高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃的制作方法
【专利摘要】本实用新型提出一种高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，该镀膜玻璃依次包括：玻璃基板/底层电介质层/第一阻挡层/第一功能层/第二阻挡层/中间电介质层/第三阻挡层/第二功能层/第四阻挡层/顶层电介质层；其中，底层、顶层电介质层为Si3N4层；第一，第二、第三、第四阻挡层为ZnO层或者AZO层或者NiCrOx层；第一、第二功能层为Ag层；中间电介质层为ZnSnO3层或者Si3N4和ZnSnO3的组合层。本实用新型提出的一种高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃，采用新颖的架构膜系，其优点在于：（1）产品的可见光透过率高，Tr≥80；（2）产品钢前钢后数据漂移小，机械性能较好且稳定；（3）产品外观颜色接近自然色，真实美观舒适。
【专利说明】高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及镀膜玻璃【技术领域】，具体的，涉及一种高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃。
【背景技术】
[0002]LOff-E玻璃是在玻璃表面利用磁控溅射法沉积多层膜，在多层膜层材料中沉积一层或两层或两层以上的纯银基材而成的高性能玻璃制品。LOW-E玻璃突出地强调了玻璃对太阳热辐射的遮蔽效果，将玻璃的高透光性与太阳热辐射的低透过性巧妙地结合在一起，成功地解决了高透光与低传热系数U值，遮阳系数SC值的双重优势并存的难题具有很好节能效果。
[0003]而双银LOW-E玻璃，相比于单银LOW-E玻璃，在产品的性能上又有了很大程度的提高，在透光率相同的情况下，双银LOW-E玻璃具有更低的遮阳系数SC，能更大限度地将太阳光过滤成冷光源；另一方面，双银LOW-E玻璃的传热系数较单银LOW-E更低，进一步提高了外窗的保温性能，真正达到了冬暖夏凉。总的来说，双银LOW-E玻璃较单银LOW-E玻璃在满足良好采光性能的同时，更大程度的提高了室内热舒适度，减少了设备采暖制冷的运行时间，节约了电能，是节约环保的好产品。
[0004]双银LOW-E玻璃存在许多优点的同时，也避免不了出现一些缺陷，如:产品可见光透过率低；产品性能不稳定；后续加工困难等。
实用新型内容
[0005]为了解决现有技术上的上述缺陷，本实用新型提出了一种高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃，其目的在于提高镀膜玻璃的可见光透过率，稳定产品的性能，美化玻璃的外观颜色。
[0006]本实用新型提出的一种高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，该镀膜玻璃依次包括:玻璃基板/底层电介质/第一阻挡层/第一功能层/第二阻挡层/中间电介质层/第三阻挡层/第二功能层/第四阻挡层/顶层电介质层；其中，底层、顶层电介质层为Si3N4层；第一，第二、第三、第四阻挡层为ZnO层或者AZO层或者NiCrOx层；第一、第二功能层为Ag层；中间电介质层为ZnSn03层或者Si3N4和ZnSn03的组合层。
[0007]其中，所述的底层、顶层电介质层Si3N4层的膜层厚度范围为10~50nm。
[0008]其中，所述的第一， 第二、第三、第四阻挡层为ZnO层或者AZO层或者NiCrOx层的膜层厚度范围为I~30nm。
[0009]其中，所述的第一、第二功能层Ag层的膜层厚度范围为I~30nm。
[0010]其中，所述的中间电介质层ZnSn03层或者Si3N4和ZnSn03的组合层的膜层厚度范围为30~IOOnm0
[0011]本实用新型提出的一种高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃，采用新颖的架构膜系，其优点在于:(1)产品的可见光透过率高，Tr ^ 80 ; (2)产品钢前钢后数据漂移小，机械性能较好且稳定；(3)产品外观颜色接近自然色，真实美观。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃的结构示意图；
[0013]图2是本实用新型高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃的制造工艺的流程结构示意图；
[0014]图3是本实用新型高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃的膜面反射光谱曲线图；
[0015]图4是本实用新型高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃的玻璃面反射光谱曲线图；
[0016]图5是本实用新型高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃的透射特性谱图。
【具体实施方式】
[0017]为了阐明本实用新型的技术方案及技术目的，下面结合附图及【具体实施方式】对本实用新型做进一步的介绍。
[0018]如图1所示，本实用新型提出的一种高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃，包括有玻璃基板I和镀制在所述玻璃基板I上的多个膜层。从玻璃基板I向上，依次为:底层电介质层2，第一阻挡层3，第一功能层4，第二阻挡层5，中间电介质层6，第三阻挡层7，第二功能层8，第四阻挡层9，顶层电介质层10。
[0019]下面通过具体的实施例进一步来说明本实用新型。
[0020]本实用新型提出的一种高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，该镀膜玻璃包括:玻璃基板I/底层电介质层2/第一阻挡层3/第一功能层4/第二阻挡层5/中间电介质层6/第三阻挡层7/第二功能层8/第四阻挡层9/顶层电介质层10。
[0021]具体的，在本实施例证，所述的底层、顶层电介质层为Si3N4层；第一、第三阻挡层为ZnO层；第一、第二功能层为Ag层；第二、第四阻挡层为AZO层；中间电介质层为ZnSn03层，即各层依次为 Glass/Si3N4/Zn0/Ag/AZ0/ZnSn03/Zn0/Ag/AZ0/Si3N4。
[0022]其中，所述的底层、顶层电介质层Si3N4层的膜层厚度范围为10?50nm。
[0023]所述的第一，第三阻挡层ZnO层的膜层厚度范围为I?30nm。
[0024]所述的第一、第二功能层Ag层的膜层厚度范围为I?30nm。
[0025]所述的第二，第四阻挡层AZO层的膜层厚度范围为I?30nm。
[0026]所述的中间电介质层ZnSn03层的膜层厚度范围为30?lOOnm。
[0027]本实用新型采用真空磁控溅射镀膜技术，在玻璃基板的表面逐层镀膜，如图2所示，在玻璃基板I上镀底层电介质层Si3N4层2 ;在底层电介质层Si3N4层2上镀第一阻挡层ZnO层3 ;在第一阻挡层ZnO层3上镀第一功能层Ag层4 ;在第一功能层Ag层4上镀第二阻挡层AZO层5 ;在第二阻挡层AZO层5上镀中间电介质层ZnSn03层6 ;在中间电介质层ZnSn03层6上镀第三阻挡层ZnO层7 ;在第三阻挡层ZnO层7上镀第二功能层Ag层8 ;在第二功能层Ag层8上镀第四阻挡层AZO层9 ;在第四阻挡层AZO层9上镀顶层电介质层Si3N4 层 10。
[0028]其中，所述的底层、顶层电介质层Si3N4层，使用硅铝靶，采用旋转双阴极，中频电源溅射的方式，在工艺气体N2与Ar的参与下，溅射沉积形成膜；其溅射功率为10?100KW;真空派射的工艺气压为:8.0E-3mbar?1.0E-3mbar。[0029]其中，所述的第一，第三阻挡层ZnO层，使用锌铝靶，采用旋转双阴极，中频电源溅射的方式，在工艺气体O2与Ar的参与下，溅射沉积形成膜；其溅射功率为I~80KW;真空灘射的工艺气压为:8.0E-3mbar~1.0E-3mbar。
[0030]其中，所述的第一、第二功能层Ag层，使用银靶，采用平面阴极，直流磁控溅射的方式，在工艺气体Ar的参与下，溅射沉积形成膜；其溅射功率为I~20KW;真空溅射的工艺气压为:8.0E-3mbar ~1.0E-3mbar。
[0031]其中，所述的第二，第四阻挡层AZO层，使用AZO靶，采用旋转双阴极，中频电源溅射的方式，在工艺气体Ar的参与下，溅射沉积形成膜；其溅射功率为I~80KW ;真空溅射的工艺气压为:8.0E-3mbar ~1.0E-3mbar。
[0032]其中，所述的中间电介质层ZnSn03层，使用锌锡靶，采用旋转双阴极，中频电源溅射的方式，在工艺气体O2与Ar的参与下，溅射沉积形成膜；其溅射功率为10~100KW;真空灘射的工艺气压为:8.0E-3mbar~1.0E-3mbar。
[0033]图3是本实用新型高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃的膜面反射光谱曲线图，反映了玻璃的镀膜面在可见光不同频段内对可见光的反光率；图4是本实用新型高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃的玻璃面反射光谱曲线图，反映了玻璃面在可见光不同的频段内对可见光的反光率；
[0034]图5是本实用新型高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃的透射特性谱图，反映了镀膜玻璃在可见光不同的频段内对可见光的透过率。
[0035]本实施例使用11个交流旋转阴极，2个直流平面阴极，制出了一种高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃，其工艺参数和靶的位置如下表所示:
[0036]
【权利要求】
1.一种高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，该镀膜玻璃依次包括:玻璃基板/底层电介质层/第一阻挡层/第一功能层/第二阻挡层/中间电介质层/第三阻挡层/第二功能层/第四阻挡层/顶层电介质层；其中，底层、顶层电介质层为Si3N4层；第一，第二、第三、第四阻挡层为ZnO层或者AZO层或者NiCrOx层；第一、第二功能层为Ag层；中间电介质层为ZnSn03层或者Si3N4和ZnSn03的组合层。
2.根据权利要求1所述的高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于:所述的底层、顶层电介质层Si3N4层的膜层厚度范围为10?50nm。
3.根据权利要求1所述的高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于:所述的第一，第二、第三、第四阻挡层为ZnO层或者AZO层或者NiCrOx层的膜层厚度范围为I?30nm。
4.根据权利要求1所述的高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于:所述的第一、第二功能层Ag层的膜层厚度范围为I?30nm。
5.根据权利要求1所述的高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于:所述的中间电介质层为ZnSn03层或者Si3N4和ZnSn03的组合层的膜层厚度范围为30?lOOnm。
【文档编号】B32B15/04GK203391418SQ201320445657
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2013年7月25日 优先权日:2013年7月25日
【发明者】林嘉佑 申请人:林嘉佑