一种可异地弯钢双银low-e玻璃及制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种可异地弯钢双银LOW-E玻璃，包括有玻璃基片，其特征在于：在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有九个膜层，其中第一膜层即最内层为Si3N4层，第二层为AZO层，第三层为Ag层，第四层为NiCrNy层，第五层为ZnSn层，第六层为AZO层，第七层为Ag层，第八层为NiCrOy层，最外层为Si3N4层。本发明目的是克服了现有技术的不足，提供一种膜层的高温抗氧化能力强，在弯曲钢化时膜层不易烧损的可异地弯钢双银LOW-E玻璃。本发明还提供一种制备可异地弯钢双银LOW-E玻璃的方法。
【专利说明】—种可异地弯钢双银LOW-E玻璃及制备方法
【【技术领域】】
[0001]本发明涉及一种新型LOW-E玻璃，本发明还涉及一种LOW-E玻璃的制备方法。【【背景技术】】
[0002]随着节能要求越来越高，单银LOW-E玻璃将被双银LOW-E玻璃所替代，为了有效的提高镀膜玻璃生产的效率和节约能源，可钢化镀膜玻璃将是未来镀膜玻璃市场的主要发展趋势，然而随着建筑外形的多样化发展要求，曲面玻璃在建筑幕墙上应用将越来越多，对可弯钢双银LOW-E的需求日益增大，现有的双银LOW-E玻璃在进行弯钢时，由于加热时间几乎是平钢的2倍，导致膜层大量被烧损坏。
【
【发明内容】
】
[0003]本发明目的是克服了现有技术的不足，提供一种膜层的高温抗氧化能力强，在弯曲钢化时膜层不易烧损的可异地弯钢双银LOW-E玻璃。本发明还提供一种制备可异地弯钢双银LOW-E玻璃的方法。
[0004]本发明是通过以下技术方案实现的:
[0005]一种可异地弯钢双银LOW-E玻璃，包括有玻璃基片I，其特征在于:在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有九个膜层，其中第一膜层即最内层为Si3N4层21，第二层为AZO层22，弟二层为A g层23，弟四层为NiCrNy层24，弟五层为ZnSn层25，兎/、层为AZO层26，第七层为Ag层27，第八层为NiCrOy层28，最外层为Si3N4层29。
[0006]如上所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜层的Si3N4层21的厚度为25~45nm，所述第二层AZO层22的厚度为5~15nm，所述第六层AZO层26的厚度为5~15nm。
[0007]如上所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第三层Ag层23的厚度为5~15nm,所述第七层Ag层27的厚度为5~15nm。
[0008]如上所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第四层NiCrNy层24的厚度为1.5~3nm,所述第八层NiCrOy层28的厚度为1.5~3nm。
[0009]如上所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第五层ZnSn层25的厚度为70~lOOnm，所述最外层Si3N4层29的厚度为30~55nm。
[0010]一种制备可异地弯钢双银LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步骤:
[0011](I)磁控溅射Si3N4层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比 S1:Al = 90:10，密度 96% ；
[0012](2)磁控溅射AZO层，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶；
[0013](3)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射；
[0014](4)磁控溅射NiCrNy层，用直流电源溅射，用氮气做反应气体；
[0015](5)磁控溅射ZnSn层，用交流电源溅射，用氧气做反应气体；
[0016](6)磁控溅射AZO层，用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶，为Ag层作铺垫；[0017](7)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射；
[0018](8)磁控溅射NiCrOy层，用直流电源溅射，用氧气做反应气体，渗少量氧气；
[0019](9)磁控溅射Si3N4层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比 S1:Al = 90:10，密度 96%。
[0020] 如上所述的制备可异地弯钢双银LOW-E玻璃的方法，其特征在于所述第一膜层的Si3N4层21的厚度为25~45nm，所述第二层AZO层22的厚度为5~15nm，所述第六层AZO层26的厚度为5~15nm。
[0021]如上所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第三层Ag层23的厚度为5~15nm,所述第七层Ag层27的厚度为5~15nm。
[0022]如上所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第四层NiCrNy层24的厚度为1.5~3nm,所述第八层NiCrOy层28的厚度为1.5~3nm,所述第五层ZnSn层25的厚度为70~lOOnm，所述最外层Si3N4层29的厚度为30~55nm。
[0023]与现有技术相比，本发明有如下优点:
[0024]1、本发明采用直流电源溅射，用氧气做反应气体，渗少量氧气，使得NiCr与NiCrOy共存的状态，对氧原子有较好的吸收率。能提高膜层钢化时抗高温氧化性、耐磨性、透光率。保护双银LOW-E玻璃在进行弯曲钢化后膜层外观几乎无变化。
[0025]2、本发明采用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料Si和Al，提高膜层的物理性能和抗氧化性能。
[0026]3、本发明用交流中频电源溅射陶瓷钛靶。阻挡玻璃表面的Na+对功能层的破坏。平复银层，钢化过程中防止银层塌方，提高玻璃的折射率。
【【专利附图】
【附图说明】】
[0027]图1是本发明结构示意图。
【【具体实施方式】】
[0028]下面结合附图对本发明进行详细阐述。
[0029]一种可异地弯钢双银LOW-E玻璃，包括有玻璃基片1，在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有九个膜层，其中第一膜层即最内层为Si3N4层21，第二层为AZO层22，第三层为Ag层23，第四层为NiCrNy层24，第五层为ZnSn层25，第六层为AZO层26，第七层为Ag层27，第八层为NiCrOy层28，最外层为Si3N4层29。
[0030]所述第一膜层的Si3N4层21，即氮化硅层；Si3N4是一种非常坚硬的材料，提高膜层的物理性能和抗氧化性能，它确保了整个镀层具有良好的机械耐久性，设置在最内层作为保护玻璃的最后一道屏障。Si3N4层的厚度为25~45nm, nm是纳米，Im = 109nm。
[0031]所述第二层AZO层22，即铝掺杂的氧化锌层，AZO为介质层，阻挡玻璃表面的Na+对功能层的破坏。平复银层，钢化过程中防止银层塌方，提高玻璃的折射率。AZO层的厚度为5 ~15nm。
[0032]所述第三层Ag层23，即金属银层，金属银层提供了较低的辐射率，起环保节能的作用。Ag层的厚度为5~15nm。
[0033]所述第四层NiCrNy层24，即氮化镍铬层，NiCrNy为阻挡层，提高膜层的耐磨性。NiCrNy层的厚度为1.5?3nm。
[0034]所述第五层ZnSn层25，即锌锡层，ZnSn为中间干涉层，提高玻璃的折射率。ZnSn层的厚度为70?lOOnm。
[0035]所述第六层AZO层26，即铝掺杂的氧化锌层，AZO为介质层，阻挡玻璃表面的Na+对功能层的破坏。平复银层，钢化过程中防止银层塌方，提高玻璃的折射率。AZO层的厚度为5 ?15nm。
[0036]所述第七层Ag层27，即金属银层，金属银层提供了较低的辐射率，起环保节能的作用。Ag层的厚度为5?15nm。
[0037]所述第八层NiCrOy层28，即氧化镍铬层，NiCrOy为阻挡层，还能提高膜层耐磨性、透光率、以及钢化时抗高温氧化性。NiCrOy层的厚度为1.5?3nm。
[0038]所述最外层Si3N4层29，即氮化硅层；Si3N4是一种非常坚硬的材料，提高膜层的物理性能和抗氧化性能，它确保了整个镀层具有良好的机械耐久性，设置在最外层作为保护整个膜层的第一道壁垒。Si3N4层的厚度为30?55nm。
[0039]一种制备可异地弯钢双银LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步骤:
[0040](10)磁控派射Si3N4层,用交流中频电源、氮气作反应气体
[0041](11)磁控溅射AZO层，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶，阻挡玻璃表面的Na+对功能层的破坏。平复银层，钢化过程中防止银层塌方，提高玻璃的折射率；
[0042](12)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射，降低辐射率；
[0043](13)磁控溅射NiCrNy层，用直流电源溅射，用氮气做反应气体，提高耐磨性；
[0044](14)磁控溅射ZnSn层，用交流电源溅射，用氧气做反应气体，提高玻璃的折射率；
[0045](15)磁控溅射AZO层，用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶，为Ag层作铺垫，降低辐射率；
[0046](16)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射，降低辐射率；
[0047](17)磁控溅射NiCrOy层，用直流电源溅射，用氧气做反应气体，渗少量氧气，使得NiCr与NiCrOy共存的状态，对氧原子有较好的吸收率。能提高膜层钢化时抗高温氧化性、耐磨性、透光率；
[0048](18)磁控溅射Si3N4层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比S1:Al = 90:10，密度96% ;提高膜层的物理性能和抗氧化性能。
[0049]磁控溅射Si3N4层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料重量比S1:Al = 85?98:2?15” ；此处得到的是Si3N4，而金属Al是用于增加原材料在磁控溅射过程中的导电性能，金属Al并不参与反应，由于非金属半导体Si的导电性能极差，如不采用金属Al混合增加导电性能将无法顺利进行磁控溅射Si3N4层。
[0050]本发明的优选方案:
[0051]所述第一膜层的Si3N4层21的厚度为35nm，所述第二层AZO层22的厚度为10nm，所述第三层Ag层23的厚度为IOnm,所述第四层NiCrNy层24的厚度为2nm,所述第五层ZnSn层25的厚度为80nm，所述第六层AZO层26的厚度为10nm，所述第七层Ag层27的厚度为10nm，所述第八层NiCrOy层28的厚度为2nm，所述最外层Si3N4层29的厚度为45nm。
[0052]Low-E玻璃也称为低辐射镀膜玻璃。
[0053]本发明采用磁控溅射法将镀膜层溅射在玻璃基材上，渗入少量气体，提高膜层的高温抗氧化性能。前后保护层较厚，大大提高了膜层的机械性能，方便玻璃的运输。镀膜层与玻璃基材的结合力强、镀膜层致密、均匀。本玻璃钢化前后透过率偏差小于1.5%，漂移小，ΔΕ〈1.0,颜色偏差小,按国标法测耐磨ΔΕ〈2.0。
[0054]本玻璃透光率T(透过透明或半透明体的光通量与其入射光通量的百分率)达84% ;本玻璃辐射率< 0.08，辐射率是某物体的单位面积辐射的热量同单位面积黑体在相同温度、相同条件下辐射热量之比。辐射率定义是某物体吸收或反射热量的能力。玻璃的辐射率越接近于零，其绝热性能就越好。
【权利要求】
1.一种可异地弯钢双银LOW-E玻璃，包括有玻璃基片(I)，其特征在于:在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有九个膜层，其中第一膜层即最内层为Si3N4层(21)，第二层为AZO层(22)，兎二层为Ag层(23)，弟四层为NiCrNy层(24)，弟五层为ZnSn层(25)，第六层为AZO层(26)，第七层为Ag层(27)，第八层为NiCrOy层(28)，最外层为Si3N4层(29)。
2.根据权利要求1所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜层的Si3N4层(21)的厚度为25~45nm，所述第二层AZO层(22)的厚度为5~15nm，所述第六层AZO层(26)的厚度为5~15nm。
3.根据权利要求1所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第三层Ag层(23)的厚度为5~15nm,所述第七层Ag层(27)的厚度为5~15nm。
4.根据权利要求1所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第四层NiCrNy层(24)的厚度为1.5~3nm,所述第八层NiCrOy层(28)的厚度为1.5~3nm。
5.根据权利要求1所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第五层ZnSn层(25)的厚度为70~lOOnm，所述最外层Si3N4层(29)的厚度为30~55nm。
6.一种制备可异地弯钢双银LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步骤: (1)磁控溅射Si3N4层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比S1:Al = 90:10，密度 96% ； (2)磁控溅射AZO层，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶； (3)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射； (4)磁控溅射NiCrNy层，用直流电源溅射，用氮气做反应气体； (5)磁控溅射ZnSn层，用交流电源溅射，用氧气做反应气体； (6)磁控溅射AZO层，用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶，为Ag层作铺垫； (7)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射； (8)磁控溅射NiCrOy层，用直流电源溅射，用氧气做反应气体，渗少量氧气； (9)磁控溅射Si3N4层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比S1:Al = 90:10，密度 96%。
7.根据权利要求1所述的制备可异地弯钢双银LOW-E玻璃的方法，其特征在于所述第一膜层的Si3N4层(21)的厚度为25~45nm，所述第二层AZO层(22)的厚度为5~15nm，所述第六层AZO层(26)的厚度为5~15nm。
8.根据权利要求1所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第三层Ag层(23)的厚度为5~15nm,所述第七层Ag层(27)的厚度为5~15nm。
9.根据权利要求1所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第四层NiCrNy层(24)的厚度为1.5~3nm,所述第八层NiCrOy层(28)的厚度为1.5~3nm,所述第五层ZnSn层(25)的厚度为70~lOOnm，所述最外层Si3N4层(29)的厚度为30~55nm。
【文档编号】B32B9/04GK103963371SQ201410182461
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2014年4月30日 优先权日:2014年4月30日
【发明者】范亚军, 杨永华, 孙叠文, 潘韬, 魏邦争 申请人:中山市格兰特实业有限公司