显示装置、显示装置的驱动方法以及电子装置的制作方法

专利名称：显示装置、显示装置的驱动方法以及电子装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及显示装置、显示装置的驱动方法以及电子装置，更具体地， 涉及以矩阵形式二维排列着多个像素的平面型或平板型显示装置、该显示装 置的驱动方法以及并入该显示装置的电子装置。
背景技术：
近年来，在显示图像的显示装置领域中，以矩阵(即，以行和列)方式排列 多个像素或像素电路的平面型显示装置已快速流行起来。 一种该平面型显示 装置使用电流驱动型电光元件(其发射光亮度响应于流经该元件的电流的值 而改变)来作为像素的发光元件。作为电流驱动型电光元件，利用有机薄膜在
被施加电场时发光的现象的有机EL(Electro Luminescence,电致发光)元件是 公知的。
使用有机EL元件作为像素的电光元件的有机EL显示装置具有以下特 性。具体地，由于可以通过小于等于10V的施加电压来驱动有机EL元件， 因此有机EL元件具有低功耗特性。由于有机EL元件是自发光元件，因此与 通过控制来自对每个像素使用液晶的光源的光的强度来显示图像的液晶显示 装置相比，有机EL元件显示高可见度的图像。除此之外，由于有机EL元件 不需要诸如背光之类的发光构件，因此其便于有机EL显示装置的重量和厚 度降低。进一步，由于响应速度近似高达几个微秒，因此在动态图片显示时 不会出现余像。
类似于液晶显示装置，有机EL显示装置可采取简单或无源矩阵型或有 源矩阵型来作为其驱动方法。然而，虽然简单矩阵型的显示装置在结构上是 简单的，但是其问题在于由于每个发光元件的发光时间段随着扫描线数目 (即，像素数目)增加而减少，因此难以进行如大尺寸高清显示装置一样的实施。
因此，近年来，已经并且正在蓬勃地进行通过像素(其中，提供了诸如绝 缘栅型场效应管之类的电光元件)中提供的有源元件来控制流经电光元件的 电流的有源矩阵显示装置的开发。通常将薄膜晶体管(TFT， thin film transistor)用作绝缘栅型场效应管。由于电光元件在一帧的时间段上持续发光，因此可 以将有源矩阵显示装置容易地实施为大尺寸高清显示装置。
顺便提及，有机EL元件的I-V特性(即，电流-电压特性)随着时间流逝而 劣化(老化)是通常所知的。在使用TFT(尤其是N沟道型TFT)作为用于通过电 流驱动有机EL元件的晶体管(在下文中称作驱动晶体管)的像素电路中，如果 有机EL元件的I-V特性遭受老化，那么驱动晶体管的栅源电压Vgs变化。 结果，有机EL元件的发光亮度变化。这是由于有机EL元件与驱动晶体管的 源极电极侧相连接的事实而产生的。
更具体地对其描述。驱动晶体管的源极电势取决于驱动晶体管和有机EL 元件的工作点。于是，如果有机EL元件的I-V特性劣化，那么由于驱动晶体 管和有机EL元件的工作点变化，因此即使对驱动晶体管的栅极电极施加相 同的电压，驱动晶体管的源极电势也会改变。从而，驱动晶体管的栅源电压 Vgs变化，并且流向驱动晶体管的电流值改变。结果，由于流向有冲几EL元件 的电流值也变化，因此有机EL元件的发光亮度变化。
进一步，尤其在使用多晶硅TFT的像素电路中，除了有机EL元件的I-V 特性的老化之外，驱动晶体管的晶体管特性还随着时间流逝而变化，或者晶 体管特性由于制造工艺的漂移而在不同像素之中不同。换言之，驱动晶体管 的晶体管特性在各个像素值中漂移。所述晶体管特性可以是驱动晶体管的阈 值电压Vth，形成驱动晶体管的沟道的半导体薄膜的迁移率ii(在下文中，将 该迁移率p简称为"驱动晶体管的迁移率p")，或某些其它特性。
在驱动晶体管的晶体管特性在不同像素之中不同的情况下，由于这导致
流向驱动晶体管的电流值在各像素之中的漂移，因此即使对各像素中的驱动 晶体管的栅极电极施加相同的电压，各像素中有机EL元件的发光亮度中也 会出现漂移。结果，损坏了屏幕图像的均匀性。
因此，例如，如日本专利特许号2006-133542中公开的那样，为了将有 机EL元件的发光亮度保持固定，而不受有机EL元件的I-V特性的老化或驱 动晶体管的晶体管特性的老化的影响，向像素电路提供了各种校正或4卜偿功 能。
校正功能可包含对于有机EL元件的特性变化的补偿功能，防止驱动 晶体管的阈值电压Vth的变化的校正功能，防止驱动晶体管的迁移率|a的变 化的校正功能，以及一些其它功能。在下面给出的描述中，防止驱动晶体管的阈值电压Vth的变化的校正被称作"阈值校正"，防止驱动晶体管的迁移率 ^的变化的校正被称作"迁移率校正"。
在以这种方式为每个像素电路配备各种校正功能的情况下，有机EL元 件的发光亮度可以保持固定，而不受有机EL元件的I-V特性的老化或驱动晶 体管的晶体管特性的老化的影响。结果，可以改善有机EL显示装置的显示 质量。
针对有机EL元件的特性变化的补偿功能是以如下所述这样一系列的电 路操作来执行的。首先，写晶体管写入经由信号线所提供的图像信号，以便 将其存储至连接在驱动晶体管的栅极和源极之间的存储电容器。此后，写晶 体管被置入不导通状态，以便驱动晶体管的栅极电极与信号线电断开，使得 驱动晶体管的栅极电极被置入浮空状态。
当驱动晶体管的栅极电极被置入浮空状态时，由于驱动晶体管的栅极和 源极之间连接着存储电容器，因此驱动晶体管的栅极电势Vg也以与驱动晶 体管的源极电势Vs的变化的互锁关系(即，跟随)的方式而变化。在下文中， 用于以与驱动晶体管的源极电势Vs的互锁关系的方式这样来改变栅极电势 Vg的操作被称作自举操作。通过该自举操作，可以将驱动晶体管的栅源电压 Vgs保持固定。结果，即使有机EL元件的I-V特性遭受老化，有机EL元件 的发光亮度也可以保持固定。

发明内容
顺便提及，如图25中看到的那样，流向以矩阵形式二维排列着多个像素 的显示面板的面板电流值随着时间流逝而减小。这是由于如图26中所看到 的、像素中晶体管的特性(例如，阈值电压Vth)随着时间流逝而变化的事实而 产生的。这里，面板电流是流经形成于显示面板上且包含晶体管的电路部分 的电流。
这里，作为像素中的晶体管，例如研究写晶体管。向写晶体管的栅极电 极施加写扫描信号WS。该写扫描信号WS限定了用于迁移率校正处理的时 间段(在下文中，该时间段称作"迁移率校正时间段")。具体地，当写扫描信 号WS相对于信号线的电势大于等于写晶体管的阈值电压Vth时，写晶体管 呈现导通状态，导通状态持续的时间段为迁移率校正时间段。
虽然写扫描信号WS是脉冲信号，但是由于用于传送写扫描信号WS的扫描线的布线电阻、寄生电阻等的影响，如图27中所看到的那样，在写扫描 信号WS的上升沿或下降沿出现响应延迟。如果写晶体管的阈值电压Vth以
波动，那么迁移率校正时间变化。
具体地，在写晶体管的初始阈值电压为Vthl的情况下，如图27中看到 的那样，当写扫描信号WS相对于信号线的电势大于等于写晶体管的阈值电 压Vthl时，写晶体管被置入导通状态。然后，此时写晶体管保持导通的时间 段为迁移率校正时间段ta。
另一方面，如果假设写晶体管的阈值电压从Vthl下降至Vth2，那么迁 移率校正时间段从U变长为tb。迁移率校正时间段变长表示在迁移率校正处 理中反馈至驱动晶体管的栅极和源极之间的电势差的反馈量或校正量变大以 及才交正施加过度。
具体地，由于迁移率校正时间段的延长导致过校正，因此流向驱动晶体 管的电流减小，并且有机EL元件的发光亮度从其初始级别减小。相反，如 果写晶体管的阈值电压从其初始值上升并且迁移率校正时间段变短，那么由 于校正变短，因此流向驱动晶体管的电流增大，并且有机EL元件的发光亮 度从其初始级别增大。
因此，期望提供发光亮度可保持固定而不受像素中晶体管的特性变化影 响的显示装置，用于该显示装置的合适的驱动方法以及并入了该显示装置的 电子装置。
根据本发明的实施例，提供了如下的显示装置，其包含像素阵列部分， 其配置为具有以矩阵的形式排列在所述像素阵列部分上的多个像素，每个所 述像素包含电光元件、用于写入图像信号的写晶体管、用于响应于所述写晶 体管写入的图像信号来驱动所述电光元件的驱动晶体管、以及连接在所述驱 动晶体管的栅极电极和源极电极之间的用于存储所述写晶体管写入的图像信 号的存储电容器，每个所述像素执行迁移率校正处理，用于对所述驱动晶体 管的栅极和源极之间的电势差施加具有根据流向所述驱动晶体管的电流而确 定的校正量的负反馈；检测部分，其配置为检测所述像素中任意晶体管的特 性变化；以及控制部分，其配置为基于所述检测部分的检测结果来控制迁移 率校正处理时间段。
如果像素中晶体管的特性(例如，写晶体管的阈值电压)变化，那么迁移率校正时间段(即，用于迁移率校正处理的时间段)变化。从而，迁移率校正处理 的校正量变化，并且流向驱动晶体管的电流响应于该校正量的变化也变化。 因此，电光元件的发光亮度从初始亮度变化。此时，基于像素中晶体管的特 性变化的检测结果来控制迁移率校正时间段。
时间段变得更长，因此如果发生过校正并且流向驱动晶体管的电流减小，那 么以迁移率校正时间段变得更短的方向来对其进行控制。在迁移率校正时间 段变得更短的情况下，可以抑制校正量，因此，流向驱动晶体管的电流增大， 并且电光元件的发光亮度增大。结果，抑制了由像素中晶体管的特性变化而 产生的发光亮度的变化。
利用该显示装置，由于抑制了由像素中晶体管的特性变化而产生的发光 亮度的变化，因此可以将发光亮度保持固定，而不受像素中晶体管的特性变 化影响。因此，可以获得良好的显示图像。
结合由相同附图标记表示相同部分或元件的附图，根据以下描述及所附 权利要求，本发明的以上和其它特征及优点将变得显而易见。


图1是示出应用了本发明实施例的有机EL显示装置的总体系统配置的 框图2是示出像素的电路配置的方块电路图； 图3是示出像素的剖面结构的示例的剖面视图； 图4是图示图1的有机EL显示装置的电路工作的时序波形图； 图5A~图5D和图6A -图6D是图示图1的有机EL显示装置的电路工 作的电路图7和图8是分别图示由于驱动晶体管的阈值电压的漂移以及迁移率的 漂移而产生的像素之间的特性差异的特性图9A~图9C是依据是否执行了阁值校正和/或迁移率校正来图示图像信 号的信号电压与驱动晶体管的漏源电流之间的关系的特性图10是示出根据本发明工作示例的有机EL显示装置的总体系统配置的 框图11是示出检测部分的配置的示例的电路例如，由于写晶图12是图示图10的有机EL显示装置的检测部分的检测电压与用于产 生转换表的迁移率校正时间段之间的关系的图解视图； 图13是图示转换表的示例的视图14是图示图IO的有机EL显示装置中使用的WSEN2脉沖的脉宽转换 方式的波形图15是示出图10的有机EL显示装置的写扫描电路的配置的示例的框
图16是图示图10的有机EL显示装置中使用的两个使能脉沖的时序关 系的时序图17是图示用于调整图10的有机EL显示装置中的迁移率校正时间段 的处理过程的示例的流程图18是示出像素的另一电路配置的电路图19是在使用图18的像素情况下的时序波形图21A和图21B是分别示出从正面和背面看到的应用了本发明实施例的 数码相机的外观的透视图22是示出应用了本发明实施例的笔记本型个人计算机的外观的透视
图23是示出应用了本发明实施例的摄像机的外观的透视图24A和图24B是示出应用了本发明实施例的便携式电话机处于未折叠
状态下的外观的前^L图和侧一见图，而图24C、 24D、 24E、 24F和24G分别是
处于折叠状态下的便携式电话机的前视图、左侧视图、右侧视图、顶部平面
图和底部平面图25是图示流逝时间和面板电流值之间的关系的图解视图26是图示应力时间和晶体管的阈值电压变化量之间的关系的图解视
图；以及
图27是通过阈值电压的变化来图示电流降低机理的图解视图。
具体实施方式
系统配置
图1是示出应用了本发明实施例的有源矩阵显示装置的总体系统配置的
10框图。这里，假设所描述的有源矩阵显示装置是使用电流驱动型电光元件(其 发光亮度响应于流经该元件的电流的值而变化)的有机EL元件作为像素或像
素电路的发光元件的有源矩阵有机EL显示装置。
参考图l,所示有机EL显示装置10包含多个像素20，其均包含发光 元件；像素阵列部分30,在其之中以行和列的方式(即，以矩阵的形式)二维 排列像素20;以及驱动部分，其布置在像素阵列部分30的周围。驱动部分 驱动像素阵列部分30的像素20。驱动部分包含写扫描电路40、电源扫描 电路50和信号输出电路60。
这里，如果有机EL显示装置10准备用于白/黑显示，那么构成用于形成 单色图像的单元的一个像素对应于一像素20。另一方面，在有机EL显示装 置IO准备用于彩色显示的情况下，构成用于形成彩色图像的单元的一个像素 是由均与像素20相对应的多个子像素形成的。更具体地，在用于彩色显示的 显示装置中， 一个像素由用于发射红光(R)的一子像素、用于发射绿光(G)的 另 一子像素以及用于发射蓝光(B)的又一子像素构成。
然而， 一个像素不是必须由R、 G和B三原色的子像素的组合来形成， 而是可以由除了三原色的子像素之外的 一颜色或不同颜色的一个或多个子像 素来形成。具体地，例如，为了增大亮度，可以添加用于发射白光(W)的子像 素来形成一个像素，或者为了扩大色彩再现范围，可以添加用于发射补色光 的至少 一个子像素来形成一个像素。
像素20以m行和n列的方式排列在像素阵列部分30中，并且沿着行方 向(即，沿着像素行中的像素排列的方向)为各个像素行线接扫描线31-1 ~ 31-m以及电源线32-1 ~32-m。进一步，沿着列方向(即，沿着像素列中的像 素排列的方向)为各个像素列线接信号线33-1 ~ 33-n。
扫描线31-1 ~31-m分别与相应行的写扫描电路40的各输出端相连接。 电源线32-1 ~32-m分别与相应行的电源扫描电路50的各输出端相连接。信 号线33-1 33-n分别与相应列的信号输出电路60的各输出端相连接。
像素阵列部分30通常形成在诸如玻璃衬底之类的半导体绝缘衬底上。因 此，有机EL显示装置10具有平板结构。可以利用无定形硅TFT(薄膜晶体管， Thin Film Transistor)或低温多晶硅TFT来形成像素阵列部分30的每个像素20 的驱动电路。在使用低温多晶硅TFT的情况下，同样可以将写扫描电路40、 电源扫描电路50和信号输出电路60安装在显示面板或形成像素阵列部分30的衬底70之上。
写扫描电路40由与时钟脉冲ck同步地顺序移位开始脉沖sp的移位寄存 器或类似元件形成。当将图像信号写入至像素阵列部分30中的像素20时， 写扫描电路40将写扫描信号WS(WSl WSm)顺序地提供至扫描线31-1 ~ 31-m，以便以行为单位顺序地扫描(线序列扫描)像素阵列部分30中的像素20。
电源扫描电路50由与时钟脉冲ck同步地顺序移位开始脉冲sp的移位寄 存器或类似元件形成。电源扫描电^各50与写扫描电i 各40的线序列扫描同步 地将电源电势DS(DSl DSm)(其在第一电源电势Vccp与低于第一电源电势 Vccp的第二电源电势Vini之间切换)t是供至电源线32-1 ~ 32-m。通过电源电 势DS在第一电源电势Vccp与第二电源电势Vini之间的切换，执行像素20 的发光/不发光的控制。
信号输出电路60选择从信号供给线(未示出)提供的表示亮度信息的图像 信号的信号电压Vsig与基准电势Vofs之一，并输出所选择的电压。信号输出 电路60输出的信号电压Vsig或基准电势Vofs通过信号线33-1 ~ 33-n以列为 单位被写入至像素阵列部分30的像素20。换言之，信号输出电路60具有以 列或线为单位来写入信号电压Vsig的线序列写驱动形式。 像素电路
图2示出像素或像素电路20的具体电路配置。
参考图2，像素20包含诸如有机EL元件21之类的、其发光亮度响应于 流经其的电流值而变化的电流驱动型电光元件，以及用于驱动有机EL元件 21的驱动电路。有机EL元件21在其阴极电极与公共地线接至所有像素20 的公共电源线34相连接。
用于驱动有机EL元件21的驱动电路包含驱动晶体管22、写晶体管23、 存储电容器24以及辅助电容器25。这里，对驱动晶体管22和写晶体管23 使用N沟道TFT。然而，驱动晶体管22和写晶体管23的导通类型的该组合 仅是示例，该导通类型的组合不限于此特定组合。
注意，在将N沟道TFT用于驱动晶体管22和写晶体管23的情况下，对 其制造可以使用无定形硅(a-Si)工艺。在使用a-Si工艺的情况下，可以期望在 其上生产TFT的衬底的成本的降低以及有机EL显示装置10的成本的降低。 进一步，如果以相同导通类型的组合的方式来形成驱动晶体管22和写晶体管 23,那么由于可以通过同一工艺来生产晶体管22和23，因此这可以有助于成本的降低。
驱动晶体管22在其第一电极(即，在其源极/漏极电极)连接至有机EL元 件21的阳极电极，而在其第二电极(即，在其漏极/源极电极)连接至电源线 32(32-1 ~ 32画m)。
写晶体管23在其第一电极(即，在其源极/漏极电极)连接至信号线 33(33-1 ~ 33-n)，而在其第二电极(即，在其漏极/源极电极)连接至驱动晶体管 22的栅极电极。进一步，写晶体管23在其栅极电极连接至扫描线31(31-1-31-m)。
在驱动晶体管22和写晶体管23中，第一电极是电连接至源极/漏极区的 金属线，而第二电极是电连接至漏极/源极区的金属线。进一步，取决于第一 电极和第二电极之间电势的关系，第一电极可以是源极电极或漏极电极，而 第二电极可以是漏极电极或源极电极。
存储电容器24在其一电极连接至驱动晶体管22的栅极电极，在其另一 电极连接至驱动晶体管22的第一电极以及有机EL元件21的阳极电极。
辅助电容器25在其一电极连接至有机EL元件21的阳极电极，在其另 一电极连接至公共电源线34。为了补偿有机EL元件21的电容的不足以提高 图像信号至存储电容器24的写增益，必要时，提供辅助电容器25。换言之， 辅助电容器25在本质上并不是必需的元件，而在有机EL元件21的等效电 容充分大的情况下可以略去。
注意，虽然辅助电容器25在其另一电极连接至公共电源线34，但是该 另一电极的连接目的地不限于公共电源线34,而是可以为固定电势的任意节 点。在辅助电容器25在其另一电极连接至固定电势的情况下，可以实现补偿 有机EL元件21的电容的不足以提高图像信号至存储电容器24的写增益的 最初目的。
在具有上述配置的像素20中，响应于从写扫描电路40通过扫描线31而 施加至写晶体管23的栅极电极的高有效写扫描信号WS，写晶体管23被置 入导通状态。从而，写晶体管23通过信号线33对信号输出电路60提供的表 示亮度信息的图像信号的信号电压Vsig或基准电势Vofs进行采样，并且将采 样的电势写入至像素20。由此写入的信号电压Vsig或基准电势Vofs被施加 至驱动晶体管22的栅极电极，并被存储至存储电容器24。
当电源线32(32-l 32-m)的电源电势DS为第一电源电势Vccp时，驱动晶体管22工作在饱和区中，同时第一电极用作漏极电极，第二电极用作源极
电极。从而，驱动晶体管22接收来自电源线32的电流的供给，并通过电流 驱动来驱动有机EL元件21发光。更具体地，驱动晶体管22工作在其饱和 区中，以将与存储电容器24中存储的信号电压Vsig的电压值相对应的电流 值的驱动电流^是供至有才几EL元件21，以利用该电流驱动有机EL元件21以 便发光。
进一步，当电源电势DS从第一电源电势Vccp切换至第二电源电势Vini 时，驱动晶体管22的第一电极用作源极电极，同时驱动晶体管22的第二电 极用作漏极电极，并且驱动晶体管22作为开关晶体管工作。从而，驱动晶体 管22停止驱动电流至有机EL元件21的供给，以便将有机EL元件21置入 不发光状态。因此，驱动晶体管22还具有作为控制有机EL元件21的发光/ 不发光的晶体管的功能。
驱动晶体管22的开关操作提供了有机EL元件21处于不发光状态的时 间段(即，不发光时间段)，并且控制有机EL元件21的发光时间段与不发光 时间段之间的比例(即，有机EL元件21的占空比(duty))。通过该占空比控制， 可以降低在一帧时间段上来自像素的光的发射所导致的余像模糊，从而，可 以提高画面(尤其是动态画面)质量。
这里，使用从信号输出电路60选择性地提供至信号线33的基准电势Vofs 作为用于表示亮度信息的图像信号的信号电压Vsig的基准，例如，作为与图 像信号的黑电平相对应的电势。
来自电源扫描电路50通过电源线32选择性地提供的第一和第二电源电 势Vccp和Vini之间的第一电源电势Vccp是用于向驱动晶体管22提供用以 驱动有机EL元件21发光的驱动电流的电源电势。同时，第二电源电势Vini 用于对有机EL元件21施加反向偏置。该第二电源电势Vini被设置为低于基 准电压Vofs的电势，例如，设置为低于Vofs-Vth的电势(其中，Vth是驱动晶 体管22的阈值电压)，最好设置为充分低于Vofs-Vth的电势。 像素结构
图3示出像素20的剖面结构。参考图3,包含驱动晶体管22等的驱动 电路形成在玻璃衬底201上。配置像素20以使得在玻璃衬底201上依次形成 绝缘膜202、绝缘平坦化(flattening)膜203和窗口绝缘膜204,并且在窗口绝 缘膜204的凹口区段204A处提供有机EL元件21。这里，从驱动电路的各组件之中，仅示出了驱动晶体管22，而省略了其它组件。
有机EL元件21由阳极电极205、有机层(电子传输层、发光层和空穴传 输层/空穴注入层)206和阴极电极207形成。阳极电极205由在窗口绝缘膜204 的凹口区段204A的底部上形成的金属等制造。有机层206形成在阳极电极 205上。阴极电极207由对于有机层206上的所有像素公共形成的透明导电 膜等形成。
在有机EL元件21中，有机层206由在阳极电极205上依次淀积的空穴 传输层/空穴注入层2061、发光层2062、电子传输层2063和电子注入层(未示 出)形成。如果在驱动晶体管22的电流驱动下，电流通过阳极电极205从驱 动晶体管22流向有^/L层206,那么电子和空穴在有^/l层206中的发光层2062 中复合，于是发光层2062发光。
驱动晶体管22包含栅极电极221;源极/漏极区223和224,其提供在 半导体层222上的栅极电极221的对向侧；以及沟道形成区225，其位于与 栅极电极221对向的半导体层222的区段处。源极/漏极区223通过接触孔与 有机EL元件21的阳极电极205电连接。
在有机EL元件21以像素为单元，通过绝缘膜202、绝缘平坦化膜203 和窗口绝缘膜204而形成在玻璃衬底201上之后，利用压焊剂210通过钝化 膜208将密封衬底209粘合(adhere)。利用密封衬底209密封有机EL元件21 以形成显示面^反70。 有机EL显示装置的电路工作
现在除了图4之外，还参考图5A 5D以及6A 6D,描述二维排列着具 有上述配置的像素20的有机EL显示装置IO的电路工作。注意，在图5A 6D中，为了简化图示，由开关符号表示写晶体管23。
在图4中，示出了扫描线31 (31-1 ~ 31-m)的电势(写扫描信号)WS的变化、 电源线32 (32-1 -32-m)的电势(电源电势)DS的变化以及驱动晶体管22的栅 极电势Vg和源极电势Vs的变化。进一步，由交替的长短点划线表示栅极电 势Vg的波形，同时由虚线表示源极电势Vs的波形，以便可以将其彼此识别。 <先前帧内的发光时间段〉
在图4中，在时间tl之前，提供了有机EL元件21在先前帧或场内的发 光时间段。在先前帧的发光时间段内，电源线32的电源电势DS具有第一电 源电势(在下文中称作"高电势")Vccp，写晶体管23处于不导通状态。设置驱动晶体管22使得其在此时工作于饱和区中。从而，经由驱动晶体
管22将与驱动晶体管22的栅源电压Vgs相对应的驱动电流或漏源电流Ids 从电源线32提供至有机EL元件21。从而，有机EL元件以与驱动电流Ids 的电流值相对应的亮度来发光。 <阈值校正准备时间段>
在时间tl处，进入线序列扫描的新帧(即，当前帧)。然后，如从图5B中 所看到的那样，相对于信号线33的基准电势Vofs，电源线32的电势DS从 高电势Vccp切换至充分低于Vofs-Vth的第二电源电势(在下文中称作"低电 势，，)Vini。
这里，有机EL元件21的阈值电压由Vthel表示，公共电源线34的电势 (即，阴极电势)由Vcath表示。此时，如果第二电源电势Vini满足Vini〈Vthel + Vcath，那么由于驱动晶体管22的源极电势Vs变为基本上等于低电势Vini， 因此有机EL元件21被置入反偏状态而停止发光。
然后，当扫描线31的电势WS在时间t2处从低电势侧变为高电势侧时， 如从图5C中所看到的那样，写晶体管23被置入导通状态。此时，由于将基 准电势Vofs从信号输出电路60提供至信号线33，因此驱动晶体管22的栅极 电势Vg变为基准电势Vofs。同时，驱动晶体管22的源极电势Vs等于充分 低于基准电势Vofs的低电势Vini。
此时，驱动晶体管22的栅源电压Vgs等于Vofs-Vini。这里，如果Vofs-Vini 不充分地大于驱动晶体管22的阈值电势Vth，那么不能执行在下文中描述的 阈值校正处理，因此，需要建立电势关系Vofs-Vini>Vth。
这样，将驱动晶体管22的栅极电势Vg固定为或最终定为基准电势Vofs 并且将驱动晶体管22的源极电势Vs固定为或最终定为低电势Vini以将其初 始化的处理，是在执行下文中描述的阈值校正处理之前的准备(阈值校正准备) 处理。因此，基准电势Vofs和低电势Vini变为分别用于驱动晶体管22的栅 极电势Vg和源极电势Vs的初始化电势。 <阈值校正时间段>
然后，如图5中看到的那样，如果电源线32的电势DS在时间t3处从低 电势Vini切换为高电势Vccp，那么在维持驱动晶体管22的4册;欧电势Vg的 状态下开始阈值校正处理。具体地，驱动晶体管22的源极电势Vs开始朝着 栅极电势Vg与驱动晶体管22的阈值电势Vth之差的电势上升。为了描述的方便，在下文中，将朝着参照驱动晶体管22的栅极电极处的
基准电势Vofs的基准电势Vofs与驱动晶体管22的阈值电势Vth之差的电势 来改变源极电势Vs的处理称为阈值校正处理。随着阈值校正处理进行，驱动 晶体管22的栅源电压Vgs不久收敛于驱动晶体管22的阈值电势Vth。与阈 值电势Vth相对应的电压存储在存储电容器24中。
注意，为了在执行阈值校正处理的时间段之内(即，阈值校正时间段内) 允许电流完全流向存储电容器24侧，而不流向有机EL元件21侧，设置公 共电源线34的电势Vcath以使得有机EL元件21具有截止状态。
然后，扫描线31的电势WS在时间t4处变为低电势侧，于是如图6A中 所看到的那样，写晶体管23被置入不导通状态。此时，驱动晶体管22的栅 极电极与信号线33电断开而进入浮空状态。然而，由于栅源电压Vgs等于驱 动晶体管22的阈值电势Vth,因而驱动晶体管22保持在截止状态中。因此， 漏源电流Ids不流向驱动晶体管22。 <信号写入/迁移率校正时间段>
然后在时间t5处，如图6B中所看到的那样，信号线33的电势从基准电 势Vofs切换为图像信号的信号电压Vsig。然后在时间t6处，如图6C中所看 到的那样，扫描线31的电势WS变为将写晶体管23置入导通状态以将图像 信号的信号电压Vsig采样并写入至像素20的高电势侧。
通过写晶体管23对信号电压Vsig的写入，驱动晶体管22的栅极电势 Vg变为信号电压Vsig。然后，当以图像信号的信号电压Vsig来驱动驱动晶 体管22时，利用与存储在存储电容器24中的阈值电势Vth相对应的电压， 消除了驱动晶体管22的阈值电势Vth。阈值消除原理的细节将在下文中进行 详纟田描述。
此时，有机EL元件21保持在截止状态中(即，高阻状态中)。因此，响 应于图4象信号的信号电压Vsig而^Mv电源线32流向驱动晶体管22的电流(即， 漏源电流Ids)流向辅助电容器25。从而，开始辅助电容器25的充电。
通过辅助电容器25的充电，驱动晶体管22的源极电势Vs与时间的流逝 一起上升。此时，已经为每个像素消除了驱动晶体管22的阈值电势Vth的漂 移，并且驱动晶体管22的漏源电流Ids依赖于驱动晶体管22的迁移率p。
这里，假设存储电容器24的存储电压Vgs与图傳_信号的信号电压Vsig 的比例(即，已存储的电压Vgs的写增益)为l(其为理想值)。在这种情况下，当驱动晶体管22的源极电势Vs上升至电势Vofs-Vth + AV时，驱动晶体管 22的栅源电压Vgs变为Vsig - Vofs + Vth — AV。
具体地，驱动晶体管22的源极电势Vs的上升量AV产生作用以使得将 其从存储电容器24中存储的电压(即，从Vsig - Vofs + Vth)中减去，或换言之， 以使得对存储电容器24的累积电荷放电，因此所述上升量被负反馈。因此， 源极电势Vs的上升量AV是负反馈的反馈量。
通过根据流经驱动晶体管22的驱动电流Ids来将负反馈的反馈量AV施 加至^t源电压Vgs,可以消除驱动晶体管22的驱动电流Ids对于迁移率|x的 依赖性。该消除处理是针对每个像素校正驱动晶体管22的迁移率p的漂移的 迁移率校正处理。
更具体地，由于漏源电流Ids随着待写入至驱动晶体管22的一册极电4及的 图像信号的信号幅值Vin一Vsig-Vofs)增大而增大，因此负反馈的反馈量AV 的绝对值也增大。因此，执行了与发射光亮度电平一致的迁移率校正处理。
进一步，如果假设图像信号的信号幅值Vin固定，那么由于反馈量AV 的绝对值也随着驱动晶体管22的迁移率ii增大而增大，因此可以消除每个像 素的迁移率)i的漂移。因此，同样可以将负反馈的反馈量AV视为迁移率校 正的校正量。迁移率校正原理的细节将在下文中进行描述。 <发光时间段>
然后，扫描线31的电势WS在时间t7处变为低电势,于是如从图6D看 到的那样，写晶体管23被置入不导通状态。从而，由于驱动晶体管22的栅 极电极与信号线33电断开，因此其被置入浮空状态。
这里，当驱动晶体管22的栅极电极处于浮空状态时，由于驱动晶体管 22的栅极和源极之间连接着存储电容器24,因此栅极电势Vg也以与驱动晶 体管22的源极电势Vs的变化的互锁关系的方式而变化。以与源极电势Vs 的变化的互锁关系的方式这样来变化的驱动晶体管22的栅极电势Vg的操作 为存储电容器24的自举操作。
当驱动晶体管22的栅极电极被置入浮空状态并且驱动晶体管22的漏源 电流Ids同时开始流向有机EL元件21时，有机EL元件21的阳极电势响应 于该漏源电流Ids而上升。
然后，当有机EL元件21的阳极电势超过Vthel+Vcath时，驱动电流开 始流向有机EL元件21,从而有机EL元件21开始发光。进一步，有机EL元件21的阳极电势的上升仅仅是驱动晶体管22的源极电势Vs的上升。随着 驱动晶体管22的源极电势Vs上升，驱动晶体管的栅极电势Vg通过存储电 容器24的自举操作以互锁关系同样上升。
此时，如果假设自举增益在理想状态下为1，那么栅极电势Vg的上升量 等于源极电势Vs的上升量。因此，在发光时间段期间，驱动晶体管22的栅 源电压Vgs保持固定为Vsig-Vofs +Vth-AV。然后，在时间t8处，信号线 33的电势从图像信号的信号电压Vsig切换为基准电势Vofs。
在上述的一系列电路操作中，以一个水平扫描时间段(1H)执行了阈值校 正准备、阈值校正、信号电压Vsig的写入(信号写入)以及迁移率校正的处理 操作。同时，在从时间t6至时间t7的时间段内，并行地执行了信号写入和迁 移率校正的处理操作。 阈值消除的原理
这里，描述阈值消除(即，阈值校正)的原理。由于驱动晶体管22被设计 为工作在饱和区，因此其作为恒流源来工作。从而，为有机EL元件21提供 了以下表达式给出的固定的漏源电流或驱动电流Ids:
Ids = (1/2)'p(W/L)Cox(Vgs - Vth)2......(1)
其中，W是驱动晶体管22的沟道宽度，L是沟道长度，而Cox是每单位面 积的栅电容。
图7图示驱动晶体管22的漏源电流Ids关于栅源电压Vgs的特性。
如从图7的特性图所看到的那样，如果未执行每个像素的驱动晶体管22 的阈值电势Vth的漂移的消除处理，那么当阈值电势Vth为Vthl时，与栅极 电势Vg相对应的漏源电流Ids变为Ids 1 。
相反，当阈值电势Vth为Vth2(Vth2〉Vthl)时，与同一栅源电压Vgs相 对应的漏源电流Ids变为Ids2(Ids2〈Idsl)。换言之，如果驱动晶体管22的阈 值电势Vth变化，那么即使栅源电压Vgs固定，漏源电流Ids也变化。
另一方面，在像素或像素电路20中，发光时的驱动晶体管22的栅源电 压Vgs为Vsig - Vofs + Vth - AV。因此，通过将此带入表达式(l),漏源电流 Ids由以下表达式(2)来表示
Ids = (1/2)卞(W/L)Cox(Vsig - Vofs - AV)2......(2)
具体地，消除了驱动晶体管22的阈值电势Vth项，并且从驱动晶体管 22流向有机EL元件21的漏源电流Ids不依赖于驱动晶体管22的阔值电势Vth。结果，对于每个像素来说，即使驱动晶体管的阈值电势Vth由于制造工
艺的漂移或驱动晶体管22的老化而变化，漏源电流Ids也不变化，因而，有
机EL元件21的发光亮度可以保持固定。
迁移率校正的原理
现在描述驱动晶体管22的迁移率校正原理。为了比较，图8图示驱动晶 体管22具有相对高的迁移率n的像素A与驱动晶体管22具有相对低的迁移 率p的像素B的特性曲线。在驱动晶体管22由多晶硅薄膜晶体管等形式的情 况下，其不可避免迁移率|1在如同像素A和像素B之类的像素之间漂移。
这里假设在像素A和像素B之间具有迁移率p的漂移的状态下，将相同 电平的信号幅值Vin (= Vsig - Vofs)写入像素A和B中的驱动晶体管22的栅 极电极。在这种情况下，如果根本未执行迁移率p的校正，那么流经具有高 迁移率n的像素A的漏源电流Idsl，与流经具有低迁移率p的像素B的漏源 电流Ids2，之间出现很大差异。如果以这种方式在不同像素之间出现源于各像 素中迁移率(i的漂移的漏源电流Ids的很大差异，那么屏幕图像的均匀性被 损坏。
这里，如从以上给出的表达式(l)的晶体管特性表达式中显而易见的那样， 在迁移率li较高的情况下，漏源电流Ids较大。因此，负反馈的反馈量AV随 着迁移率p增大而增大。如从图8中看到的那样，高迁移率p的像素A中的 反馈量AV1比具有低迁移率p的像素B中的反馈量AV2更大。
因此，如果通过迁移率校正处理，才艮据驱动晶体管22的漏源电流Ids来 对栅源电压Vgs施加具有反馈量AV的负反馈，那么负反馈随着迁移率ia增 大而增大。结果，可以抑制各像素中迁移率p的漂移。
具体地，如果在具有高迁移率n的像素A中施加反馈量AV1的校正，那 么漏源电流Ids下降从Idsl，到Idsl的较大量。另一方面，由于具有低迁移率 p的像素B中的反馈量AV2较小，因此漏源电流Ids从Ids2，减小至Ids2 ，而 不会下降较大的量。结果，像素A中漏源电流Idsl和像素B中漏源电流Ids2 变得基本上彼此相等，从而校正了像素中迁移率p的漂移。
总的来说，在考虑不同迁移率ii的像素A和像素B的情况下，具有高迁 移率p的像素A中的反馈量AV1比具有低迁移率|i的像素B中的反馈量AV2 更大。简而言之，随着迁移率^增大，反馈量AV增大，并且漏源电流Ids 的减小量增大。因此，如果根据驱动晶体管22的漏源电流Ids对栅源电压Vgs施加具有 反馈量AV的负反馈，那么漏源电流Ids的电流值在迁移率彼此不同的像素之 中是一致的。结果，可以校正迁移率在各像素中的漂移。因此，根据流经驱 动晶体管22的电流(即，根据漏源电流Ids)对驱动晶体管22的栅源电压Vgs 施加具有反馈量AV的负反馈的处理是迁移率校正处理。
这里，参考图9A 9C，依据是否在图2中所示的像素或像素电路20中 执行阈值校正和迁移率校正，描述图像信号的信号电压Vsig和驱动晶体管22 的漏源电流Ids之间的关系。
图9A图示不执行阈值校正和迁移率校正的情况下的关系，图9B图示仅 执行阈值校正而不执行迁移率校正的另一情况下的关系，而图9C图示既执行 阈值校正又执行迁移率校正的又一情况下的关系。如图9A中所示，当没有 执行阈值校正和迁移率校正时，由于像素A和B之间阔值电势Vth和迁移率 p的漂移，漏源电流Ids在像素A和B之间非常不同。
相反，如图9B中看到的那样，在仅执行阈值校正的情况下，虽然可以将 漏源电流Ids的漂移减小至某种程度，但是由于像素A和B之间迁移率p的 漂移而产生的漏源电流Ids在像素A和B之间的差异仍然存在。然后，如图 9C中看到的那样，如果既执行阈值校正又执行迁移率校正，那么由于每个像 素A和B的迁移率p的漂移而产生的漏源电流Ids在像素A和B之间的差异 几乎可以被消除。因此，以任何等级(gradation)都不会出现有机EL元件21 之中的亮度漂移，并且可以获得良好画质的显示图像。
进一步，由于图2中所示的像素20除了具有针对阈值校正和迁移率校正 的校正功能之外，还具有上述存储电容器24的自举操作的功能，因此可以实 现以下的操作和效果。
具体地，即使驱动晶体管22的源极电势Vs与有机EL元件21的I-V特 性的老化变化一起改变，通过存储电容器24的自举操作也可以使驱动晶体管 22的栅源电压Vgs保持固定。因此，流经有机EL元件21的电流并不改变而 是被固定。结果，由于有机EL元件21的发光亮度也保持固定，因此即使有 机EL元件21的I-V特性经历长期变化，也可以实现不受长期变化的亮度变 更影响的图像显示 像素中晶体管的特性变化的问题
顺便提及，如上文中所述，如果像素20中晶体管的特性变化，那么发光亮度变化。更具体地，如果写晶体管23的阈值电压Vth变化，那么由于写晶
体管23的导通时间段限定了信号写&迁移率校正时间段t，因此信号写&迁移 率校正时间段t变化。
如果迁移率校正时间段t变得更长，那么由于在迁移率校正时间段中出 现过校正，因此流向驱动晶体管22的电流减小，并且有机EL元件21的发 光亮度变得比初始亮度更低。相反，如果迁移率校正时间段t变得更短，那 么由于在迁移率校正时间段中出现校正不足，因此流向驱动晶体管22的电流 增大，并且有机EL元件21的发光亮度变得比初始级别更高。这样，当写晶 体管23的阈值电压Vth变化时，有机EL元件21的发光亮度变化。 本实施例的特性
因此，为了将发光亮度保持固定而不受像素中晶体管的特性变化的影响， 本实施例采取以下的配置。具体地，检测像素中晶体管的特性变化，并于基 于检测结果来控制迁移率校正时间段t。这里，也可以将迁移率校正时间段看 作为负反馈时间段或者在迁移率校正处理中施加负反馈的时间。在以下描述 中，以写晶体管23的阈值电压Vth的变化作为像素中晶体管的特性变化的示 例。
首先，当初始化时，基于以下表达式(3)设置迁移率校正时间段t: t = C(k(iVsig)......(3)
其中，k为常数并且等于(l/2)(W/L)Cox ; C是当执行迁移率校正时的放电 节点的电容，并且在图2的电路示例中，其为有机EL元件21的等效电容、 存储电容器24以及辅助电容器25的复合电容。
该迁移率校正时间段t是对所有像素公共设置的。在本实施例中，响应 于写晶体管23的阈值电压Vth的变化来控制迁移率校正时间段t。具体地， 如果写晶体管23的阈值电压Vth变得低于初始阈值电压，并且迁移率校正时 间段t变得更长，因此出现过校正以及流向驱动晶体管22的电流减小，那么 以迁移率校正时间段t变得更短的方向来对其进行调整。在迁移率校正时间 段t变得更短的情况下，对于驱动晶体管22的栅极和源极之间的电势差的负 反馈变得短于调整迁移率校正时间段t之前的该负反馈。
从而，由于可以抑制迁移率校正处理的校正量，因此流向驱动晶体管22 的电流增大，并且有机EL元件21的发光亮度增大。具体地，当由于流向驱 动晶体管22的电流减小了写晶体管23的阈值电压Vth的下降量而使得发光亮度下降时，可以通过以迁移率校正时间段t变得更短的方向对其进行调整 来校正发光亮度的下降量。
相反，如果写晶体管23的阈值电压Vth从初始阈值电压增大，并且迁移 率校正时间段t变得更短，因此出现校正不足以及流向驱动晶体管22的电流 增大，那么以迁移率校正时间段t变得更长的方向来对其进行调整。在迁移 率校正时间段t变得更长的情况下，对于驱动晶体管22的栅极和源极之间的 电势差的负反馈变得长于调整迁移率校正时间段t之前的该负反馈。
从而，由于可以增大迁移率校正处理的校正量，因此流向驱动晶体管22 的电流减小，并且有机EL元件21的发光亮度下降。具体地，当由于流向驱 动晶体管22的电流增大了写晶体管23的阈值电压Vth的增量而使得发光亮 度增大时，可以通过以迁移率校正时间段t变得更长的方向对其进行调整来 校正发光亮度的增加量。结果，可以抑制由于写晶体管23的阈值电压Vth的 变化而产生的发光亮度的变化。
下面描述检测像素中晶体管的特性变化以及基于该检测结果来控制迁移 率校正时间段t的具体工作示例。 工4乍示例
图IO示出根据本发明的工作示例的有机EL显示装置IOA的总体系统配置。
参考图10，根据本工作示例的有机EL显示装置10A包含用于检测像素 中晶体管的特性变化的检测部分80。优选地，在像素阵列部分30的附近提 供检测部分80，以便以更高确定度来确定像素中晶体管的特性变化。然而， 检测部分80的排列位置不限于像素阵列部分30周围的位置，而是可以在每 个像素20中提供检测部分80。检测部分80的细节将在下文中描述。
除了检测部分80之外，有机EL显示装置10A还包含用于基于检测部分 80的检测结果来控制迁移率校正时间段t的控制部分90。在显示面板70外 部提供的控制板200上提供控制部分90。显示面板70和控制板200例如通 过柔性(flexible)板300相互电连接。虽然此处描述了在显示面板70外部提供 的控制板200上提供控制部分90,但是也可以自然地在显示面板70上提供 控制部分90。 々险测部分的配置>
图11示出检测部分80的配置的示例。参考图11，所示检测部分80包含电阻元件81、第一和第二晶体管82和83以及一对电容元件84和85。这 里，作为与像素20的对应关系，第一晶体管82对应于驱动晶体管22，第二 晶体管83对应于写晶体管23，电容元件84对应于存储电容器24。进一步， 电容元件85具有有机EL元件21的电容值与存储电容器25的电容值的复合 电容值。
具体地，检测部分80具有与像素20的电路配置相等效的电路配置，即， 具有像素模型的电路配置。在检测部分80中，第二晶体管83与写扫描电路 40的写扫描相同步地写入经由信号线86而提供至其的监控信号电压Msig。 由此写入的监控信号电压Msig被存储至电容元件84。第一晶体管82把根据 存储在电容元件84中的监控信号电压Msig的电流提供至电阻元件81。
这里，研究像素20中的晶体管的特性变化的情况。虽然在像素20中存 在驱动晶体管22和写晶体管23，但是由于以彼此相邻的关系提供晶体管22 和23，因此认为晶体管特性的变化在晶体管22和23之间是相同的。这里， 假设写晶体管23的阈值电压Vth变化。
此时，由于在像素阵列部分30的附近布置检测部分80，因此可以认为 检测部分80中的第一和第二晶体管82和83的阈值电压与写晶体管23的阈 值电压相类似地变化。然后，当第一和第二晶体管82和83的阈值电压变化 时，流向电阻元件81的电流变化。
这里，当第一和第二晶体管82和83的阈值电压等于其初始阈值电压时 流向电阻元件81的电流所对应的电压净皮预先确定为初始电压。然后，当第一 和第二晶体管82和83的阈值电压变化并且流向电阻元件81的电流变化时， ^r测与流向电阻元件81的电流相对应的电压。乂人而，；险测电压和初始电压之 间的差异为像素20中的晶体管的特性变化时的变化量。
此处注意，上述检测部分80的配置仅是示例，检测部分80可以不具有 特定配置。例如，虽然在上述示例中将根据流向电阻元件81的电流的电压变 化检测为根据像素中的晶体管的特性变化的信息，但是也可以检测流向第一 晶体管82的电流的变化。或者，也可以检测有机EL元件21的发光亮度自 身。
<控制部分的配置>
控制部分90包含时序生成块91、计数器块92、脉宽转换表存储块93 以及WSEN2脉宽转换块94。时序生成块91是脉冲产生部分，其生成用于产生写扫描电路40的写扫描信号WS(WSl WSm)的时序信号，诸如开始脉冲 st、时钟脉冲ck以及第一和第二使能脉沖WSEN1和WSEN2。第一使能脉沖 WSEN1(有时将其表示为"WSEN1脉冲")主要限定阈值校正时间段。第二使 能脉沖WSEN2(在下文中有时称作"WSEN2脉冲")主要限定信号写入和迁 移率校正时间段。
每当计数器块92计数预定时间段(例如， 一个水平时间段)时，其将触发 信号提供至时序生成块91和WSEN2脉宽转换块94。脉宽转换表存储块93 存储表示检测部分80的检测电压和迁移率校正时间段之间的对应关系(更具 体地，检测部分80的检测电压与限定迁移率校正时间段的WSEN2的脉宽之 间的关系)的转换表。
这里，根据预先执行的检测部分80的检测电压以及迁移率校正时间段的 测量结果来产生转换表，从而如图12中所示，可以将有机EL元件21的发 光亮度保持固定。此时，转换表具有像计数器块92在从WSEN2脉冲的上升 沿时序到下降沿时序的时间段内的计数值一样的WSEN2脉沖的脉宽信息。
图13图示脉宽转换表存储部分93中存储的转换表的示例。这里，作为 示例，由VO表示在写晶体管23的阈值电压Vth为其初始阈值电压情况下的 ;险测部分80的才企测电压，并且由C0表示WSEN2脉冲的脉宽。该脉宽C0 与根据初始设置的迁移率校正时间段t相对应。
进一步，由Cl表示当检测部分80的检测电压为VI时的脉宽，由C2 表示当检测部分80的检测电压为V2时的脉宽。在这种情况下，检测电压具 有V0〉 V2> VI的关系，而该情况下脉宽的关系为C0〉C2〉C1。进一步， 由C3表示当检测部分80的检测电压为V3时的脉宽，由C4表示当检测部分 80的4企测电压为V4时的脉宽。在这种情况下，才企测电压具有V4 > V3 > V0 的关系，而该情况下脉宽的关系为C4>C3>C0。
这里，检测部分80的检测电压为VI表示检测部分80的^r测电压由于 像素中晶体管的特性变化(诸如，例如阈值电压的下降)而从初始电压V0下降
了 V0-V1。检测电压的下降量仅仅是流经驱动晶体管22的电流的减小量。在 这种情况下，由于有机EL元件21的发光亮度变低了与电流的减小量相对应 的量，因此应该将WSEN2脉冲的脉宽设置得相当窄以减小迁移率校正处理 中的反馈量。
相反，抬r测部分80的检测电压为V4表示检测部分80的4企测电压由于像素中晶体管的特性变化(诸如，例如阔值电压的上升)而从初始电压V0下降
了 V4-V0。检测电压的上升量仅仅是流经驱动晶体管22的电流的增加量。在 这种情况下，由于有机EL元件21的发光亮度变得升高了与电流的增加量相 对应的量，因此应该将WSEN2脉冲的脉宽设置得相当宽以增大迁移率校正 处理中的反馈量。
WSEN2脉宽转换部分94使用脉宽转换表存储部分93中存储的转换表 来响应于像素中晶体管的特性变化而基于检测部分80的检测电压控制迁移 率校正时间段。具体地，WSEN2脉宽转换部分94从转换表获取与检测部分 80的检测电压相对应的WSEN2脉冲的脉宽信息或时间信息，并且将WSEN2 脉沖的脉宽转换为与脉宽信息相对应的脉宽。
更具体地，WSEN2脉宽转换块94基于来自计数器块92的触发信号， 定期地(例如，在每个水平时间段之后，或每个场时间段之后)从检测部分80 获取显示面板70的温度信息。然后，如果检测部分80的检测电压例如为V3, 那么WSEN2脉宽转换块94基于脉宽转换表存储块93中存储的转换表，将 与脉宽C3相对应的计数值输出至时序生成块91。从而，时序生成块91基于 从WSEN2脉宽转换块94提供至其的计数值来生成脉宽C3的WSEN2脉沖。 该WSEN2脉沖限定了写扫描信号WS的脉宽(即，信号写入和迁移率校正时 间段)。
这里，当要转换WSEN2脉冲的脉宽时，如从图14的波形图看到的那样， 最好改变WSEN2脉沖的下降沿时序，而将上升沿时序固定。这是由于在将 WSEN2脉冲的上升沿时序固定的情况下，可以将图4中的从阈值校正处理的 结束时序(t4)到信号写入的开始时序(t6)的时间段固定。
更具体地，由于迁移率校正处理的结束时序(t7)之后的发光时间段相比于 从t4到t6的时间段非常长，因此即使写扫描信号WS的下降沿时序变化并且 发光时间段变化，该变化相比于整个发光时间段也非常小。因此，即使发光 时间段由于写扫描信号WS的下降沿时序的变化而变化，迁移率校正时间段 的变化对于发光操作的影响也如同可以将其忽略那么小。另一方面，由于从 t4到t6的时间段相比于发光时间段非常短，因此由于写扫描信号WS的上升 沿时序的变化而引起的从t4到t6的时间段的变化对直至信息写入的操作的影 响不可纟皮忽略。
由于这种原因，最好改变WSEN2脉冲的下降沿时序，而将上升沿固定。注意，这仅是示例，即使在WSEN2的上升沿时序变化的情况下，可以实现
通过响应于像素中晶体管的特性变化来控制迁移率校正时间段所获得的效
果。具体地，可以将显示面板70的发光亮度保持固定，而不受像素中晶体管
的特性变化影响。
<写扫描电路的配置>
图15示出写扫描电路40的配置的示例。参考图15，写扫描电路40包 含移位寄存器41、逻辑电路块42和电平转换緩冲块43。写扫描电路40接收 由上文所述的时序生成块91生成的开始脉沖st、时钟脉沖ck以及第一和第 二使能脉冲WSEN1和WSEN2。
开始脉沖st和时钟脉沖ck输入至移位寄存器41。移位寄存器41与时钟 脉冲ck同步地连续移位或传输开始脉冲st，以便从其传输级或移位级输出移 位脉冲SP1 ~ SPm。
第一和第二使能脉沖WSEN1和WSEN2输入至逻辑电路块42。图16中 图示了第一和第二使能脉冲WSEN1和WSEN2的时序关系。如从图16的时 序波形图看到的那样，第一使能脉沖WSEN1是在1H时间段(一个水平时间 段)的前半处生成的具有相对较大脉宽的脉沖信号。第二使能脉冲WSEN2是 在1H时间段的后半处生成的具有相对较小脉宽的脉沖信号。
逻辑电路块42与移位寄存器41输出的移位脉沖SP1 ~ SPm同步地分别 输出具有处于前半部分和后半部分的第一和第二使能脉冲WSEN1和WSEN2 的脉宽的写扫描信号WS01 WS0m。写扫描信号WS01 WS0m经电平转换緩 冲块43转换以便于具有预定电平或脉冲高度，并作为写扫描信号 WS01 WS0m输出至像素阵列部分30的像素行。
如从写扫描电路40的电路配置可显而易见看到的那样，并且如上文所述 的那样，第一使能脉冲WSEN1主要限定阈值校正时间段。同时，第二使能 脉沖WSEN2主要限定信号写入和迁移率校正时间段。然后可以通过响应于 显示面板70的检测温度控制第二使能脉冲WSEN2的脉宽来调整迁移率校正 时间段。
<迁移率校正时间段的调整>
现在，参考图17,描述用于调整在具有上述配置的控制部分90的控制 下执行的迁移率校正时间段的处理过程。注意，本处理是以预定时间段(诸如 一个水平时间段或一个场时间段)的周期来执行的。首先，在步骤Sll处，控制部分90获取将要响应于像素中晶体管的特性
变化来转换的检测部分80的检测电压。然后，在步骤S12处，控制部分90 参考脉宽转换表存储部分93中存储的转换表来获取与所获取的检测电压相 对应的脉宽信息。如上文所述那样，该脉宽信息是例如从第二使能脉沖 WSEN2的上升沿时序到下降沿时序的计数器部分92的计数值。
然后，在步骤S13处，控制部分90将该脉宽信息提供至时序生成块91, 并且控制第二使能脉冲WSEN2的脉宽以调整迁移率校正时间段。这里，研 究第二使能脉沖WSEN2的脉宽至C4的调整。此时，时序生成块91促使 WSEN2脉沖在图16中的时间TO(其对应于图4的时间t6)处上升，并且促使 WSEN2脉冲在计数器块92的计数值对应于脉宽C4的计数值处下降。 修改
在本实施例的上述描述中，虽然采用像素基本包括含有驱动晶体管22 和写入晶体管23的两个晶体管的情况而在上文中描述了有机EL元件21的 驱动电路，但是本发明的应用不限于该像素配置。具体地，也可将本发明的 实施例应用于通过切换用于向驱动晶体管22提供驱动电流的电源线32的电 源电势DS来执行有机EL元件21的发光/不发光控制的像素配置。
作为示例，例如，如日本专利特许号2005-345722中公开的那样，已知 如图18中所示的包含5个晶体管(除了驱动晶体管22和写入晶体管23之夕卜， 还包含发光控制晶体管26和两个开关晶体管27和28)的这种像素20，。这里， 虽然P沟道晶体管用于发光控制晶体管26， N沟道晶体管用于开关晶体管27 和28,但是可以使用导通类型的任意组合。
发光控制晶体管26与驱动晶体管22串联地连接，并且选择性地将高电 势Vccp提供至驱动晶体管22以便执行有机EL元件21的发光/不发光控制。 开关晶体管27选择性地将基准电势Vofs提供至驱动晶体管22的栅极电极， 以便将栅极电势Vg初始化为基准电势Vofs。开关晶体管28选择性地将低电 势Vini提供至驱动晶体管22的源极电极，以便将源极电势Vs初始化为低电 势Vini。
图19图示使用五个晶体管配置的像素20，的情况下的时序波形图。在该 时序波形图中，DS表示发光控制晶体管26的选择信号，AZ1表示开关晶体 管27的控制信号，AZ2表示开关晶体管28的控制信号。
如在图19的时序波形图中看到的那样，在五个晶体管配置的像素20，的情况下，从电源电势DS的下降沿时序到写扫描信号WS的下降沿时序的时
间段变为迁移率校正时间段t。换言之，通过电源电势DS的变化时序与写扫 描信号WS的变化时序来定义迁移率校正时间段t。因此，为了实现如上所述 的本实施例的这种操作和效果，与上文描述的实施例的情况相类似地，可以 响应于检测部分80的检测电压来控制写扫描信号WS的下降沿时序。
在采用包含五个晶体管的配置作为上述另一像素配置的示例的情况下， 各种像素配置都是可能的，诸如基准电势Vofs经由信号线33提供并被写晶 体管23写入、同时省略了开关晶体管27的配置。
进一步，在上述实施例中，虽然作为示例描述了将本发明实施例应用于 有机EL显示装置(其包含作为像素20的电光元件的有机EL元件)的情况，但 是本发明实施例不限于该应用。具体地，可以将本发明应用于使用发光亮度 响应于流经该元件的电流的值而变化的电流驱动型的电光元件或发光元件 (诸如有机EL元件、LED元件或半导体激光元件)的各种显示装置。 应用
根据上述本发明实施例的显示装置可以应用于将输入至电子装置的图像 信号或者电子装置中产生的图像信号显示为图像的各种领域中电子装置的显 示装置。具体地，如图20至24A至24G中所示，根据本发明实施例的显示 装置可以应用为例如数码相机、笔记本型个人计算机、便携式终端装置(诸如， 便携式电话机)和摄像机之类的这些各种电子装置的显示装置。
通过以这种方式将根据本发明实施例的显示装置用作各种领域中电子装 置的显示装置，可以在这些各种电子装置上显示高质量的图像。具体地，如 从本发明实施例的上述描述显而易见的那样，由于根据本发明实施例的显示 装置可以将显示面板的发光亮度保持固定以便在不受像素中晶体管的特性变 化影响的情况下获得高质量的显示图像，因此可以获得高质量的显示图像。
根据本发明实施例的显示装置包含密封配置的模块类型的显示装置。例 如，显示装置可以是将玻璃等的透明对向部分粘合至像素阵列部分30的显示 模块。如刚才所提及的这种透明对向部分可以包含滤色器、保护膜等等，以 及如上文中描述的那种光阻挡膜(light blocking film)。注意，该显示模块可包 含用于从外部向像素阵列部分(反之亦然)输入及输出信号等的电路部分、柔性 印刷电路(FPC, flexible printed circuit)等等。
以下描述应用了本发明实施例的电子装置的具体示例。图20示出应用了本发明实施例的电视机。参考图20，所示电视机包含 前面板102以及由滤波镜板103形成的图像显示屏幕部分101等等，并且其 是通过使用根据本发明实施例的显示装置作为图像显示屏幕部分101来制造 的。
图21A和21B示出应用了本发明实施例的数码相机的外观。参考图21A 和21B，所示数码相机包含闪光发射部分111、显示部分112、菜单开关113、 快门按钮114等。数码相机是通过使用根据本发明实施例的显示装置作为显 示部分112来制造的。
图22示出应用了本发明实施例的笔记本型个人计算机的外观。参考图 22,所示笔记本型个人计算机包含机身121、为了输入字符等而操作的键盘 122以及用于显示图像等的显示部分123。笔记本型个人计算机是通过使用根 据本发明实施例的显示装置作为显示部分123来制造的。
图23示出应用了本发明实施例的摄像机的外观。参考图23，所示摄像 机包含机身部分131、以及在定向于前方的机身部分131的面上提供的用于 拾取图像拾取目标的图像的镜头132、图像拾取的开始/停止开关133、显示 部分134等。摄像机是通过使用根据本发明实施例的显示装置作为显示部分 134来制造的。
图24A 24G示出应用了本发明实施例的便携式终端装置(例如，便携式 电话机)的外观。参考图24A 24G，所示便携式电话机包含上侧外壳141、下 侧外壳142、合页部分形式的连接部分143、显示部分144、子显示部分145、 图片灯146、相机147等。便携式电话机是通过使用根据本发明实施例的显 示装置作为显示部分144或自显示部分145来制造的。
本申请包含涉及于2008年6月23日在日本专利局提交的日本优先权专 利申请JP 2008-162739中公开的主题，其全部内容通过引用合并与此。
本领域的技术人员应该明白，依据设备需求和其它因素，只要其在所附 权利要求或其等效的范围之内，可以发生各种修改、组合、部分组合和变更。
权利要求
1.一种显示装置，包括像素阵列部分，其配置为具有多个像素，其以矩阵的形式排列在所述像素阵列部分上，每个所述像素包含电光元件，写晶体管，用于写入图像信号，驱动晶体管，用于响应于所述写晶体管写入的图像信号来驱动所述电光元件，以及存储电容器，其连接在所述驱动晶体管的栅极电极和源极电极之间，用于存储所述写晶体管写入的图像信号，每个所述像素执行迁移率校正处理，其用于对所述驱动晶体管的栅极和源极之间的电势差施加具有根据流向所述驱动晶体管的电流而确定的校正量的负反馈；检测部分，其配置为检测所述像素中任意晶体管的特性变化；以及控制部分，其配置为基于所述检测部分的检测结果来控制迁移率校正处理时间段。
2. 如权利要求1所述的显示装置，其中，所述控制部分包含 脉冲产生部分，其配置为产生用于限定迁移率校正处理时间段的脉沖信号，并且所述控制部分通过基于所述检测部分的检测结果来调整脉冲信号的 脉宽而改变迁移率校正处理时间段。
3. 如权利要求2所述的显示装置，其中，所述控制部分通过调整用于限 定迁移率校正处理时间段的结束时序的脉沖信号的变化时序来改变迁移率校 正处理时间—险。
4.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述控制部分包含 存储部分，其配置为存储表示所述检测部分的检测结果与迁移率校正处 理时间段之间的对应关系的表，并且所述控制部分通过从所述表获取与所述 检测部分的检测结果相对应的时间段信息以及基于该时间段信息调整脉沖信 号的脉宽来改变迁移率校正处理时间段。
5. —种用于显示装置的驱动方法，所述显示装置包含像素阵列部分，其配置为具有多个像素，其以矩阵的形式排列在所述像素阵列部分上，每个所述像素包含电光元件，写晶体管，用于写入图像信号，驱动晶体管，用于响应于所述写晶体管写入的图像信号来驱动所述 电光元件，以及存储电容器，其连接在所述驱动晶体管的栅极电极和源极电极之 间，用于存储所述写晶体管写入的图像信号，每个所述像素执行迁移率校正处理，其用于对所述驱动晶体管的栅 极和源极之间的电势差施加具有根据流向所述驱动晶体管的电流而确定的校正量的负反馈，所述驱动方法包含以下步骤检测所述像素中任意晶体管的特性变化；以及 基于检测结果来控制迁移率校正处理时间段。
6. —种电子装置，包括 显示装置，包含像素阵列部分，其配置为具有多个像素，其以矩阵的形式排列在所述像素阵列部分上，每个所述像素包含电光元件，写晶体管，用于写入图像信号，驱动晶体管，用于响应于所述写晶体管写入的图像信号来驱动所述 电光元件，以及存储电容器，其连接在所述驱动晶体管的栅极电极和源极电极之 间，用于存储所述写晶体管写入的图像信号，每个所述像素执行迁移率校正处理，其用于对所述驱动晶体管的栅 极和源极之间的电势差施加具有根据流向所述驱动晶体管的电流而确定的校 正量的负反馈，检测部分，其配置为检测所述像素中任意晶体管的特性变化，以及 控制部分，其配置为基于所述检测部分的检测结果来控制迁移率校正处 理时间l爻。
7. —种显示装置，包括像素阵列部件，具有多个像素，其以矩阵的形式排列在所述像素阵列部件上，每个所述像素包含电光元件，写晶体管，用于写入图像信号，驱动晶体管，用于响应于所述写晶体管写入的图像信号来驱动所述 电光元件，以及存储电容器，其连接在所述驱动晶体管的栅极电极和源极电极之 间，用于存储所述写晶体管写入的图像信号，每个所述像素执行迁移率校正处理，其用于对所述驱动晶体管的栅 极和源极之间的电势差施加具有根据流向所述驱动晶体管的电流而确定的校正量的负反馈；检测部件，其配置为检测所述像素中任意晶体管的特性变化，以及 控制部件，其配置为基于所述检测部件的检测结果来控制迁移率校正处 理时间，殳。
全文摘要
此处公开的是显示装置，其包含像素阵列部分，其配置为具有以矩阵的形式排列在所述像素阵列部分上的多个像素，每个所述像素包含电光元件、写晶体管、驱动晶体管以及连接在所述驱动晶体管的栅极电极和源极电极之间的用于存储所述写晶体管写入的图像信号的存储电容器，每个所述像素执行迁移率校正处理，用于对所述驱动晶体管的栅极和源极之间的电势差施加具有根据流向所述驱动晶体管的电流而确定的校正量的负反馈；检测部分，其配置为检测所述像素中任意晶体管的特性变化；以及控制部分，其配置为基于所述检测部分的检测结果来控制迁移率校正处理时间段。
文档编号G09G3/32GK101615381SQ20091015032
公开日2009年12月30日 申请日期2009年6月23日 优先权日2008年6月23日
发明者三并彻雄, 内野胜秀 申请人:索尼株式会社