有机el显示装置和电子设备的制作方法

专利名称：有机el显示装置和电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及有机EL显示装置和电子设备。
背景技术：
作为平面(平板)显示装置的一个实例，存在使用具有发光亮度的电流驱动电光元件作为像素的发光部(发光元件)的显示装置，发光亮度根据流过所述元件的电流的值而变化。利用有机材料的电致发光的有机EL (电致发光)元件可作为电流驱动电光元件。 有机EL元件利用当电场施加于有机薄膜时发光的现象。使用有机EL元件作为像素发光部的典型有机EL显示装置具有以下特征。有机EL 元件可利用IOV或IOV以下的电压来驱动，因此功耗低。因为有机EL元件为自发光元件， 所以相比于液晶显示装置，影像清晰度较高。此外，因为有机EL元件不采用诸如背光的发光组件，所以可容易实现重量和厚度的减少。再者，因为有机EL元件的响应速度非常高，通常为几个微秒数量级，所以在运动影像显示期间不出现残像。有机EL显示装置可采用简单(无源)矩阵系统或者有源矩阵系统作为其驱动系统，如在液晶显示装置中。对于有源矩阵显示装置，因为电光元件在整个一个显示帧周期内连续发射光，所以相比于简单矩阵显示装置，容易实现大尺寸、高分辨率显示装置。有源矩阵有机EL显示装置使用设置在有机EL元件中的有源元件(例如，绝缘栅极场效应晶体管)来控制EL元件中流动的电流。一般使用TFT (薄膜晶体管)作为绝缘栅极场效应晶体管。即，使用TFT来配置为像素设置的有机EL元件的驱动电路(像素电路)。更具体地，每个像素的驱动电路均包括写入晶体管，用于写入视频信号的信号电压；存储电容器，用于存储由写入晶体管写入的信号电压；以及驱动晶体管，用于响应于由存储电容器存储的电压，驱动有机EL元件(见，例如日本未审查专利申请公开案第 2007-310311号)。为了补偿有机EL元件的电容组件的不足，可为每个像素设置辅助电容器 (见，例如日本未审查专利申请公开案第2009-047764号)。再者，取决于像素电路的配置， 还存在晶体管和电容元件数目进一步增加的情况(见，例如日本未审查专利申请公开案第 2006-133542 号)。

发明内容
如上所述，在有机EL显示装置中，通常为每个像素均设置至少一个电容元件(存储电容器)，以及在一些情况下，为每个像素设置两个或者两个以上电容元件。如上所述，保留具有一定大小的布局区域以形成电容元件。因此，当组成像素的驱动电路的电容元件全部形成在基板(TFT基板)上时，单独像素的布局区域增加，从而阻碍形成较高分辨率显示
直ο因此，需要提供允许利用像素的减少的布局区域来形成电容元件的有机EL显示装置以及具有所述有机EL显示装置的电子设备。本发明的一实施方式提供包括为各自像素设置的有机EL元件的配置。各个有机
4EL元件具有其间设置有机层的第一电极和第二电极，以及具有对发光做出贡献的区和不对发光做出贡献的区。电容器形成在不对发光做出贡献的区中的第一电极和第二电极之间， 并且被用作有机EL元件的驱动电路中的电容元件。在具有上述配置的有机EL显示装置中，每个有机EL元件通常具有包括发光层的有机层设置在两个电极之间的结构。当直流电压施加在有机EL元件中的两个电极之间时， 来自两个电极的空穴和电子被注入到发光层中，使得发光层中的荧光分子进入激发状态。 在激发分子释放过程期间，发射光。从中提取光的部分作为有机EL元件的发光部。S卩，有机EL元件具有对发光做出贡献的区(发光部)和不对发光做出贡献的区。在对发光做出贡献的区中，由于其间插入有机层的两个电极彼此相对，所以电容组件存在于所述两个电极之间。电容组件提供有机EL元件的等效电容器。在不对发光做出贡献的区中，当两个电极被制成彼此相对时，也可在它们之间形成电容器。在该情况下， 电容器大小(电容值)根据两个电极的相对面积、两个电极之间距离以及插入在两个电极之间的电介质的介电常数确定。当形成在不对发光做出贡献的区中的两个电极之间的电容器被用作有机EL元件的驱动电路中的电容元件时，形成电容元件的区域可减少或者消除。 从而，像素的布局区域可减少。根据本发明，使用形成在不对发光做出贡献的区中的两个电极之间的电容器作为有机EL元件的驱动电路中的电容元件，可减少每个像素的布局区域。这可实现有机EL显示装置的较高分辨率。


图1为示出本发明的实施方式适用的有源矩阵有机EL显示装置的配置全貌的系统方块图；图2为示出一个像素(像素电路)的具体电路配置实例的电路图；图3为示出本发明的实施方式适用的有机EL显示装置的基本电路操作的时序波形图；图4A至图4D为示出本发明的实施方式适用的有机EL显示装置的基本电路操作的图(部分1)；图5A至图5D为示出本发明的实施方式适用的有机EL显示装置的基本电路操作的图(部分2)；图6A为示出由于驱动晶体管的阈值电压变动而导致的问题的曲线图，以及图6B 为示出由于驱动晶体管的迁移率变动而导致的问题的曲线图；图7为示出典型有机EL元件结构的示意平面图；图8为沿图7线VIII-VIII截取的截面图；图9为示出根据第一实施方式的有机EL元件结构的示意平面图；图10为沿图9中的X-X线截取的截面图；图IlA和图IlB为电路图，各示出形成在不对发光做出贡献的区中的电容器被用作有机EL元件的驱动电路中的电容元件的等效电路；图12为示出根据第二实施方式的有机EL元件结构的示意平面图；图13示出沿图12中的XIII-XIII线截取的截面图14为示出根据第三实施方式的有机EL元件结构的示意平面图；图15为沿图14中的XV-XV线截取的截面图；图16为示出根据第四实施方式的有机EL元件结构的示意平面图；图17为沿图16中的XVII-XVII线截取的截面图；图18为示出本发明的实施方式适用的电视机外观的透视图；图19A和图19B分别为示出本发明的实施方式适用的数码相机外观的前透视图和后透视图；图20为示出本发明的实施方式适用的个人笔记本电脑外观的透视图；图21为示出本发明的实施方式适用的摄影机外观的透视图；以及图22A至图22G为本发明适用的移动电话的外部视图，图22A为移动电话打开时的前视图，图22B为其侧视图，图22C为移动电话合上时的前视图，图22D为左视图，图22E 为右视图，图22F为俯视图，以及图22G为仰视图。
具体实施例方式下文将参考附图对执行本发明的模式(下文中称为“实施方式”)作详细描述。下文以下列顺序描述1.本发明的实施方式适用的有机EL显示装置1-1.系统配置1-2.基本电路操作1-3.包括在像素中的电容元件的不足2.实施方式2-1.典型有机EL元件的结构2-2.第一实施方式的有机EL元件的结构2-3.第二实施方式的有机EL元件的结构2-4.第三实施方式的有机EL元件的结构2-5.第四实施方式的有机EL元件的结构3.应用实例4.电子设备<1.本发明的实施方式适用的有机EL显示装置〉[1-1.系统配置]图1为示出本发明的实施方式适用的有源矩阵有机EL显示装置的配置全貌的系统方块图。 在有源矩阵有机EL显示装置中，设置在与设置有机EL元件(它们为电流驱动电光元件)的像素相同的像素中的有源元件(例如，绝缘栅极场效应晶体管)控制有机EL元件中流动的电流。绝缘栅极场效应晶体管通常由TFT(薄膜晶体管)实施。
如图1所示，根据本应用实例的有机EL显示装置10具有包括有机EL元件的像素20 ；像素阵列部30，其中像素20以二维方式排列在矩阵中；以及设置在像素阵列部30 附近的驱动电路部。驱动电路部包括写入扫描电路40、电源扫描电路50、信号输出电路60 等，以驱动像素阵列部30中的像素20。
当有机EL显示装置10为彩色显示装置时，用作形成彩色图像的单元的单个像素 (单位像素)由多个子像素组成，该单个像素对应于图1所示的像素20。更具体地，在彩色显示装置中，一个像素由三个子像素组成，例如，用于发射红(R)光的子像素、用于发射绿 (G)光的子像素和用于发射蓝(B)光的子像素。然而，一个像素并不限于具有包括RGB的三原色的子像素的组合。即，可进一步将另一颜色子像素或者其他颜色子像素添加到三原色子像素，以组成单个像素。更具体地，例如，为了提高亮度，可添加发射白(W)光的子像素以组成单个像素，或者为了增加色彩重现范围，可添加至少一个发射互补色的子像素，以组成单个像素。关于以m行Xn列排列在像素阵列部30中的像素20，扫描线31(311至31111)和电源线32(3 至32J沿行方向(即，在像素行中的像素20排列的方向上)排列在相对应像素行中。再者，关于以m行Xn列排列的像素20，信号线33(331至33 )沿列方向(S卩，在像素列中的像素20排列的方向上)排列在相对应像素列中。扫描线至31m连接至写入扫描电路40的相对应行输出端。电源线3 至3 连接至电源扫描电路50的相对应行输出端。信号线33i至3 连接至信号输出电路60的相对应列输出端。一般地，像素阵列部30设置在诸如玻璃基板的透明绝缘基板上。因此，有机EL显示装置10具有平板结构。像素阵列部30中的像素20的驱动电路可使用非晶硅TFT或者低温多晶硅TFT来制造。当使用低温多晶硅TFT时，写入扫描电路40、电源扫描电路50和信号输出电路60也可设置在包括在像素阵列部30中的显示面板(板)70上，如图1所示。写入扫描电路40包括与时钟脉冲ck同步地相继移位(转移)开始脉冲sp的移位寄存器电路等。在将视频信号的信号电压写入到像素阵列部30中的像素20期间，写入扫描电路40将写入扫描信号WS (WS1至WSm)相继供应给相对应扫描线31 Gl1至31m)，从而针对各个行相继扫描像素阵列部30中的像素20 (即，行顺序扫描)。电源扫描电路50包括与时钟脉冲ck同步地相继移位开始脉冲sp的移位寄存器电路等。与由写入扫描电路40执行的行顺序扫描同步，电源扫描电路50将电源电位DS (DS1 至DSm)供应给相对应电源线32 (3 至32m)。各个电源电位DS可在第一电源电位V。。p与第二电源电位Vini之间切换，第二电源电位Vini低于第一电源电位V。。p。通过电源电位DS的电源电位V。。p与Vini之间的切换，控制像素20的发光和不发光。信号输出电路60选择性地输出对应于从信号供应源(未示出)供应的亮度信息的视频信号的信号电压Vsig以及参考电压V。fs。参考电压Vtrfs用作视频信号的信号电压 Vsig(例如，对应于视频信号的黑电平的电压)的参考电位，并且被用于阈值校正处理(下文所述)。对于通过写入扫描电路40的扫描选择的各个像素行，从信号输出电路60选择性地输出的信号电压Vsig和参考电位V。fs通过信号线33 (33!至33n)写入到像素阵列部30中的相对应像素20。即，信号输出电路60具有行顺序写入驱动系统，用于写入各个行的信号电压Vsig。(像素电路)图2为示出一个像素(像素电路)20的具体电路配置实例的电路图。像素20具有包括有机EL元件21的发光部，有机EL元件21为电流驱动电光元件。有机EL元件21具有根据流过器件的电流的值而改变的发光亮度。如图2所示，除了有机EL元件21，像素20还包括驱动电路，用于通过使电流流至有机EL元件21来驱动有机EL元件21。有机EL元件21具有连接至共用电源线34的阴极电极，所述共用电源线34连接至所有像素20 (该连接可被称为“共用接线”)。用于驱动有机EL元件21的驱动电路具有驱动晶体管22、写入晶体管23、存储电容器M和辅助电容器25。驱动晶体管22和写入晶体管23可由η沟道TFT实施。然而，所示驱动晶体管22和写入晶体管23的导电类型组合仅仅是一个实例，并且导电类型组合并不限于此。驱动晶体管22的第一电极(源极/漏极电极)连接至有机EL元件21的阳极电极，以及驱动晶体管22的第二电极(漏极/源极电极)连接至电源线32(3 至32m)中相对应的一个。写入晶体管23的第一电极(源极/漏极电极)连接至信号线33(331至33 )中相对应的一个，以及写入晶体管23的第二电极(漏极/源极电极)连接至驱动晶体管22的栅极电极。写入晶体管23的栅极电极连接至扫描线31(311至31 1)中相对应的一个。驱动晶体管22和写入晶体管23的表达“第一电极”指电连接至源极/漏极区的金属线，以及表达“第二电极”指电连接至漏极/源极区的金属线。取决于第一电极和第二电极之间的电位关系，第一电极作为源极电极或者漏极电极，或者第二电极也作为漏极电极或者源极电极。存储电容器M的第一电极连接至驱动晶体管22的栅极电极，以及存储电容器M 的第二电极连接至驱动晶体管22的第一电极以及有机EL元件21的阳极电极。辅助电容器25的第一电极连接至有机EL元件21的阳极电极，以及辅助电容器25 的第二电极连接至共用电源线34。如合适，可设置辅助电容器25，以补偿有机EL元件21 的电容不足以及增加与存储电容器M有关的视频信号的写入增益。即，辅助电容器25为任意元件，并且当有机EL元件21的等效电容器足够大时可被去除。 在该情况下，虽然辅助电容器25的第二电极连接至共用电源线34，但是所述辅助电容器25的第二电极可连接至固定电位处的节点，而不是共用电源线34。辅助电容器25 的第二电极连接至固定电位处的节点，使得可补偿有机EL元件21的电容不足，以及也使得可实现与存储电容器M有关的视频信号的写入增益增加。响应于通过扫描线31从写入扫描电路40供应给写入晶体管23的栅极电极的高 (即，有源)写入扫描信号WS，在具有上述配置的像素20中的写入晶体管23进入导电状态。 写入晶体管23然后对视频信号(对应于亮度信息)的信号电压Vsig或者通过信号线33从信号输出电路60供应的参考电位V。fs进行采样，然后将采样的信号电压Vsig或者参考电位 Vtrfs写入到所述像素20。写入的信号电压Vsig或者参考电压Vtrfs施加于驱动晶体管22的栅极电极，并且还由存储晶体管M存储。当电源线32 (32!至32m)中对应的一个电源线的电源电位DS为第一电源电位Vccp 时，驱动晶体管22操作在饱和区中，其中，其第一电极作为漏极电极以及其第二电极作为源极电极。因此，响应于从电源线32供应的电流，驱动晶体管22通过将驱动电流供应给有机EL元件21来驱动有机EL元件21发光。更具体地，通过操作在饱和区中，驱动晶体管22 将具有与由存储电容器M存储的信号电压Vsig的电压值对应的电流值的驱动电流供应给有机EL元件21。该驱动电流促使驱动有机EL元件21发光。当电源电位DS从第一电源电位V。。p切换为第二电源电位Vini时，驱动晶体管22作为切换晶体管操作，其中，其第一电极作为源极电极以及其第二电极作为漏极电极。通过切换操作，驱动晶体管22停止将驱动电流供应给有机EL元件21，以使所述有机EL元件21进入不发光状态。即，驱动晶体管22还具有用于控制有机EL元件21的发光和不发光的晶体管的功能。驱动晶体管22执行切换操作以提供有机EL元件21不发光的周期(不发光周期)， 从而使得可控制所述有机EL元件21的发光周期和不发光周期之(占空)比。通过占空控制，可减少整个一个显示帧周期中像素20发光所涉及的残像。因此，具体地，可进一步提高运动图像的图像品质。第一电源电位Nccp为通过电源线32从电源扫描电路50选择性供应的第一电源电压和第二电源电压v。。p和Vini的电源电位，用于将驱动有机EL元件21发光的驱动电流供应给驱动晶体管22。第二电源电位Vini为用于反向偏置有机EL元件21的电源电位。第二电源电位Vini设定为低于参考电压V。fs。例如，第二电源电位Vini设定为低于V。fs-Vth的电位， 优选地，设定为足够低于V。fs-Vth的电位，其中，Vth表示驱动晶体管22的阈值电压。[1-2.基本电路操作]接着，将参考图3所示的时序波形图和图4A至图5D所示的操作图对具有上述配置的有机EL显示装置10的基本电路操作进行描述。为了简化说明，在图4A至图5D所示的操作图中，写入晶体管23由开关符号表示。有机EL元件21的等效电容器25也被示出。图3的时序波形图示出扫描线31的电位(写入扫描信号)WS变化、电源线32的电位(电源电位)DS变化、信号线33的电位(Vsig/V。fs)变化以及驱动晶体管22的栅极电位 Vg变化和源极电位Vs变化。(先前显示帧的发光周期)在图3的时序波形图中，在时刻tn之前的周期为先前显示帧的有机EL元件21的发光周期。在先前显示帧的发光周期中，电源线32的电位DS为在第一电源电位(下文中称为“高电位” )Vccp处，并且写入晶体管23处于非导通状态。驱动晶体管22被设计为使得此刻它操作在其饱和区中。因此，如图4A所示，对应于驱动晶体管22的栅极-源极电压Vgs的驱动电流(漏极-源极电流)Ids通过驱动晶体管 22从电源线32供应给有机EL元件21。从而，有机EL元件21发射具有与驱动电流Ids的电流值对应的亮度的光。(阈值校正准备周期)在时刻tn处，操作进入行顺序扫描的新显示帧(当前显示帧)。如图4B所示，电源线32的电位DS从高电位V。。p切换为第二电源电位(下文中称为“低电位”)Vini，第二电源电位Vini相对于信号线33的参考电位V。fs足够低于V。fs-Vth。假设Vthel为有机EL元件21的阈值电压，以及假设Veath为共用电源线34的电位 (阴极电位)。在该情况下，当假设低电位Vini满足Vini < Vthel+Vcath时，驱动晶体管22的源极电位Vs几乎等于低电位Vini。因此，有机EL元件21进入反向偏置状态，并且停止发光。接着，在时刻t12处，扫描线31的电位WS从低电位侧向高电位侧切换，使得写入晶体管23进入导通状态，如图4C所示。此刻，因为参考电位V。fs从信号输出电路60供应给信号线33，所以驱动晶体管22的栅极电位Vg作为参考电位V。fs。驱动晶体管22的源极电位Vs等于足够低于参考电位V。fs的电位Vini，即，等于低电位Vini。此刻，驱动晶体管22的栅极-源极电压Vgs等于V。fs_Vini。在该情况下，除非V。fs_Vini 足够大于驱动晶体管22的阈值电压Vth，否则很难执行下文所述的阈值校正处理。因此，执行设定，以满足由V。fs-Vini > Vth表达的电位关系。通过将驱动晶体管22的栅极电位Vg固定(设定)为参考电位V。fs以及将源极电位入固定为低电位Vini的初始化处理为执行下文所述的阈值校正处理(阈值校正操作)之前的准备处理(阈值校正准备)。因此，参考电位ν-和低电位Vini用作驱动晶体管22的栅极电位Vg和源极电位Vs的初始化电位。(阈值校正周期)接着，在时刻t13处，电源线32的电位DS从低电位Vini切换为高电位V。。p，如图4D 所示，并且开始阈值校正处理，同时驱动晶体管22的栅极电位Vg保持在参考电压V。fs处。 即，驱动晶体管22的源极电位Vs开始朝着通过从栅极电位Vg减去驱动晶体管22的阈值电压Vth获得的电位增加。本文中，为了便于描述，参考驱动晶体管22的栅极电位Vg的初始化电位V。fs，朝着通过从初始化电位V-减去驱动晶体管22的阈值电压Vth获得的电位改变源极电位Vs的处理被称为“阈值校正处理”。当阈值校正处理进行时，驱动晶体管22的栅极-源极电压最后稳定到所述驱动晶体管22的阈值电压Vth。对应于阈值电压Vth的电压由存储电容器M存储。在执行阈值校正处理的周期中(即，在阈值校正周期中)，共用电源线34的电位 Vcath被设定为使得有机EL元件21进入截止状态，以促使电流流至存储电容器M并且防止电流流至有机EL元件21。接着，在时刻t14处，扫描线31的电位WS向低电位侧切换，使得写入晶体管23进入非导通状态，如图5A所示。此刻，驱动晶体管22的栅极电极与信号线33电气断开，使得所述驱动晶体管22的栅极电极进入浮动状态。然而，因为栅极-源极电压Vgs等于驱动晶体管22的阈值电压Vth，所以所述驱动晶体管22处于截止状态。因此，几乎没有漏极-源极电流Ids流至驱动晶体管22。(信号写入&迁移率校正周期)接着，在时刻t15处，如图5B所示，信号线33的电位从参考电位V。fs切换为视频信号的信号电压Vsig。随后，在时刻、6处，扫描线31的电位WS向高电位侧切换，使得写入晶体管23进入导通状态，如图5C所示，以对视频信号的信号电压Vsig进行采样并且将所述信号电压Vsig写入到像素20。当写入晶体管23写入信号电压Vsig时，驱动晶体管22的栅极电位Vg变为等于信号电压vsig。当利用视频信号的信号电压Vsig驱动驱动晶体管22时，驱动晶体管22的阈值电压Vth与对应于由存储电容器M存储的阈值电压Vth的电压相互抵消。下文描述阈值对消原理的细节。此刻，有机EL元件21处于截止状态(高阻抗状态)。因此，根据视频信号的信号电压Vsig从电源线32流至驱动晶体管22的电流(漏极-源极电流Ids)流至有机EL元件 21的等效电容器和辅助电容器25。从而，开始给有机EL元件21的等效电容器和辅助电容器25充电。由于有机EL元件21的等效电容器和辅助电容器25的充电，随着时间推移，驱动晶体管22的源极电位Vs增加。因为像素的驱动晶体管22的阈值电压Vth变动在此刻已经被抵消，所以驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids取决于所述驱动晶体管22的迁移率μ。 驱动晶体管22的迁移率μ是指包括在驱动晶体管22的沟道中的半导体薄膜的迁移率。现在假设，由存储电容器M存储的电压Vgs与视频信号的信号电压Vsig之比(该比被称为“写入增益G”)为1(理想值)。在该情况下，驱动晶体管22的源极电位入增加为由Vrfs-Vth+Δ V表达的电位，使得所述驱动晶体管22的栅极-源极电压Vgs达到由 Vsig-V。fs+Vth_AV 表达的值。S卩，驱动晶体管22的源极电位Vs的增加Δ V作用使得它被从由存储电容器M存储的电压(Vsig-V。fs+Vth)减去，即，使得存储电容器M中的电荷被放电。换言之，对应于源极电位Vs的增加Δν的负反馈施加于存储电容器M。因此，源极电位\的增加Δν对应于负反馈量。当具有与流至驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids对应的反馈量Δ V的负反馈以上述方式施加于栅极-源极电压Vgs时，可消除驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids对迁移率μ的依赖。消除对迁移率μ依赖的处理为迁移率校正处理，用于校正单独像素的驱动晶体管22的迁移率μ变动。更具体地，写入到驱动晶体管22的栅极电极的视频信号的信号幅值Vin(= Vsig-Vofs)越高，漏极-源极电流Ids越大。从而，负反馈量Δν的绝对值也增加。因此，根据发光亮度电平执行迁移率校正处理。当视频信号的信号幅值Vin为恒定时，随着驱动晶体管22的迁移率μ增加，负反馈量ΔΥ的绝对值也增加。从而，单独像素的迁移率μ变动可减少或者消除。即，负反馈量Δ V也可被称为“迁移率校正处理的校正量”。下文描述迁移率校正原理的细节。(发光周期)接着，在时刻t17处，扫描线31的电位WS向低电位侧切换，使得写入晶体管23进入非导通状态，如图5D所示。因此，驱动晶体管22的栅极电极与信号线33电气断开，使得所述驱动晶体管22的栅极电极进入浮动状态。在该情况下，当驱动晶体管22的栅极电极处于浮动状态时，因为存储电容器M连接在驱动晶体管22的栅极与源极之间，所以栅极电位Vg也连同驱动晶体管22的源极电位 Vs变动一起变化。驱动晶体管22的栅极电位Vg连同源极电位Vs变动一起变化的操作在本文中称为由存储电容器M执行的“自举升压操作”。在驱动晶体管22的栅极电极进入浮动状态的同时，驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids开始流至有机EL元件21，使得响应于漏极-源极电流Ids，有机EL元件21的阳极电位增加。当有机EL元件21的阳极电位超过Vthel+V。ath时，驱动电流开始流至所述有机EL元件21，从而促使所述有机EL元件21开始发光。有机EL元件21的阳极电位增加是由于驱动晶体管22的源极电位Vs增加。当驱动晶体管22的源极电位Vs增加时，存储电容器M 的自举升压操作促使驱动晶体管22的栅极电位Vg连同源极电位Vs —起增加。当假设自举升压增益为1 (理想值)时，栅极电位Vg的增加量等于源极电位Vs的增加量。因此，在发光周期中，驱动晶体管22的栅极-源极电压Vgs被恒定地保持在 Vsig_V。fs+Vth-A V处。在时刻t18处，信号线33的电位从视频信号的信号电压Vsig切换为参考电压Vrfs。在上述系列电路操作中，在一个水平扫描周期(IH)中执行阈值校正准备、阈值校正、信号电压Vsig写入(信号写入)和迁移率校正的处理操作。在时刻t16至时刻t17的周期中并行执行信号写入和迁移率校正的处理操作。(分割阈值校正)虽然以上已经描述使用仅执行一次阈值校正处理的驱动方法的实例，但是所述驱动方法仅仅为一个实例，并且并不限于此。例如，还可采用执行所谓“分割阈值校正”的驱动方法。在分割阈值校正中，除了迁移率校正处理连同阈值校正处理一起执行的IH周期之外，在该IH周期之前，以分割方式多次(在多个水平扫描周期中)执行信号写入处理和阈值校正处理。利用分割阈值校正的驱动方法，即使由于较高分辨率的像素数目增加，分配给一个水平扫描周期的时间减少，在阈值校正周期的多个扫描周期中也可保证足够时间量。因此，因为即使分配给一个水平扫描周期的时间减少，也可保证足够时间量作为阈值校正周期，所以可容易地执行阈值校正处理。[阈值对消(cancellation)原理]现在将描述驱动晶体管22的阈值对消(即，阈值校正)原理。因为驱动晶体管22 被设计为操作在饱和区中，所以它作为恒定电流源操作。因此，一定量的漏极-源极电流 (驱动电流)Ids从驱动晶体管22流至有机EL元件21，并且由Ids= (1/2) · μ (ff/L) Cox (Vgs-Vth)2(1)给出，式中，W表示驱动晶体管22的沟道宽度，L表示沟道长度，以及乙表示每单位区域的栅极电容。图6A为示出驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids对栅极-源极电压Vgs特性的曲线图。如图6A的曲线图所示，如果不对各个单独像素中的驱动晶体管22的阈值电压Vth 变动执行对消处理(校正处理)，那么当所述阈值电压Vth为Vthl时，对应于栅极-源极电压 Vgs的漏极-源极电流Ids变为Idsl。相比之下，当阈值电压Vth为Vth2 (Vth2 > Vthl)时，对应于同一栅极-源极电压Vgs的漏极-源极电流Ids变为Ids2 (Ids2 < Idsl)。即，当驱动晶体管22的阈值电压Vth变化时，即使栅极-源极电压Vgs为恒定，漏极-源极电流Ids也变化。另一方面，在具有上述配置的像素(像素电路)20中，在发光期间驱动晶体管22 的栅极-源极电压Vgs由Vsig-V。fs+Vth- Δ V表达，如上所述。因此，将该表达式代替上述等式 ⑴中，生成由Ids = (1/2) · μ (ff/L) Cox (Vsig-Vofs-Δ V)2(2)给出的漏极-源极电流Ids。即，驱动晶体管22的阈值电压Vth项被对消，使得从驱动晶体管22供应给有机EL 元件21的漏极-源极电流Ids不取决于所述驱动晶体管22的阈值电压Vth。因此，即使由于驱动晶体管22制造过程中的变动、老化等导致各个像素的驱动晶体管22的阈值电压Vth 变化，漏极-源极电流Ids也不变化。因此，有机EL元件21的发光亮度可保持恒定。
[迁移率校正原理]接着将描述驱动晶体管22的迁移率校正原理。图6B为示出驱动晶体管22的迁移率μ相对较大的像素A与驱动晶体管22的迁移率μ相对较小的像素B之间比较的特性曲线的曲线图。当驱动晶体管22由多晶硅TFT等实施时，出现像素的迁移率μ变动，诸如像素A和像素B中的迁移率μ变动。现将描述当像素A和像素B的迁移率μ有变动时在相同电平处的信号幅值Vin( = Vsig-Vofs)被写入到像素A和像素B的驱动晶体管22的栅极电极的实例。在该情况下，如果不对迁移率μ执行校正，那么流过具有较大迁移率μ的像素A的漏极-源极电流Idsl‘与流过具有较小迁移率μ的像素B的漏极-源极电流Ids2‘之间出现较大差异。当由于像素的迁移率y变动而导致像素中的漏极-源极电流间出现较大差异时，屏幕上的均勻性受损。如从由上述等式(1)给出的晶体管特性明显看出，随着迁移率μ增加，漏极-源极电流Ids增加。因此，随着迁移率μ增加，负反馈量Δν增加。如图6Β所示，具有较大迁移率μ的像素A中的负反馈量AV1大于具有较小迁移率μ的像素B中的负反馈量AV2。因此，当执行迁移率校正处理，使得具有与驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids对应的反馈量△ V的负反馈施加于栅极-源极电压Vgs时，随着迁移率μ增加，施加更大负反馈量。因此，可抑制像素的迁移率μ变动。更具体地，当对具有大迁移率μ的像素A执行对应于负反馈量M1的校正时，漏极-源极电流IdsWIdsl'显著减少到Idsl。另一方面，因为具有小迁移率μ的像素B中的反馈量AV2小，所以漏极-源极电流IdsWIds2‘减少到Ids2并且所述减少量并不很大。因此，像素A中的漏极-源极电流Idsl和像素B中的漏极-源极电流Ids2变为基本上彼此相等，使得像素的迁移率μ变动得到校正。总之，当具有不同迁移率μ的像素A和B存在时，具有大迁移率μ的像素A中的反馈量AV1大于具有小迁移率μ的像素B中的反馈量AV2。即，像素的迁移率μ越大， 反馈量Δ V越大，并且漏极-源极电流Ids的减少量也越大。因此，由于将具有与驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids对应的反馈量Δ V的负反馈施加于栅极-源极电压Vgs，所以具有不同迁移率μ的像素的漏极-源极电流Ids的电流值变为彼此相等。因此，可校正像素的迁移率μ变动。即，迁移率校正处理是将具有与流至驱动晶体管22的电流(漏极-源极电流Ids)对应的反馈量AV(校正量)的负反馈施加于所述驱动晶体管22的栅极-源极电压Vgs(即，施加于存储电容器24)的处理。[1.3.包括在像素中的电容元件的不足]在本发明的实施方式适用的上述有机EL显示装置10中，有机EL元件21的驱动电路(像素电路)包括驱动晶体管22、写入晶体管23、存储电容器M和辅助电容器25。 即，对于各个像素，驱动电路具有两个电容元件，即存储电容器M和辅助电容器25。如上所述，保留具有一定尺寸的布局区域，以形成电容元件。因此，当包括在像素的驱动电路中的电容元件(具体地，在本应用实例中为存储电容器M和辅助电容器25)全部形成于TFT基板上时，单独像素的布局区域增加，因此，使得很难实现显示装置的较高密度。<2.实施方式〉
13
通常，有机EL元件21具有包括发光层的有机层设置在两个电极(即，阳极电极和阴极电极)之间的结构(下文描述该结构的细节)。在有机EL元件21中，当两个电极之间施加直流电压时，来自阳极电极的空穴和来自阴极电极的电子被注入到发光层中，使得所述发光层中的荧光分子进入激发状态。在激发分子释放过程中，发射光。提取光的部分作为所述有机EL元件21的发光部。即，有机EL元件21具有对发光做出贡献的区(发光部)和不对发光做出贡献的区。在对发光做出贡献的区中，其间插入有机层的两个电极彼此相对。因此，使用有机层作为电介质的电容组件形成在两个电极之间。电容组件提供有机EL元件21的等效电容器。在不对发光做出贡献的区中，当两个电极被制成彼此相对时，电容器也可形成在它们之间。在该情况下，电容器大小(电容值)根据两个电极的相对面积、两个电极之间距离以及插入在两个电极之间的电介质的介电常数来判定。形成在不对发光做出贡献的区中的两个电极之间的电容器被用作有机EL元件21 的驱动电路中的电容元件，使得与形成电容元件的布局区域对应的区域可减少或者消除。 换言之，可利用各个像素20的减少布局区域来形成电容元件。使用形成在不对发光做出贡献的区中的两个电极之间的电容器作为有机EL元件 21的驱动电路中的电容元件，可减少各个像素20的布局区域。这可实现有机EL显示装置 10的较高分辨率。下文描述电容器形成于不对发光做出贡献的区中的两个电极之间的具体实施方式
。[2-1.典型有机EL元件的结构]首先，现将参考图7和图8描述典型有机EL元件21x的结构。图7为示出典型有机EL元件21x结构的示意平面图，除了阴极电极和有机层。图8为沿图7线VIII-VIII截取的截面图。图8中，有机EL元件21x的驱动电路(未示出)形成于透明绝缘基板上，例如，玻璃基板71。形成包括TFT的驱动电路的玻璃基板71 一般被称为“TFT基板”。绝缘平坦化膜72设置在TFT基板71上以使所述TFT基板71平坦化。在绝缘平坦化膜72上为各个像素设置有机EL元件21x的阳极电极211。阳极电极211通过形成于绝缘平坦化膜72中的接触孔73电连接至TFT基板71上的驱动电路，具体地，连接至图2所示的驱动晶体管22的源极电极。窗口绝缘膜74堆叠在绝缘平坦化膜72上。窗口绝缘膜74在其中具有凹陷部74A， 有机EL元件21x设置在该凹陷部74A中。有机EL元件21x由设置在窗口绝缘膜74的凹陷部74a底部的阳极电极211、形成于阳极电极211上的有机层212和形成于有机层212上的阴极电极213(其由所有像素共用)组成。通常，通过将空穴传输层/空穴注入层、发光层、电子传输层和电子注入层(未示出)相继沉积在阳极电极211上来形成有机层212。通过由图2所示的驱动晶体管22执行的电流驱动，电流通过阳极电极211从驱动晶体管22流至有机层212，使得电子和空穴在有机层212中的发光层中重新耦合在一起，从而发光。在有机EL元件2Ix中，有机层212直接夹置在阳极电极211与阴极电极213之间的区为对发光做出贡献的区，即，发光部。阳极电极211形成在发光部分的区以及包括接触孔73的区中，并且不形成在不对发光做出贡献的区中。
[2-2.第一实施方式的有机EL元件结构]现在将参考图9和图10描述根据第一实施方式的有机EL元件21A结构。图9为示出根据第一实施方式的典型有机EL元件21a结构的示意平面图，除了阴极电极和有机层。图10为沿图9中X-X线截取的截面图。在图9和图10中，与图7和图8相同的部分
由相同参考数字表示。图9和图10中，根据第一实施方式的有机EL元件21A的基本结构与上述典型有机 EL元件21a的结构大体上相同。即，根据第一实施方式的有机EL元件21a由设置在窗口绝缘膜74的凹陷部74a底部的阳极电极211、形成于阳极电极211上的有机层212和形成于有机层212上的阴极电极213 (其由所有像素共用)组成。在根据本应用实例的有机EL显示装置10中，用于发射白光的白色有机EL元件被用作有机EL元件21a，并且滤色镜(未示出)被用于获得例如RGB子像素的发光颜色。例如，白色有机EL元件可由多个RGB有机EL元件实施，更具体地，由RGB发光层与插入在它们之间的连接层堆叠在一起的串联结构有机EL元件实施。在有机EL元件2Ia中，有机层212直接夹置在阳极电极211与阴极电极213之间的区为对发光做出贡献的区，即，发光部。阳极电极211不仅形成在发光部分的区和包括接触孔73的区中，而且形成在不对发光做出贡献的区中。阳极电极211的部分(形成在不对发光做出贡献的区中的部分)在下文中被称为阳极电极211a。使用有机层212作为电介质的电容器形成在彼此相对的阳极电极211与阴极电极 213之间，其中，发光部的有机层212插入在阳极电极211与阴极电极213之间。在该情况下，电容器大小(电容值)由发光部中的阳极电极211和阴极电极213的相对面积、阳极电极211和阴极电极213之间距离以及作为电介质的有机层212的介电常数决定。形成在发光部中的电容器用作有机EL元件21a的等效电容器C。led。在根据第一实施方式的有机EL元件21A中，形成在不对发光做出贡献的区中的阳极电极211a与阴极电极213相对，其中，有机层212和窗口绝缘膜74插入在阳极电极211A 与阴极电极213之间，如从图10特别明显看出。因为阳极电极211A与阴极电极213彼此相对，有机层212和窗口绝缘膜74插入在阳极电极211a与阴极电极213之间，所以使用有机层212和窗口绝缘膜74作为电介质的电容器Csub形成在阳极电极211a与阴极电极213之间。电容器Csub大小(电容值)由阳极电极211A与阴极电极213的相对面积、阳极电极211a与阴极电极213之间距离以及用作电介质的有机层212和窗口绝缘膜74的介电常数决定。阴极电极213形成于整个像素上。阳极电极2114与发光部中的阳极电极211 — 体形成。根据上述配置，形成在发光部中的电容器，即，有机EL元件2Ia的等效电容器C。led， 与形成在不对发光做出贡献的区中的电容器Csub彼此并联电连接。S卩，如图IlA的等效电路所示，形成在不对发光做出贡献的区中的电容器Csub与有机EL元件21a的等效电容器C。led 和辅助电容器25并联连接。因此，取代辅助电容器25，形成在不对发光做出贡献的区中的电容器Csub可被用作补偿有机EL元件21a的等效电容器C。led的电容不足的电容元件。从而，辅助电容器25 可从像素20去除，换言之，对应于像素20中形成辅助电容器25的布局区域的区域可减少或者消除。这允许以像素20的减少布局区域在各个像素20中形成所需电容元件(在该实例中，为替代辅助电容器25的电容器Csub)。即使形成在不对发光做出贡献的区中的电容器Csub不完全替代辅助电容器25，电容器Csub也可被用作辅助电容器25的辅助电容元件。在该情况下，虽然形成辅助电容器25， 但是辅助电容器25大小可被减少对应于电容器Csub存在的量。因此，甚至在该情况下，各个像素20的布局区域可被减少对应于形成辅助电容器25的布局区域减少的量。如上所述，形成在不对发光做出贡献的区中的电容器Csub可被单独或者连同辅助电容器25—起用作补偿有机EL元件21A的等效电容器C。led的电容不足的电容元件。因此， 可减少各个像素20的布局区域。因此，相比于未使用电容器Csub的情况，各个像素20的大小可减少，从而使得可实现有机EL显示装置10的较高分辨率。[2-3.第二实施方式的有机EL元件结构]接着将参考图12和图13描述根据第二实施方式的有机EL元件21B结构。图12 为示出根据第二实施方式的有机EL元件21B结构的示意平面图，除了阴极电极和有机层。 图13为沿图12中的XIII-XIII线截取的截面图。在图12和图13中，与图9和图10中那些相同的部分由相同参考数字表示。 根据第二实施方式的有机EL元件21b具有与根据第一实施方式的有机EL元件21A 结构大体上相同的结构。与根据第一实施方式的有机EL元件21A不同的是，有机EL元件 2Ib具有包括在有机EL元件2Ib中且不对发光做出贡献的区中的窗口绝缘膜74略微残留的结构，使得凹陷部74b形成在残留窗口绝缘膜74中，以及电容器Csub形成在凹陷部74b的部分中。半色调掩模等可用于形成窗口绝缘膜74中的凹陷部74b。使用半色调掩模等来形成凹陷部74B，使得可减薄在形成电容器Csub的部分中窗口绝缘膜74的膜厚度。S卩，在对电容器Csub形成做出贡献的区中窗口绝缘膜74的膜厚度小于在不对电容器Csub形成做出贡献的区中窗口绝缘膜74的膜厚度。如上所述，在第一实施方式中，电容器Csub大小(电容值)由阳极电极211A与阴极电极213的相对面积、阳极电极211a与阴极电极213之间距离以及有机层212和窗口绝缘膜74的介电常数决定。由于窗口绝缘膜74在形成电容器Csub的部分处的膜厚度减薄，所以阳极电极211a与阴极电极213之间距离减少(缩短)。利用该排列，因为相比于第一实施方式的情况，大电容器可形成为电容器Csub，所以可形成具有足以完全替代辅助电容器25的大小的电容器Csub。因此，由于与像素20中形成辅助电容器25的布局区域对应的区域可减少或者消除，所以各个像素20的布局区域可减少。[2-4.第三实施方式的有机EL元件结构]接着将参考图14和图15描述根据第三实施方式的有机EL元件21。结构。图14 为示出根据第三实施方式的有机EL元件21。结构的示意平面图，除了阴极电极和有机层。 图15为沿图14中的XV-XV线截取的截面图。在图14和图15中，与图12和图13那些相同的部分由相同参考数字表示。根据第三实施方式的有机EL元件21。具有与根据第二实施方式的有机EL元件2Ib 结构大体上相同的结构。与根据第二实施方式的有机EL元件21b不同的是，有机EL元件21c具有在包括在有机EL元件21。中并且不对发光做出贡献的区中的阴极电极213与发光部的区部分电隔离的结构。在不对发光做出贡献的区中，包括在阴极电极213中并且与发光部中的区部分电隔离的部分在下文中被称为“阴极电极21；3广。在不对发光做出贡献的区中的阳极电极2114与发光部中的阳极电极211—体形成。相比之下，在不对发光做出贡献的区中的阴极电极21 与对发光做出贡献的区(艮口， 发光部中的阴极电极213)电隔离。利用该排列，形成在不对发光做出贡献的区中的电容器 Csub的第一电极电连接至有机EL元件21的阳极电极(即，驱动晶体管22的源极电极)，而电容器Csub的第二电极断开。当电容器Csub的第二电极电连接至驱动晶体管22的栅极电极时，如图IlB的等效电路所示，电容器Csub可被用作存储电容器M的辅助电容器。利用该排列，存储电容器M 的大小可被减少与电容器Csub大小(电容值)对应的量，使得各个像素20的布局区域可被减少与形成存储电容器M的布局区域的减少对应的量。当在不对发光做出贡献的区中的电容器Csub可形成为具有与存储电容器M的电容值基本上相等的电容值时，也可使用电容器Csub替代存储电容器24。在该情况下，因为形成存储电容器M的布局区域可完全消除，所以相比于存储电容器M用作辅助电容器的情况，各个像素20的布局区域可进一步减少。当采用与有机EL元件21的阴极电位Veath相同的电位施加于电容器Csub的第二电极的配置时，电容器Csub可单独或者连同辅助电容器25 —起用作补偿有机EL元件21a的等效电容器C。led的电容不足的电容元件，如在第一实施方式的情况下。在该情况下，各个像素 20的布局区域也可减少。[2-5.第四实施方式的有机EL元件结构]接着将参考图16和图17描述根据第四实施方式的有机EL元件21D结构。图16为示出根据第四实施方式的有机EL元件21d结构的示意性平面图，除了阴极电极和有机层。 图17为沿图16中的XVII-XVII线截取的截面图。在图16和图17中，与图14和图15中那些相同的部分由相同参考数字表示。如上所述，根据第三实施方式的有机EL元件21c具有在不对发光做出贡献的区中的阴极电极21 与对发光做出贡献的区(S卩，发光部中的阴极电极213)电隔离的结构。相比之下，根据第四实施方式的有机EL元件21d具有除了阴极电极21 之外，在不对发光做出贡献的区中的阳极电极211A也与对发光做出贡献的区(S卩，发光部中的阳极电极211)电隔离的结构。即，形成在不对发光做出贡献的区中的电容器Csub的两个电极都断开。因此，当形成在不对发光做出贡献的区中的电容器Csub被连接为具有图IlA所示的连接关系时，电容器Csub可单独或者连同辅助电容器W —起用作补偿有机EL元件21a的等效电容器C。led的电容不足的电容元件，如在第一实施方式的情况下。当形成在不对发光做出贡献的区中的电容器Csub被连接为具有图IlB所示的连接关系时，电容器Csub可被用作存储电容器M的辅助电容器或者替代存储电容器M的电容元件，如在第三实施方式的情况下。再者，当有机EL元件21的驱动电路具有除了图2所示的电路配置中的元件以外的另一电容元件的电路配置时，所述电容元件也可由形成在不对发光做出贡献的区中的电容器Csub实施。
<3.应用实例〉虽然已经结合用于驱动有机EL元件21的驱动电路(像素电路)具有两个电容元件(即，存储电容器M和辅助电容器25)的实例描述了以上实施方式，但是所述驱动电路的电路配置并不限于所述特定实例。S卩，本发明适用于具有包括至少一个电容元件的电路配置的任何有机EL显示装置。实例包括驱动电路具有一个电容元件(即，存储电容器24)的电路配置，或者驱动电路具有除了存储电容器M和辅助电容器25以外的另一电容元件的电路配置。再者，关于包括在驱动电路中的晶体管，本发明还适用于具有除了驱动晶体管22和写入晶体管23以外还具有另一晶体管的电路配置的有机EL显示装置。<4.电子设备〉根据本发明实施方式的上述有机EL显示装置适用于任何领域的电子设备的显示单元(显示装置)，其中，输入至电子设备的视频信号或者藉此产生的视频信号以图像或者视频形式显示。例如，本发明适用于各种类型电子设备的显示单元，诸如电视机、数码相机、 摄影机、个人笔记本电脑以及诸如移动电话的移动终端器件，如图18至图22G所示。因此，使用根据本发明的一个实施方式的有机EL显示装置作为任何领域的电子设备的显示单元，使得可提高电子设备的显示品质。即，如从以上实施方式的描述明显看出，根据本发明实施方式的有机EL显示装置允许当像素中形成电容元件时像素的布局区域减少，因此，使得可实现较高分辨率。因此，可提供实现高品质、合适显示图像的各种电子设备。根据本发明的一个实施方式的显示装置还可通过具有密封结构的模块形式实施。 例如，模块形式对应于通过将由透明玻璃等制成的相对部分层压到像素阵列部而形成的显示模块。例如，显示模块还可设置有FPC(柔性印刷电路)或者用于在外部将信号等输入到像素阵列部/从像素阵列部输出信号等的电路部。下文将描述本发明实施方式适用的电子设备的具体实例。图18为示出本发明的实施方式适用的电视机外观的透视图。根据所述应用实例的电视机包括具有前面板102、滤波玻璃103等的视频显示屏幕部101。该电视机通过使用根据本应用实例的有机EL显示装置作为视频显示屏幕部101来制造。图19A和图19B分别为示出本发明的实施方式适用的数码相机外观的前透视图和后透视图。根据本应用实例的数码相机包括闪光发射部111、显示部112、菜单开关113、快门按钮114等。该数码相机通过使用根据本应用实例的显示装置作为显示部112来制造。图20为示出本发明的实施方式适用的个人笔记本电脑外观的透视图。根据本应用实例的个人笔记本电脑具有包括用于输入字符操作等的键盘122、用于显示图像的显示部123等的主单元121的配置。该个人笔记本电脑通过使用根据本发明的实施方式的有机 EL显示装置作为显示部123来制造。图21为示出本发明的实施方式适用的摄影机外观的透视图。根据本应用实例的摄影机包括主单元131、设置在其前端表面处的物体拍摄透镜132、用于拍摄的开始/停止开关133、显示部134等。该摄影机通过使用根据本发明的实施方式的有机EL显示装置作为显示部134来制造。图22A至图22G为本发明的实施方式适用的移动终端器件(例如，移动电话)的外部视图。具体地，图22A为移动电话打开时的前视图，图22B为其侧视图，图22C为移动电话合上时的前视图，图22D为左视图，图22E为右视图，图22F为俯视图，以及图22G为仰视图。根据本应用实例的移动电话包括上盖141、下盖142、耦合部(在该情况下，为铰链部)143、显示器144、次显示器145、图像灯146、相机147等。该移动电话通过使用根据本应用实例的有机EL显示装置作为显示器144及/或次显示器145来制造。本发明包括于2011年1月6日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP 2011-000942中所公开的主题，其全部内容结合于此作为参考。本领域的技术人员应当理解，根据设计需求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和变形，均应包括在所附权利要求或其等同物的范围之内。
权利要求
1.一种有机电致发光显示装置，包括为各像素设置的有机电致发光元件，每个有机电致发光元件均具有其间设置有机层的第一电极和第二电极，以及具有对发光做出贡献的区和不对发光做出贡献的区，其中，电容器形成在所述不对发光做出贡献的区中的所述第一电极和所述第二电极之间，并且被用作所述有机电致发光元件的驱动电路中的电容元件。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其中，所述第一电极具有在所述不对发光做出贡献的区中的电极部分和在所述对发光做出贡献的区中的电极部分，所述在所述不对发光做出贡献的区中的电极部分与所述在所述对发光做出贡献的区中的电极部分隔1 °
3.根据权利要求2所述的有机电致发光显示装置，其中，所述第一电极为阴极电极。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光显示装置，其中，所述第二电极为阳极电极，并且具有在所述不对发光做出贡献的区中的电极部分和在所述对发光做出贡献的区中的电极部分，所述在所述不对发光做出贡献的区中的电极部分与所述在所述对发光做出贡献的区中的电极部分隔离。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其中，每个有机电致发光元件均具有设置在所述不对发光做出贡献的区中的所述第一电极和所述第二电极之间的绝缘膜，设置在对所述电容器的形成做出贡献的区中的所述第一电极和所述第二电极之间的所述绝缘膜的膜厚度小于设置在不对所述电容器的形成做出贡献的区中的所述第一电极和所述第二电极之间的所述绝缘膜的膜厚度。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光显示装置，其中，使用半色调掩模来减薄设置在所述对所述电容器的形成做出贡献的区中的所述第一电极和所述第二电极之间的所述绝缘膜。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其中，所述电容器与所述有机电致发光元件并联连接，并且被用作所述有机电致发光元件的等效电容器的辅助。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其中，所述驱动电路包括写入晶体管，将视频信号的信号电压写入到相应的像素；存储电容器，存储由所述写入晶体管写入的所述信号电压；以及驱动晶体管，根据由所述存储电容器存储的电压驱动所述有机电致发光元件。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光显示装置，其中，所述电容器与所述存储电容器并联连接，并且被用作所述存储电容器的辅助。
10.根据权利要求8所述的有机电致发光显示装置，其中，所述电容器连接在所述驱动晶体管的栅极电极与一个源极/漏极电极之间，并且被用作所述存储电容器。
11.根据权利要求8所述的有机电致发光显示装置，其中，所述驱动电路还包括辅助电容器，补偿所述有机电致发光元件的等效电容器的电容不足，以及所述电容器与所述辅助电容器并联连接，并且被用作所述辅助电容器的辅助。
12.根据权利要求8所述的有机电致发光显示装置，其中，所述电容器与所述有机电致发光元件并联连接，并且被用作辅助电容器。
13.一种电子设备，包括有机电致发光显示装置，其包括为各像素设置的有机电致发光元件，每个有机电致发光元件具有其间设置有机层的第一电极和第二电极，以及具有对发光做出贡献的区和不对发光做出贡献的区，其中，电容器形成在所述不对发光做出贡献的区中的所述第一电极和所述第二电极之间，并且被用作所述有机电致发光元件的驱动电路中的电容元件。
14.根据权利要求13所述的电子设备，其中，所述第一电极具有在所述不对发光做出贡献的区中的电极部分和在所述对发光做出贡献的区中的电极部分，所述在所述不对发光做出贡献的区中的电极部分与所述在所述对发光做出贡献的区中的电极部分隔离。
全文摘要
本发明公开一种有机电致发光(EL)显示装置和电子设备，该有机电致发光(EL)显示装置包括为各像素设置的有机EL元件。每个有机EL元件均具有其间设置有机层的第一电极和第二电极，以及具有对发光做出贡献的区和不对发光做出贡献的区。电容器形成在不对发光做出贡献的区中的第一电极和第二电极之间，并且被用作所述有机EL元件的驱动电路中的电容元件。
文档编号G09G3/32GK102592540SQ20111045712
公开日2012年7月18日 申请日期2011年12月30日 优先权日2011年1月6日
发明者尾本启介 申请人:索尼公司