冲击截断机构同时在晶棒尾部同一平面的不同部位进行冲击,均自晶棒尾部的外周侧向其中心处冲击,实现一次冲击即可完成尾部拉料的敲料工作,能够避免反复敲打,减少内部隐裂,提高成品率。
1.一种降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置,其特征在于,所述冲击截断机构(3)包括四个,且每相邻两个所述冲击截断机构(3)间隔90度。
3.根据权利要求1所述的降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置,其特征在于,所述冲击截断机构(3)包括冲击气缸。
4.根据权利要求3所述的降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置,其特征在于,所述冲击气缸靠近所述晶棒尾部的端部设置为锥形结构。
5.根据权利要求3所述的降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置,其特征在于,还包括气缸控制器,所述气缸控制器与多个所述冲击气缸均连接。
6.根据权利要求3所述的降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置,其特征在于,四个所述冲击气缸形成的圆环直径较所述晶棒尾部的直径大于10mm。
7.根据权利要求1所述的降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置,其特征在于,还包括:
8.根据权利要求1所述的降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置,其特征在于,还包括:
9.根据权利要求1所述的降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置,其特征在于,所述环板(2)呈圆环型。
10.根据权利要求1所述的降低单晶硅棒尾部裂纹的冲击截断装置,其特征在于,所述棒料收集车体(1)的侧壁上开设有出料口(5);所述棒料收集车体(1)的底部设置有万向轮组(6)。