有机电致发光装置及电子设备的制作方法

专利名称：有机电致发光装置及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及在支承基板上具有有机电致发光元件(以下称为有机EL元件)的有机电致发光装置(以下称为有机EL装置)、以及具有该有机EL装置的电子设备。
背景技术：
有机EL装置在支承基板上具有排列了多个像素的像素区域，构成为在多个像素的每个中形成了在绝缘膜的上层侧至少依次层叠了第一电极层、发光层及笫二电极层的有机EL元件。在该有机EL装置中，尤其是在从有机EL元件射出的光透过第二电极层而射出的顶部发射型有机EL装置中，由于要求第二电极层具有透光性，所以第二电极层的膜厚薄，容易发生因第二电极层的电阻引起的亮度偏差。
因此，如图13(a)、 (b)所示，提出了在由相邻的像素100a夹持的区域中，在第二电极层9a的上层侧或者下层侧形成辅助布线8a，由此防止因笫二电极层9a的电阻引起的亮度偏差的技术(例如参照专利文献l)。
这样的辅助布线8a及笫二电极层9a借助端子104等被施加电位，但用于向辅助布线8a以及第二电极层9a施加电位的下层侧导电图案部6s，在绝缘膜113的下层侧与端子104电连接。因此， 一般通过绝缘膜113的非形成区域形成接触部113r，在该接触部113r中，在下层侧导电图案部6s的上面重叠辅助布线8a的端部，使辅助布线8a与下层侧导电图案部6s相接。
专利文献l:特开2003 - 123988号7>净艮
但是，由于辅助布线8a在由相邻的像素100a夹持的区域中形成为具有狭小的宽度尺寸，所以为了增大辅助布线8a和下层侧导电图案部6s的重叠面积并降低连接电阻，需要加长辅助布线8a与下层侧导电图案部6s的重叠部分的长度尺寸L,所以在图13(a)、 (b)所示的结构中，需要增大接触部113r的宽度尺寸W50。因此，支承基板110d中，在像素区域110a的外侧以较大的宽度尺寸形成对显示没有直接帮助的周边区域110c，在像素区域110a的面积比例方面，存在支承基板110d大型化的问题。
另外，在不形成辅助布线8a地将第二电极层9a在接触部113r中直接重叠到下层侧导电图案部6s的上面，来直接电连接第二电极层9a和下层側导电图案部6s的情况下，也与上述一样，存在必须增加接触部113r的宽度尺寸W50的问题。
此外，关于上述问题，即便是从有机EL元件射出的光从支承基板侧射出的底部发射型有机EL装置，也同样会发生第二电极层9a薄、电阻大的情况。

发明内容
鉴于以上问题，本发明的课题在于，提供即便不增大使在绝缘膜的上层形成的有机EL元件的电极层和下层侧的导电膜图案电连接的接触部，也能确实可靠地电连接电极层和导电膜图案的有机EL装置、以及具有该有机EL装置的电子设备。
为了解决上述课题，本发明的有机EL装置在支承基板上具有排列了多个像素的像素区域，在上述多个像素的每个中形成有在绝缘膜的上层侧至少依次层叠了第一电极层、发光层以及第二电极层的有机EL元件，所述有机EL装置的特征在于，在上述绝缘膜的下层侧形成用于向上述第二电极层施加电位的第一导电图案部，在上述绝缘膜的上层侧，由薄层电阻小于上述第二电极层的导电膜，形成了用于将上述第二电极层和上述第一导电图案部连接的第二导电图案部，上述第二导电图案部具有在由上述绝缘膜的非形成区域构成的接触部重叠在上述第一导电图案部的上面而与该第一导电图案部相接的第三导电图案部。
本发明中，由于在绝缘膜的下层侧形成了用于向第二电极层施加电位的第一导电图案部，在绝缘膜的上层侧，由薄层电阻小于第二电极层的导电膜，形成了用于将第二电极层和第一导电图案部连接的第二导电图案部，所以可以借助第一导电图案部以及第二导电图案部向第二电极层施加电位。这里，由于第二导电图案部具有在接触部中重叠在第一导电图案部的上面的第三导电图案部，所以即便不过度增大接触部，第一导电图案部和第二导电图案部的连接电阻也低。另外，由于第二导电图案部形成在绝缘膜的上层，所以第二电极层和第二导电图案部的直接连接、或第二电极层和第二导电图案部的借助辅助布线的电连接，在第二导电图案部中也能够在接触部的外侧进行。故，在将第二电极层和第二导电图案部直接电连接或借助辅助布线将第二电极层和第二导电图案部电连接的任意情况下，即便不过度增大接触部的面积，也可以确实可靠地将第二电极层和第一导电图案部电连接，因此在像素区域的外侧，对显示没有直接帮助的周边区域可以狭窄。
本发明在从上述有机EL元件射出的光透过上述第二电极层而射出的情况下是有效的。
在本发明中，优选在上述第二电极层的下层侧或上层侧，与该第二电极层相接的辅助布线通过相邻的上述像素的之间而延伸，该辅助布线的端部重叠于上述第二导电图案部的上述第三导电图案部的上面，与该第三导电图案部相接。
该情况下，优选在上述辅助布线的端部形成宽度大于上述辅助布线的连接用电极部，上述连接用电极部重叠在上述第二导电图案部的上述第三导电图案部的上面，与该第三导电图案部相接。
在本发明的其他方式中，可以采用的构成是在上述第二电极层的下层側或上层側，与该第二电极层相接的辅助布线通过相邻的上述像素之间而延伸，在该辅助布线的端部，与该辅助布线一体形成了上述第二导电图案部。
在本发明的其他方式中，可以釆用的构成是上述第二电极层的端部重叠在上述第二导电图案部的上述第三导电图案部的上面，与该第三导电图案部相接。
在本发明中，优选上述第二导电图案部与上述第一电极层形成于同层。若如此构成，则即便不追加新的导电膜，也可以形成第二导电图案部。应用了本发明的有机EL装置，可以用作便携式计算机或移动电话机等电子设备的显示部、或图像形成装置等电子设备的曝光头，并且可以用作各种电子设备的光源装置等。


图l是表示应用了本发明的有机EL装置的电子构成的框图。
图2 ( a )、 ( b )分别是从第二基板(密封基板)侧观察应用了本发明的有机EL装置的俯视图及其J-J，剖面图。
图3 (a)、 (b)是表示本发明的实施方式1涉及的有机EL装置的剖面构成的示意剖面图、及表示第一基板的平面构成的示意说明图。
图4 (a)、 (b)分别是应用了本发明的有机EL装置的相邻的两个像素的俯视图、以及一个像素的剖面图。
图5 (a)、 (b)是表示本发明的实施方式1涉及的有机EL装置中，在第一基板上端子和辅助布线(第二电极层)的电连接部分的平面结构的示意说明图、以及表示其剖面结构的S1-Sl，剖面图。
图6 (a)、 (b)是表示本发明的实施方式2涉及的有机EL装置的剖面构成的示意剖面图、及表示第一基板的平面构成的示意说明图。
图7 (a)、 (b)是表示本发明的实施方式2涉及的有机EL装置中，在第一基板上端子和辅助布线(第二电极层)的电连接部分的平面结构的示意说明图、以及表示其剖面结构的S2-S2，剖面图。
图8 (a)、 (b)是表示本发明的实施方式3涉及的有机EL装置的剖面构成的示意剖面图、及表示第一基板的平面构成的示意说明图。
图9 (a)、 (b)是表示本发明的实施方式3涉及的有机EL装置中，在第一基板上端子和辅助布线(第二电极层)的电连接部分的平面结构的示意说明图、以及表示其剖面结构的S3-S3，剖面图。
图10(a)、 (b)是表示本发明的实施方式4涉及的有机EL装置的剖面构成的示意剖面图、及表示第一基板的平面构成的示意说明图。
7图11 ( a )、 ( b )是表示本发明的实施方式4涉及的有机EL装置中， 在第一基板上端子和第二电极层的电连接部分的平面结构的示意说明 图、以及表示其剖面结构的S4-S4，剖面图。
图12是使用了本发明的电光学装置的电子设备的说明图。
图13是以往的有机EL装置的说明图。
图中6s-下层侧导电图案部，7a-第一电极层，7s-上层侧导电 图案部，8a-辅助布线，8s-辅助布线的端部，8r-辅助布线的连接用 电极部，9a-第二电极层，9s-第二电极层的端部，100-有机EL装置， 100a-像素，104-端子，110-第一基板，110a-像素区域，110c -周 边区域，110d-支承基板，115-绝缘膜，115s-接触部，180(R)、(G)、 (B)-有机EL元件，181-空穴注入层(有机功能层)，182-空穴输 送层(有机功能层)，183 (R)、 (G)、 (B)-发光层(有机功能层)， 184-电子输送层(有机功能层)，170-电子注入层。
具体实施例方式
参照附图，说明应用了本发明的有机EL装置。其中，在以下的说 明所使用的附图中，为了使各部件在图面上是可以辨识程度的大小，对 各部件采用了不同的缩放比例。另外，为了使各要素的对应关系容易理 解，在以下的说明中，对参照图13说明的要素中共同的部分附加相同 的符号来进行说明。
[实施方式1
图1是表示应用了本发明的有机EL装置的电路结构的框图。图2 (a )、 ( b )分别是从第二基板(密封基板)侧观察应用了本发明的有机 EL装置的俯视图及其J-J，剖面图。
图1所示的有机EL装置100中，在作为元件基板的第一基板110 上具有多条扫描线3a、在相对于扫描线3a交叉的方向上延伸的多条数 据线6a、和在与扫描线3a和数据线6a的交叉对应的位置形成像素100a， 由多个像素100a排列成矩阵状的区域构成了像素区域110a。
而且，在第一基板110上，多条电源线6g与数据线6a并列延伸，多条电容线3e与扫描线3a并列延伸。数据线6a上连接有数据线驱动 电路IOI，扫描线3a上连接有扫描线驱动电路107。多个像素100a的 每个由借助扫描线3a向栅电极提供扫描信号的开关用薄膜晶体管30b、 保持借助该开关用薄膜晶体管30b从数据线6a供给的像素信号的保持 电容70、由保持电容70保持的像素信号被提供给栅电极的驱动用薄膜 晶体管30c、和借助该薄膜晶体管30c与电源线6g连接时从电源线6g 流入驱动电流的有机EL元件180。这里，有机EL元件180分别射出 红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的光，与该三种颜色对应的三个像素 100a构成了子像素。在本实施方式中，采用了与同一颜色对应的像素 100a在数据线6a的延伸方向上直线排列的条紋状排列。
在该有机EL装置100中，当扫描线3a被驱动、开关用薄膜晶体管 30b导通时，此时的数据线6a的电位被保持电容70保持，根据保持电 容70所保持的电荷，决定驱动用薄膜晶体管30c的导通、截止状态。 而且，借助驱动用薄膜晶体管30c的沟道，电流从电源线6g流向第一 电极层7a，进而借助有机功能层，电流流向第二电极层9a。结果，有 机EL元件180对应流过其的电流量而发光。
另外，在图l所示的构成中，电源线6g及电容线3e分别从数据线 驱动电路101及扫描线驱动电路107延伸出来，但由于均被施加了电位， 所以可采用电源线6g及电容线3e直接从后述的端子延伸出来的构成 等。此外，在图l所示的构成中，与扫描线3a并列地形成了电容线3e， 但也可以不形成电容线3e，而在电源线6g和薄膜晶体管30b的漏极之 间形成保持电容70。
该有机EL装置IOO具体构成为如图2(a)、 (b)所示。在图2(a)、 (b)中，有机EL装置100具有作为元件基板的第一基板110、和发 挥密封基板功能的笫二基板120，第一基板110中，在形成有多个有机 EL元件180的面侧重叠配置有第二基板120。第一基板110和第二基板 120通过第一密封材料层191及第二密封材料层192贴合在一起。第一 密封材料层191如图2中紧密附着有点的区域所示，沿着包围像素区域 110a的周围的周边区域110c形成为框状。与此相对，第二密封材料层 192如图2中稀疏附着有点的区域所示，形成在由第一密封材料层191 包围的区域整体。在本实施方式中，第一基板110在从第二基板120的突出区域110f 上形成有端子102、 103，用于连接挠性基板(未图示)，所述挠性基板 安装了内置有图1所示的数据线驱动电路101与扫描线驱动电路107的 驱动用IC。而且，第一基板110在突出区域110f上形成有端子104， 该端子104被用作针对第二电极层9a的供电端子。
(有机EL元件的构成)
图3 (a)、 (b)是表示本发明的实施方式1涉及的有机EL装置的 剖面构成的示意剖面图、及表示第一基板110的平面构成的示意说明图， 图3 (a)相当于在沿着与图3 (b)的K-K，线对应的位置切断有机 EL装置时的剖面图。因此，在图3(a)中，作为有机EL元件，对和 红色(R)、绿色(G)对应的有机EL元件分别表示了一个，对与蓝色
(B)对应的有机EL元件表示了两个。图4 (a)、 (b)分别是应用了 本发明的有机EL装置的相邻的两个像素的俯视图、及一个像素的剖面 图。图4 (b)是图4 (a)的B-B，线的剖面图，在图4 (a)中，第 一电极层7a用长虚线表示，数据线6a及与其同时形成的薄膜用点划线 表示，扫描线3a用实线表示，半导体层用短虚线表示。而且，在图4
(a)中，对辅助布线赋予了右上斜的斜线。
如图3(a)所示，第一基板110具有由石英基板、玻璃基板、陶瓷 基板、金属基板等构成的支承基板110d,在支承基板110d的表面上形 成有绝缘膜111、 112、 113、 114、 115，在绝缘膜115的上层形成有射 出红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的光的有机EL元件180 (R)、 (G)、 (B)。本实施方式的有机EL装置IOO是顶部发射型，如箭头L1所示， 从支承基板110d观察，由于从形成了有机EL元件180(R)、 (G)、 (B) 一侧取出光，所以作为支承基板110d，可以使用氧化铝等陶瓷、不锈钢 等不透明的基板。与此相对，第二基板120使用石英基板或玻璃基板等 透光性基板。另外，在以底部发射型构成有机EL装置100的情况下， 由于从支承基板110d侧取出光，所以作为支承基板110d，可使用玻璃 等透明基板。绝缘膜lll、 112、 113、 115由通过CVD (Chemical Va"por Deposition)法等形成的氧化硅膜或氮化硅膜等形成，绝缘膜114形成 为厚度为1.5 ~ 2.0 n m的由感光性树脂构成的平坦化膜。
如图4 (a)、 (b)所示，利用绝缘膜lll、 112、 113、 114的层间等，
10形成了控制针对有机EL元件180 (R)、 (G)、 (B)的通电的薄膜晶体 管与布线。即，在第一基板110上，以矩阵状将多个透明的第一电极层 7a(像素电极/阳极/用长虚线包围的区域)在每个像素100a中形成为岛 状，沿着第一电极层7a的纵橫的边界区域形成有数据线6a (用点划线 表示的区域)、电源线6g (用点划线表示的区域)、扫描线3a(用实线 表示的区域)以及电容线3e (用实线表示的区域)。
第一基板110中，在作为其基体的支承基板110d的表面侧与第一电 极层7a对应的区域形成有薄膜晶体管30c。薄膜晶体管30c相对于鸟状 的半导体层la形成有沟道区域lg、源极区域lh、以及漏极区域li。在 半导体层la的表面形成有绝缘膜111 (栅极绝缘层)，在绝缘膜111的 表面形成有栅电极3f。该栅电极3f与薄膜晶体管30b的漏极电连接。 其中，由于薄膜晶体管30b的基本构成与薄膜晶体管30c—样，所以省 略说明。
在薄膜晶体管30c的上层侧形成有由硅氧化膜或硅氮化膜构成的绝 缘膜112、 113、和厚度为1.5 ~ 2.0 n m的由感光性树脂构成的绝缘膜114 (平坦化膜)、由硅氮化膜等构成的绝缘膜115。在绝缘膜112的表面(绝 缘膜112、 113的层间)形成有数据线6a (未在图4 (b)中示出)、电 源线6g以及漏电极6h，电源线6g借助形成在绝缘膜112上接触孔112g 与源极区域lh电连接。另外，漏电极6h借助形成在绝缘膜112上的接 触孔112h与漏极区域li电连接。在本实施方式中，数据线6a、电源线 6g、漏电极6h由钼膜、铝膜、钬膜、鴒膜、钽膜、铬膜等金属单质膜、 或者它们的层叠膜形成。
在绝缘膜115的表面形成有由ITO (Indium Tin Oxide )、 IZO (IiuUum Zinc Oxide)等透光性导电膜构成的第一电极层7a，第一电 极层7a借助在绝缘膜113、 114、 115中形成接触孔114g、 115g与漏电 极6h电连接。关于构成第一电极层7a的ITO等氧化物材料，可以通 过ECR等离子体溅射法或等离子枪方式离子喷镀法、磁溅射法等高密 度等离子成膜法来形成。
在绝缘膜114、115的层间形成有利用真空蒸镀法等形成的由铝、银、 或它们的合金构成的光反射层5a，通过由光反射层5a反射从有机EL 元件180(R)、 (G)、 (B)朝向支承基板110d射出的光，可以射出光。另外，在第一电极层7a的上层，形成有具备用于规定发光区域的开口 部的由感光性树脂等构成的厚的隔壁151。
在笫一电极层7a的上层形成有空穴注入层181、空穴输送层182、 各种颜色的发光层183 (R)、 (G)、 (B)、电子输送层184等有机功能 层，在该有机功能层的上层层叠有由LiF形成的电子注入层170、和由 Al或MgAg等薄膜金属形成的第二电极层9a (阴极)。空穴注入层181 由三芳基胺(ATP)多聚体等形成，空穴输送层182由TPD (三苯基二 胺)等形成。发光层183 (R)、 (G)、 (B)由含有蒽系掺杂剂或红荧烯 系掺杂剂等的苯乙烯基胺系材料(基质)等形成，电子输送层184由8 -羟基喹啉铝(Alq3)等形成。这样，形成了射出红色(R)、绿色(G)、 蓝色(B)的光的有机EL元件180 (R)、 (G)、 (B)。这些层(空穴注 入层181、空穴输送层182、发光层183 (R)、 (G)、 ( B )、电子输送层 184、电子注入层170、第二电极层9a)均可以通过真空蒸镀法依次形 成。此时，进行使用了金属掩模或硅掩模等的掩模蒸镀。
另夕卜，有机EL元件有时构成为射出白色光、或者(R)、 (G)、 (B) 的混合颜色光，该情况下，第二基板120中如果在与有机EL元件对置 的位置形成红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的滤色器层进行颜色变换， 则可以进4亍全色显示。
在如此构成的有机EL装置100中，有机功能层(空穴注入层181、 空穴输送层182、发光层183(R)、 (G)、 (B)、电子输送层184)容易 因水分而劣化，该劣化会引起电子注入效果的劣化等，发生被称之为黑 点的非发光部分。因此，在本方式中，参照图3(a)，按照如下说明那 样，并用将透光性的第二基板120作为密封基板与第一基板110贴合起 来的构成、和相对于第一基板110形成了以下说明的密封膜60的构成。
首先，在第一基板110中第二电极层9a的上层，遍布比像素区域 110a大的区域形成有密封膜60。作为该密封膜60,在本实施方式中使 用了具有在第二电极层9a上层叠的,由硅化合物层形成的第一膜61、在 第 一膜60上层叠的由树脂层形成的第二膜62、以及在该第二膜62上层 叠的由硅化合物层形成的第三膜63的层叠膜。这里，第一膜61及第三 膜63由通过利用了高密度等离子体源的高密度等离子体气相生长法、 例如等离子枪方式离子喷镀法、ECR等离子濺射等而被蒸镀的硅氮化物(SiNx)或硅氮氧化物(SiOxNy)等构成，该薄膜作为即便以低温 蒸镀也可确实可靠地阻断水分的高密度阻气层发挥功能。另外，第二膜 62由树脂层构成，作为使因隔壁51或布线等引起的表面凹凸平坦化， 防止第一膜61及第三膜63发生裂紋的有机緩冲层发挥功能。
接着，在第一基板110和第二基板120之间，沿着周边区域110c 以矩形框状形成第一密封材料层191。而且，在由第一密封材料层191 包围的整个区域形成透光性的第二密封材料层192，第一基板110和第 二基板120通过第 一密封材料层191及第二密封材料层192贴合在一起。 在本实施方式中，第一密封材料层191使用基于紫外线而固化的环氧系 粘接剂。第二密封材料层192使用基于热而固化的环氧系粘接剂。
(辅助布线的构成)
如图3(a)及图4(a)、(b)所示，在本实施方式的有机EL装置 100中，第二电极层9a以跨过多个像素100a的方式由掩模蒸镀形成的 薄膜形成，在该第二电极层9a的电阻高或电阻因场所不同而有偏差的 情况下，有机EL装置100中会发生亮度偏差。特别是由于本实施方式 的有机EL装置100是使从有机EL元件180射出的光透过第二电极层 9a射出的顶部发射型，所以要求笫二电极层9a具有透光性。因此，由 于第二电极层9a的膜厚薄，所以第二电极层9a会因场所不同发生电阻 偏差，该电阻的偏差在有机EL装置100中成为出现亮度偏差的原因。
因此，在本实施方式中，如图3 (a)、 (b)及图4 (a)、 (b)所示， 在支承基板110d上，向一个方向延伸的多条辅助布线8a通过掩模蒸镀 形成在第二电极层9a的下层侧，该辅助布线8a与第二电极层9a直接 相接。这里，辅助布线8a形成在隔壁151的上面部，通过相邻的像素 110a之间向一个方向延伸。在本实施方式中，由于辅助布线8a通过与 同一颜色对应的像素100a之间，所以按照与扫描线3a并列的方式延伸。 而且，由于辅助布线8a通过邻接的像素100a之间，所以，不被要求透 光性。因此，辅助布线8a的膜厚厚于笫二电极层9a，且对能够使用的 材料没有大的限制。从而，辅助布线8a除了可以使用铝或银等和第二 电极层9a相同的金属材料之外，还可以使用钼膜、钛膜、铜膜、鴒膜、 钽膜、铬膜等金属单质膜、或者它们的层叠膜等。在本实施方式中，如图3(b)所示，多条辅助布线8a相互独立形 成，各自的端部延伸至像素区域110a的外側(周边区域110c)。在本实 施方式中，辅助布线8a的宽度尺寸为15jLim左右。
(第二电极层9a和端子104的电连接结构)
图5 ( a )、 ( b )是表示本发明的实施方式1涉及的有机EL装置中， 在第一基板110上端子和辅助布线(第二电极层)的电连接部分的平面 结构的示意说明图、以及表示其剖面结构的S1-S1，剖面图。其中， 图5(a)中，仅图示了多条辅助布线中的三条辅助布线，同时在图5(b) 中，省略了密封用树脂层与第二基板等的图示。另外，在图3(b)及 图5 (a)中，用长虚线表示与第一电极层7a同时形成的膜(作为第二 导电图案部的上层側导电图案部等)，用点划线表示与数据线6a同时形 成的膜(作为第一导电图案部的下层侧导电图案部等)，用实线表示辅 助布线8a，用粗且短的虚线表示接触部，用细且短的虚线表示像素区域 110a，用双点划线表示第二电极层9a。
如图3 (b)及图5 (a)、 (b)所示，在本实施方式的有机EL装置 100中，采用了将辅助布线8a与端子104电连接、借助辅助布线8a将 第二电极层9a与端子104电连接的结构。当实现该构成时，在本实施 方式中，首先在端子104的附近，在绝缘膜111、 112的层间形成与扫 描线3a同层的导电膜3v,在绝缘膜112、 113的层间形成与数据线6a 同层的下层侧导电图案部6s及下层侧导电膜6t。下层侧导电图案部6s 及下层侧导电膜6t分别借助形成于绝缘膜112的接触孔112s、 112t与 导电膜3v电连接，下层侧导电图案部6s及下层侧导电膜6t借助导电膜 3v电连接。
下层侧导电膜6t用于在其上层侧形成端子104，下层侧导电图案部 6s作为用于将第二电极层9a及辅助布线8a与端子104电连接的下层侧 导电图案部而被利用。因此，绝缘膜113、 115中，在与下层侧导电膜 6t的端部平面重叠的部分形成有接触孔115t，在绝缘膜115的上层形成 有和笫一电极层7a同时形成的由ITO膜等形成的上层侧导电膜7t。如 此构成了端子104。
另外，绝缘膜113、 115中，在与下层侧导电图案部6s平面重叠的部分形成有由绝缘膜113、 115的除去部分(非形成区域)构成的接触 部115s，该接触部115s是沿着像素区域110a的边延伸的大的接触孔。 在绝缘膜115的上层形成有和第一电极层7a同时形成的由ITO膜等形 成的上层侧导电图案部7s。该上层侧导电图案部7s沿着下层侧导电图 案部6s的形成区域、导电膜3v的形成区域、以及下层侧导电图案部6s 的形成区域延伸至端子104的形成区域，与上层侧导电膜7t连接。因 此，上层侧导电图案部7s借助在绝缘膜115的下层側形成的下层侧导 电图案部6s、导电膜3v、以及下层侧导电膜6t，与端子104电连接， 并且，借助与上层侧导电图案部7s—体形成的上层侧导电膜7t，绝缘 膜115的上层也与端子104电连接。
这里，上层侧导电图案部7s具有在包括接触部115s的形成区域的 广泛区域形成的作为第三导电图案部的接触图案部7p，在该接触图案 部7p的上面分别重叠着多条辅助布线8a的端部8s。这里，接触图案部 7p俯视下形成为长方形状。因此，多条辅助布线8a分别在接触部115s 的内侧与上层側导电图案部7s相接。而且，在绝缘膜115的上层侧(接 触部115s的外侧)，多条辅助布线8a的端部8s分别也在由接触部115s 和像素区域110a夹持的区域，重叠在上层侧导电图案部7s的接触图案 部7p的上面，与上层側导电图案部7s相接。因此，辅助布线8a和上 层侧导电图案部7s借助下层侧导电图案部6s、导电膜3v、以及下层侧 导电膜6t，在绝缘膜115的下层侧与端子104电连接，并且借助上层侧 导电图案部7s及上层侧导电膜7t，在绝缘膜115的上层侧也与端子104 电连接。
并且,在本实施方式中，第二电极层9a延伸至接触部115s的形成 区域。因此，第二电极层9a的端部9s在接触部115s的内侧区域、及接 触部115s的外侧，都重叠在辅助布线8a的端部8s的上面，与辅助布线 8a的端部8s相接，并且在不存在辅助布线8a的端部8s的区域，重叠 在上层侧导电图案部7s的接触图案部7p的上面，与上层侧导电图案部 7s相接。 ，
(本实施方式的主要效果)
如以上说明那样，本实施方式中，由于在按照跨过像素100a的方 式形成的第二电极层9a的下层侧，与第二电极层9a相接的多条辅助布线8a向一个方向延伸，所以第二电极层9a的电阻偏高可以由辅助布线 8a来弥补，同时第二电极层9a的电阻按每个场所的偏差可以被辅助布 线8a吸收。因此，可消除有机EL装置100的亮度偏差。
另外，本实施方式中，由于在绝缘膜115的下层侧形成用于对第二 电极层9a施加电位的下层侧导电图案部6s，在绝缘膜115的上层侧， 通过薄层电阻(sheet resistance)小于第二电极层9a的导电膜，形成有 用于将第二电极层9a与下层侧导电图案部6s连接的上层侧导电图案部 7s，所以，可以从端子104借助下层侧导电图案部6s以及上层侧导电 图案部7s向辅助布线8a及第二电极层9a施加电位。这里，由于上层 侧导电图案部7s具有在接触部115s中与下层侧导电图案部6s的上面重 叠的接触图案部7p，所以即便接触部115s狭窄，下层侧导电图案部6s 与上层侧导电图案部7s的连接电阻也低。
而且，由于上层侧导电图案部7s形成在绝缘膜115的上层，所以上 层侧导电图案部7s与辅助布线8a的电连接在上层侧导电图案部7s中， 还可以在接触部115s的外侧进行，能够实现上层侧导电图案部7s和辅 助布线8a以足够大的面积接触的结构。因此，由于即便不过度增大接 触部115s的面积，也可以借助辅助布线8a确实可靠地将第二电极层9a 和下层侧导电图案部6s电连接，所以在〗象素区域110的外侧，对显示 没有直接帮助的周边区域110c可以狭窄。
并且，由于上层侧导电图案部7s与第一电极层7a同时形成，所以 即使不追加新的导电膜，也可以形成上层侧导电图案部7s。
[实施方式2
图6 (a)、 (b)是表示本发明的实施方式2涉及的有机EL装置的 剖面构成的示意剖面图、以及表示第一基板110的平面构成的示意说明 图，与在实施方式1中参照的图3 (a)、 (b)对应。图7 (a)、 (b)是 表示本发明的实施方式2涉及的有机EL装置中，在第一基板110上端 子和辅助布线(第二电极层)的电连接部分的平面结构的示意说明图、 以及表示其剖面结构的S2-S2，剖面图，与在实施方式l中参照的图5 (a)、 (b)对应。其中，由于本实施方式的基本构成与实施方式l相同， 所以对共同的部分附加相同的符号，省略对它们的说明。如图6 (a)、 (b)及图7 (a)、 (b)所示，在本实施方式的有机EL 装置100中，与实施方式l一样，也在支承基板110d上，将向一个方 向延伸的多条辅助布线8a形成在第二电极层9a的下层侧，该辅助布线 8a与第二电极层9a直接接触。而且，在本实施方式中，与实施方式l 一样，当将辅助布线8a与端子104电连接时，也都在与作为下层侧导 电图案部的下层侧导电图案部6s平面重叠的部分，形成有由绝缘膜113、 115的除去部分(非形成区域)构成的接触部115s,该接触部115s是沿 着像素区域110a的边延伸的大的接触孔。并且，在本实施方式中，与 实施方式1 一样，也在绝缘膜115的上层形成具有接触图案部7p的上 层侧导电图案部7s，上层侧导电图案部7s的接触图案部7p在接触部 115s的内侧，重叠在作为下层侧导电图案部的下层侧导电图案部6s的 上面，与下层侧导电图案部6s相接。
对如此构成的有机EL装置100而言，在实施方式l中，辅助布线 8a的端部8s在宽度尺寸细的情况下，重叠在上层侧导电图案部7s的接 触图案部7p的上面，但在本实施方式中，辅助布线8a的端部8s与多 条辅助布线8a的端部8s彼此连接，满面地形成有比辅助布线8a宽幅 的连接用电极部8r，该连接用电极部8r在接触部115s的内侧重叠于上 层侧导电图案部7s，与上层侧导电图案部7s相接。另外，辅助布线8a 的端部8s (连接用电极部8r )在绝缘膜115的上层侧(接触部115s的 外侧)，也在由接触部115s和像素区域110a夹持的区域，重叠在上层 侧导电图案部7s的接触图案部7p的上面，与上层侧导电图案部7s相 接。
另外，在本实施方式中，与实施方式l一样，第二电极层9a延伸 至接触部115s的形成区域。因此，第二电极层9a的端部9s在接触部 115s的形成区域、及接触部115s的外侧，也重叠在辅助布线8a的端部 8s (连接用电极部8r )的上面，与辅助布线8a的端部8s相接。
这样，在本实施方式中，由于在绝缘膜115的上层侧，通过薄层电 阻小于笫二电极层9a的导电膜形成了用于将第二电极层9a和下层侧导 电图案部6s连接的上层侧导电图案部7s,所以可以从端子104借助下 层侧导电图案部6s及上层侧导电图案部7s向辅助布线8a及第二电极 层9a施加电位。这里，由于上层侧导电图案部7s具有在接触部115s中与下层侧导电图案部6s的上面重叠的接触图案部7p，所以即<更接触 部115s狭窄，下层侧导电图案部6s和上层侧导电图案部7s的连接电阻 也低。另外，由于上层侧导电图案部7s形成在绝缘膜115的上层，所 以上层侧导电图案部7s和辅助布线8a的电连接在上层侧导电图案部7s 中，也能够在接触部115s的外侧进行，可以实现上层侧导电图案部7s 和辅助布线8a以足够大的面积接触的结构。
而且，在本实施方式中，辅助布线8a的端部8s与多条辅助布线8a 的端部8s彼此连接，满面地形成了比辅助布线8a宽幅的连接用电极部 8r，该连接用电极部8r重叠于上层侧导电图案部7s而与上层侧导电图 案部7s相接。因此，由于辅助布线8a的端部8s和上层侧导电图案部 7s的接触面积大，所以即便不过度增大接触部115s的面积，也能够借 助辅助布线8a确实可靠地将笫二电极层9a和下层侧导电图案部6s电 连接，所以在像素区域110a的外侧，对显示没有直接帮助的周边区域 110c可以狭窄。
[实施方式3
图8 (a)、 (b)是表示本发明的实施方式3涉及的有机EL装置的 剖面构成的示意剖面图、以及表示第一基板110的平面构成的示意i兌明 图，与在实施方式1中参照的图3 U)、 (b)对应。图9 (a)、 (b)是 表示本发明的实施方式3涉及的有机EL装置中，在第一基板110上端 子和辅助布线(笫二电极层)的电连接部分的平面结构的示意说明图、 以及表示其剖面结构的S3-S3，剖面图，与在实施方式1中参照的图5 (a)、 (b)对应。其中，由于本实施方式的基本构成与第一、实施方式 2相同，所以对共同的部分附加相同的符号，省略对它们的说明。
如图8 (a)、 (b)及图9 (a)、 (b)所示，本实施方式的有机EL装 置100与实施方式1 一样，也在支承基板110d上，将向一个方向延伸 的多条辅助布线8a形成在第二电极层9a的下层侧，该辅助布线8a与 第二电极层9a直接摔触。而且，在本实施方式中与实施方式1 一样， 当辅助布线8a与端子104电连接时，也都在与作为下层侧导电图案部 的下层侧导电图案部6s平面重叠的部分，形成有由绝缘膜113、 115的 除去部分(非形成区域)构成的接触部115s，该接触部115s是沿着像 素区域110a的边延伸的大的接触孔。对如此构成的有机EL装置100而言，在本实施方式中与实施方式 2 —样，辅助布线8a的端部8s与多条辅助布线8a的端部8s彼此连接， 满面地形成了比辅助布线8a宽幅的连接用电极部8r。因此，在本实施 方式中，与实施方式l、 2不同，辅助布线8a的宽幅的连接用电极部8r 被用作上层侧导电图案部的接触图案部，未形成图5及图7所示的上层 侧导电图案部7s。因此，在本实施方式中，辅助布线8a的连接用电极 部8r自身在接触部115s的内侧重叠于下层侧导电图案部6s,与下层侧 导电图案部6s相接。
另外，在本实施方式中，与实施方式l同样，第二电极层9a延伸 至接触部115s的形成区域。因此，第二电极层9a的端部9s在接触部 115s的形成区域、以及接触部115s的外侧，都重叠于辅助布线8a的端 部8s (连接用电极部8r)的上面，与辅助布线8a的端部8s相接。
这样，在本实施方式中，与实施方式l同样，在绝缘膜115的上层 侧，由薄层电阻小于第二电极层9a的导电膜形成的辅助布线8a的满面 状的连接用电极部8r，也在接触部115s的内侧以及外側重叠在下层侧 导电图案部6s的上面而与其相接。因此，即l更接触部115s狭窄，下层 侧导电图案部6s和辅助布线8a的连接电阻也低。故，即便不过度增大 接触部115s的面积，也可以借助辅助布线8a确实可靠地将第二电极层 9a和下层侧导电图案部6s电连接，所以在像素区域110a的外侧，对显 示没有直接帮助的周边区域110c可以狭窄。
[实施方式4
图10 (a)、 (b)是表示本发明的实施方式4涉及的有机EL装置的 剖面构成的示意剖面图、以及表示第一基板100的平面构成的示意说明 图，与在实施方式l中参照的图3 (a)、 (b)对应。图11 (a)、 (b)是 表示本发明的实施方式4涉及的有机EL装置中，在第一基板110上端 子和第二电极层的电连接部分的平面结构的示意说明图、以及表示其剖 面结,构的S4-S4，剖面图，与在实施方式l.中参照的图5 (a)、 (b)对 应。其中，有本实施方式的基本构成与实施方式1、 2相同，所以对共 同的部分附加相同的符号，省略对它们的说明。
如图10 (a)、 (b)及图11 (a)、 (b)所示，在本实施方式的有机EL装置100中，与实施方式1~3不同，未形成辅助布线8a。但是， 在本实施方式中，与实施方式l同样，当将第二电极层9a与端子104 电连接时，也都在与作为下层侧导电图案部的下层侧导电图案部6s平 面重叠的部分，形成由绝缘膜113、 115的除去部分(非形成区域)构 成的接触部115s，该接触部115s是沿着像素区域110a的边延伸的大的 接触孔。并且，本实施方式与实施方式1同样，也在绝缘膜115的上层， 形成具有接触图案部7p的上层侧导电图案部7s，上层侧导电图案部7s 的接触图案部7p在接触部115s的内侧，重叠于作为下层侧导电图案部 的下层侧导电图案部6s的上面而与下层侧导电图案部6s相接。
对如此构成的有机EL装置100而言，在本实施方式中，第二电极 层9a的端部9s在接触部115s的内侧重叠于上层侧导电图案部7s而与 上层侧导电图案部7s相接。而且，第二电极层9a的端部9s在绝缘膜 115的上层侧(接触部115s的外侧),也在由接触部115s和4象素区域110a 夹持的区域，重叠于上层侧导电图案部7s的接触图案部7p的上面而与 上层侧导电图案部7s相接。
因此，在本实施方式中，由于也在绝缘膜115的上层侧，通过薄层 电阻小于第二电极层9a的导电膜，形成用于将第二电极层9a和下层侧 导电图案部6s电连接的上层侧导电图案部7s，所以可以借助下层侧导 电图案部6s及上层侧导电图案部7s向第二电极层9a施加电位。这里， 由于上层侧导电图案部7s具有在接触部115s中重叠在下层侧导电图案 部6s的上面的接触图案部7p，所以即便接触部115s狭窄，下层侧导电 图案部6s和上层侧导电图案部7s的连接电阻也低。另外，由于上层侧 导电图案部7s形成在绝缘膜115的上层，所以上层侧导电图案部7s和 笫二电极层9a的电连接在上层侧导电图案部7s中，也可以在接触部 115s的外侧进行，能够实现上层侧导电图案部7s和第二电极层9a以足 够大的面积相接的结构。因此，即便不过度增大接触部115s的面积， 也可确实可靠地将第二电极层9a和下层侧导电图案部6s电连接，所以 在像素区域110的外侧，对显示没有直接帮助的周边区域110c可以狭 t , ,
[其他实施方式I
在上述实施方式1、 2、 4中，与第一电极层7a同时形成了上层侧导电图案部7s，但如果是薄层电阻小于第二电极层9a的导电膜，则可 以使用通过与第一电极层7a不同的工序形成导电膜。
在上述实施方式l、 2、 4中，釆用了上层侧导电图案部7s和构成端 子104的上层侧导电膜7t连接的构成，但也可以采用上层侧导电图案 部7s和上层側导电膜7t分离的构成。
在上述实施方式1~4中，采用了下层侧导电图案部6s及下层侧导 电膜6t经由导电膜3v电连接的构成，但也可以采用下层侧导电图案部 6s从接触部115s —体延伸到端子104的形成位置的构成。
在上述实施方式1~3中，将辅助布线8a形成在第二电极层9a的 下层侧，但也可以在辅助布线8a形成于第二电极层9a的上层侧的有机 EL装置中应用本发明。
在上述实施方式1~4中，以利用真空蒸镀法形成的有机功能层为 检查对象，但也可以在具有由喷墨法等形成的有机功能层的有机EL装 置中应用本发明。即，当形成有机EL元件的空穴注入层时，釆用在以 点状喷出将聚3,4 —乙烯二氧噻呤/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS )等溶解 于溶剂而得到的液状组合物之后将其定影的方法，在采用该方法的情况 下，可以应用本发明。另外，当形成有机EL元件的发光层时，采用在 以点状喷出如下所述的液状组合物之后将其定影的方法，在采用该方法 的情况下，可以应用本发明，其中，所述液状组合物通过将聚药衍生物、 聚亚苯基衍生物、聚乙烯基啼唑、聚噻吩衍生物、或者在这些高分子材 料中掺杂了二萘嵌苯系色素、香豆素系色素、若丹明系色素例如红荧烯、 二萘嵌苯、二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼罗红、香豆素6、喹吖酮等的 材料等溶解于溶剂中而得到。
在上述的实施方式中，作为应用了本发明的有机EL装置100， i兌 明了顶部发射型的有机EL装置，但也可以在底部发射型的有机EL装 置中应用本发明。
向电子设备的搭载例I
接着，对应用了上述实施方式的有机EL装置100的电子设备进行 说明。图12 (a)表示具有有机EL装置100的便携式个人电脑的构成。个人电脑2000具有作为显示单元的有机EL装置100和主体部2010。 在主体部2010上设置有电源开关2001及键盘2002。图12 ( b )表示具 备有机EL装置100的移动电话机的构成。移动电话机3000具有多个 操作按钮3001和滚动按钮3002、以及作为显示单元的有机EL装置100。 通过操作滚动按钮3002，在有机EL装置IOO上显示的画面发生滚动。 图12(c)表示应用了有机EL装置100的信息便携终端(PDA: Personal Digital Assistants )的构成。信息便携终端4000具有多个操作按钮4001 和电源开关4002、以及作为显示单元的有机EL装置100。当操作电源 开关4002时，住址通信录或日程表等各种信息会在有机EL装置100 中显示。
另外，作为可应用有机EL装置100的电子设备，除了图12所示的 设备之外，还可以举出数码相机、液晶电视、取景器型或监视直视型的 录像机、导航装置、传呼机、电子记事本、计算器、文字处理器、工作 站、可视电话、POS终端、具备触摸面板的设备等。此外，作为这些各 种电子设备的显示部，可以应用前述的有机EL装置100。
权利要求
1.一种有机电致发光装置，在支承基板上具有排列了多个像素的像素区域，在所述多个像素的每个中形成有在绝缘膜的上层侧至少依次层叠了第一电极层、发光层以及第二电极层的有机电致发光元件，所述有机电致发光装置的特征在于，在所述绝缘膜的下层侧形成用于向所述第二电极层施加电位的第一导电图案部，在所述绝缘膜的上层侧，由薄层电阻小于所述第二电极层的导电膜，形成了用于将所述第二电极层和所述第一导电图案部连接的第二导电图案部，所述第二导电图案部具有在由所述绝缘膜的非形成区域构成的接触部层叠在所述第一导电图案部的上面而与该第一导电图案部相接的第三导电图案部。
2. 如权利要求l所述的有机电致发光装置，其特征在于，从所述有机电致发光元件射出的光透过所述第二电极层而射出。
3. 如权利要求1或2所述的有机电致发光装置，其特征在于，在所述第二电极层的下层侧或上层侧，与该第二电极层相接的辅助布线通过相邻的所述像素之间而延伸，该辅助布线的端部重叠在所述第二导电图案部的所述第三导电图案部的上面，与该第三导电图案部相接。
4. 如权利要求3所述的有机电致发光装置，其特征在于，在所述辅助布线的端部形成宽度大于所述辅助布线的连接用电极部，所述连接用电极部重叠在所述第二导电图案部的所述第三导电图案部的上面，与该第三导电图案部相接。
5. 如权利要求1或2所述的有机电致发光装置，其特征在于，在所述第二电极层的下层侧或上层侧，与该第二电极层相接的辅助布线通过相邻的所述像素之间而延伸，在该辅助布线的端部，与该辅助布线一体形成了所述第二导电图案部。
6. 如权利要求1或2所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述笫二电极层的端部重叠在所述笫二导电图案部的所述第三导电图案部的上面，与该第三导电图案部相接。
7. 如权利要求3、 4或6所述的有机电致发光装置，其特征在于,所述第二导电图案部与所述第一电极层形成于同层。
8. —种电子设备，其特征在于，具有权利要求1 ~ 7中任意一项所述的有机电致发光装置。
全文摘要
本发明提供即便不增大接触部，也能确实可靠地将电极层和导电膜图案电连接的有机EL装置及电子设备。顶部发射型的有机EL装置(100)中，在支承基板(110d)上形成有与第二电极层(9a)相接的多条辅助布线(8a)。在绝缘膜(115)的下层侧形成用于向第二电极层(9a)施加电位的下层侧导电图案部(6s)，在绝缘膜(115)的上层侧，由薄层电阻小于第二电极层(9a)的导电膜，形成用于将第二电极层(9a)和下层侧导电图案部(6s)连接的上层侧导电图案部(7s)。上层侧导电图案部(7s)的接触图案部(7p)借助接触部(115s)与下层侧导电图案部相接，辅助布线的端部重叠于接触图案部而与接触图案部相接。
文档编号G09F9/33GK101567381SQ20091013523
公开日2009年10月28日 申请日期2009年4月21日 优先权日2008年4月22日
发明者新东晋 申请人:精工爱普生株式会社